一种热中子探测器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种热中子探测器，涉及探测设备技术领域，解决了热中子探测器结构复杂、体积大、不利于中子成像探测器的大面积集成和像素化读出的技术问题。该热中子探测器包括热中子转换体和硅光电倍增管，热中子转换体采用可以产生俄歇电子的材料制成，热中子转换体与硅光电倍增管的灵敏面紧密贴合连接；热中子转换体采用的可以产生俄歇电子的材料为钆材料；硅光电倍增管的灵敏面为无封装的裸片结构。本实用新型专利技术的硅光电倍增管直接探测热中子被转换体俘获后会产生的电子，电子在硅光电倍增管内经倍增放大后输出电信号，具有结构简单、体积小、成本低，便于成像探测器大面积集成和像素化读出的特点。和像素化读出的特点。和像素化读出的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种热中子探测器


[0001]本技术涉及探测设备
，尤其是涉及一种热中子探测器。

技术介绍

[0002]热中子探测器根据对热中子伴生的电离辐射粒子的探测方式的不同主要有三种：一种是闪烁探测器，采用热中子转换体+闪烁体+光电子倍增器结构，该类探测器将对热中子有高反应截面的元素掺入闪烁体内或者在闪烁体表面镀膜，热中子伴生的电离辐射粒子在闪烁体内激发闪烁光，闪烁光再由光电倍增器件转换成可识别的电信号；一种是气体探测器，采用热中子转换体+气体电子倍增器结构，该类探测器通过镀膜等方式将对热中子有高反应截面的元素置于气体探测器内部，热中子伴生的alpha或者电子在气体内发生电离作用，电离出的电子在气体内电场的作用下发生漂移、加速、与气体分子发生碰撞并倍增，经过多次级联倍增最后经由阳极收集形成可识别的电信号；一种是真空电子倍增探测器，采用热中子转换体+真空电子倍增器的架构结构，该类探测器也是采用镀膜等方式将有高反应截面的元素置于真空电子倍增器内部，热中子伴生的电子在真空内电场的作用下发生漂移、加速，撞击二次电子发射物质并产生倍增，经过多次级联倍增最后经本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热中子探测器，其特征在于，包括热中子转换体和硅光电倍增管，所述热中子转换体采用可以产生俄歇电子的材料制成，所述热中子转换体与所述硅光电倍增管的灵敏面紧密贴合连接。2.根据权利要求1所述的热中子探测器，其特征在于，所述热中子转换体采用的可以产生俄歇电子的材料为钆材料。3.根据权利要求2所述的热中子探测器，其特征在于，所述热中子转换体为薄层结构，厚度不大于1cm。4.根据权利要求3所述的热中子探测器，其特征在于，所述热中子转换体采用氧化钆粉末经涂覆方式设置在所述硅光电倍增管的灵敏面上。5.根据权利要求3所述的热中子探测...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙希磊，吕军光，黄永盛，王承二，邓勇，范小雪，李俊杰，江环，
申请(专利权)人：中国科学院高能物理研究所，
类型：新型
国别省市：