【技术实现步骤摘要】
薄硅片改善石墨舟隐裂高频的方法
[0001]本专利技术涉及电池工艺领域，具体是一种薄硅片改善石墨舟隐裂高频的方法。
技术介绍
[0002]随着光伏发展，薄硅片发展越来越重要，薄硅片能降低硅片成本，能有效的利用硅片利用率，目前行业内主流硅片的厚度为170um，而MWT技术可以用更薄的硅片，MWT背面采用导电芯板方案，封装组件可以做的更薄。
[0003]但目前存在问题是，电池端做薄硅片140um厚度在镀膜端石墨舟有卡点，在perc电池上，镀膜背面氮化硅会存在一定性翘曲，镀正面氮化硅时由于背面翘曲，石墨舟插片方式采用的为背靠背方案，电池片两片翘曲较大经过镀膜高温后容易搭在一起容易短路高频，需要补镀镀膜，影响生产产量与良率，碎片率和产量影响的成本高，薄硅片在电池端的应用难于推动起来。
技术实现思路
[0004]本专利技术为了解决现有技术的问题，提供了一种薄硅片改善石墨舟隐裂高频的方法，采用垂直插取片石墨舟设计，通过石墨陶瓷杆方案替代卡点方案，使用单插片方式替代背靠背插片方式，可以降低单面镀膜后的翘曲和高频与碎...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种薄硅片改善石墨舟隐裂高频的方法，包括选择硅片基底、制绒、扩散、碱抛、热氧与退火、镀膜，其特征在于：所述的镀膜采用垂直式插片，采用无卡点设计石墨舟，石墨舟舟叶采用单插双面镀膜方式，上舟时先水平向上，然后向左旋转90
°
使舟叶向上，电池片贴紧陶瓷杆，先进行450℃背镀膜，镀膜结束后出舟，然后旋转180
°
使原来镀过的面贴紧石墨舟叶，未镀膜的裸露在空气中，水平进舟镀膜。2.根据权利要求1所述的薄硅片改善石墨舟隐...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，徐建华，吴仕梁，路忠林，张凤鸣，职森森，章明，
申请(专利权)人：南京日托光伏新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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