半导体存储器件制造技术

在半导体存储器件中，所述半导体存储器件包括：共享的读出放大器部分；在共享的读出放大器部分相对侧设置的存储单元部分对；在存储单元部分对和共享的读出放大器部分之间的传输门对；和构成多个位线对的位线，所述位线通过传输门对将共享的读出放大器部分和存储器单元部分对彼此连接，在相对侧的传输门对之间的大致中心处绞合所述多个位线对中的位线对的位线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体存储器件，特别涉及共享的读出放大器电路或部分。
技术介绍
近来，半导体存储器件越来越向着更大容量和更高集成度的方向改进。在动态随机存取存储器(DRAM)中，开发了1Gbit存储容量的产品。通过增加存储容量，半导体存储器件小型化。为了增加存储容量，提出了各种方案。在具有大容量的DRAM中，使用共享的读出放大器部分。向读出放大器部分提供从读出放大器部分的相对两侧上的存储单元选择的数据，并且读出放大器部分进行读出操作。另外，控制存储单元的字线不直接从行解码器向存储单元输入，但是使用除法解码系统。随着半导体存储器件的操作速度的增加，在读出时，利用临时断开存储单元部分和读出放大器部分的定时方法，以便增加读速度。在此方法中，通过提供断开存储单元部分和读出放大器部分的传输门进行定时。位线对(D/DB)的整个电容不充电和放电，而是以高速仅放大读出放大器部分的一部分。作为防止在位线之间噪音的措施，将位线在存储单元阵列中绞合(twist)以减小在相邻位线之间的耦合噪音，避免由于噪音的操作错误。因此，提出共享的读出放大器部分，利用传输门的定时方法以及噪音的防止措施并投入实际应用。然本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器件包括：共享的读出放大器部分：在共享的读出放大器部分的相对侧设置的存储单元部分对；在共享的读出放大器部分的相对侧上、在存储单元部分对和共享的读出放大器部分之间设置的传输门对；构成多个位线对的位线，所述位线通过传输门对将共享的读出放大器部分和存储单元部分对彼此连接；在相对侧的传输门对之间的基本中心处，绞合在多个位线对之中的位线对的位线。

【技术特征摘要】
JP 2005-10-31 2005-3164631.一种半导体存储器件包括共享的读出放大器部分在共享的读出放大器部分的相对侧设置的存储单元部分对；在共享的读出放大器部分的相对侧上、在存储单元部分对和共享的读出放大器部分之间设置的传输门对；构成多个位线对的位线，所述位线通过传输门对将共享的读出放大器部分和存储单元部分对彼此连接；在相对侧的传输门对之间的基本中心处，绞合在多个位线对之中的位线对的位线。2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中每个传输门对进行定时，以临时断开每个存储单元部分对和共享的读出放大器部分，并从而放大共享的读出放大器部分的内部部分。3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述共享的读出放大器部分包括第一共享的读出放大器，其连接有绞合的多个位线对的位线对中的位线；和第二共享的读出放大器，其连接有未绞合的多个位线对的不同位线对中的位线，所述第一和第二共享的读出放大器交替排列。4.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中由在所述共享...

【专利技术属性】
技术研发人员：延时知子，太田贤，
申请(专利权)人：尔必达存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]