【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背景一般地说，本专利技术涉及用来储存电子信息的存储器。当从相变存储单元读取器件数据时，在一种情形下加一个可以比阈值电压低的电压，并测量电流，以便使器件电阻的测定有可能。所测量的器件电阻确定相变存储器中出现的结晶的程度，从而储存在该单元的数据的状态。当读取复位或较高电阻位时，如果读取电压大于阈值电压，由于器件被接通这一事实，器件可以急速返回到低得多的电压，并可以测量到大得多的电流值。在这样情况下，可能很难区分该位的置位或较低电阻和复位状态。一个强制电压读取数据的方案必须有裕度保证施加的是小于阈值电压的电压。类似地，在通过强制电流读取器件数据的系统中能看到相同的效应。于是，需要有一种提供较高裕度的读取相变存储器的方法。 附图说明图1是按照本专利技术的一个实施例的存储阵列的描绘图；图2是按照本专利技术的一个实施例的假定的或示意的存取器件的电流对电压的曲线图；图3是按照本专利技术的一个实施例的一个偏置方案的描绘图；图4是按照本专利技术的一个实施例的另一个偏置方案的描绘图；图5是图1上所示的存储阵列的在早期制造阶段的放大横截面视图；图6是按照本专利技术的一个实施例的一个系统描...
【技术保护点】
一种方法，包括： 形成用大于或等于元件的阈值电压的电压读取的相变存储元件。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-8-4 10/633,8721.一种方法，包括形成用大于或等于元件的阈值电压的电压读取的相变存储元件。2.权利要求1的方法，包括形成具有至少是元件的阈值电压的百分之八十的吸持电压的相变存储元件。3.权利要求1的方法，包括形成具有阈值电压的相变存储元件，该阈值电压随编程电流变化二倍而没有变化大于百分之十。4.权利要求1的方法，包括在一对电极之间形成包括相变材料的相变存储元件。5.权利要求4的方法，包括形成具有氮化钛硅的下电极的相变材料。6.一种设备，包括用大于或等于元件的阈值电压的电压读取的相变存储元件。7.权利要求6的设备，其中，所述元件包括上电极和下电极以及在所述电极之间的相变材料。8.权利要求6的设备，其中，所述元件具有至少是元件的阈值电压的百分之八十的吸持电压。9.权利要求6的设备，其中，相变存储元件具有随改变编程电流而变化小于百...
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