具有上电或复位硬件安全特性的安全多熔丝只读存储器及其方法技术

提议了一种具有上电或复位硬件安全特性的安全一次可编程（ＯＴＰ）自校准硅化多熔丝阵列（２×８）单元。基于包括自校准硅化多熔丝和ＭＯＳ开关的原始构件单元的安全ＯＴＰ利用与更大的非安全ＯＴＰ阵列的相同构件模块。它包括增强的多级跟踪＆锁存读出放大器、或比较器，原始存储单元、用于写和读机制的译码器以及相似的控制模块。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及一种一次可编程ROM(只读存储器)存储元件，更具体地说，涉及一种具有安全读访问的一次可编程ROM元件。
技术介绍
大量集成电路应用需要某种电可编程非易失性存储器来存储信息。为了适应现代集成电路中不断增长的电可编程存储器要求，出现了若干众所周知的存储器技术，包括例如可编程只读存储器(PROM)、可擦可编程只读存储器(EPROM)、电可擦可编程只读存储器(EPROM)、现场可编程门阵列(FPGA)以及熔丝器件。熔丝元件或(一次可编程)OTP熔丝元件常常由导电自校准硅化(salicided)多晶硅线组成。在未熔断-未编程状态下，熔丝以低阻抗导通。为了对熔丝进行程序设计，将大约20mA的较大编程电流施加到自校准硅化多晶硅线上，导致自校准硅化多晶硅线发热，一旦自校准硅化多晶硅线熔断就引起高阻抗连接。当然，一旦熔丝熔断，写入数据则为不可擦除的了。一旦为访问数据而执行了寻址方案，就可以容易地访问写入和存储在各个这些器件中的数据。例如，在1×8的OTP ROM上，一旦上电，输出端口就将保持存储在ROM中的值。因此，写入到任何这些存储单元中的安全数据就不安全了。因此，本专利技术的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种安全一次可编程（ＯＴＰ）ＲＯＭ，它包括：－安全数据存储器，用于存储安全数据值；－输出端口；以及－数据检索电路，它能够在第一模式和不同的第二模式下工作，以在所述第一模式下向所述输出端口提供不同于存储在所述安全数据存 储器中的值的第一已知值，并且在所述不同的第二模式下向所述输出端口提供存储在所述安全数据存储器中的值。

【技术特征摘要】
US 2001-5-10 09/852,0181.一种安全一次可编程(OTP)ROM，它包括-安全数据存储器，用于存储安全数据值；-输出端口；以及-数据检索电路，它能够在第一模式和不同的第二模式下工作，以在所述第一模式下向所述输出端口提供不同于存储在所述安全数据存储器中的值的第一已知值，并且在所述不同的第二模式下向所述输出端口提供存储在所述安全数据存储器中的值。2.如权利要求1所述的安全一次可编程(OTP)ROM，其特征在于在向所述器件供电后，所述数据检索电路处于所述第一模式。3.如权利要求2所述的安全一次可编程(OTP)ROM，其特征在于在对所述安全数据存储器中的数据进行成功数据访问后，所述数据检索电路从所述第一模式切换到所述第二模式。4.如权利要求3所述的安全一次可编程(OTP)ROM，其特征在于包括读出放大器阵列2，它具有安全多熔丝元件74阵列，所述多熔丝元件74用于存储所述安全数据存储器中的数据。5.如权利要求4所述的安全一次可编程(OTP)ROM，其特征在于包括读出放大器阵列2，它具有测试多熔丝元件阵列，用于存储非所述安全数据存储器中的数据。6.如权利要求5所述的安全一次可编程(OTP)ROM，其特征在于所述各阵列包括1×8阵列的多熔丝元件74。7.如权利要求4所述的安全一次可编程(OTP)ROM，其特征在于所述数据检索电路包括控制模块1，用于使所述不同的第二模式操作能够提供到所述安全数据存储器的访问。8.如权利要求1所述的安全一次可编程(OTP)ROM，其特征在于包括编程电路，它包括模拟电路，用于调整提供给所述读出放大器阵列2的两个偏置读电压和写电流，从而允许读取和存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：E库里，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]