确定套刻的方法和系统技术方案

本文公开了一种确定衬底的套刻值的方法，该方法包括：获得温度数据，该温度数据包括在衬底已经装载到衬底台上之后在衬底台上的一个或多个位置处测量的温度的数据；并且根据所获得的温度数据确定衬底的套刻值。还公开了一种使用所述确定的套刻值确定衬底台的夹持的性能的方法。性能的方法。性能的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】确定套刻的方法和系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求EP申请号19168502.3的优先权，其于2019年4月10日提交，并通过引用整体并入本文。


[0003]本专利技术涉及套刻的确定。实施例在将衬底装载到衬底台上之后根据衬底台的测量温度确定衬底的套刻值。

技术介绍

[0004]光刻装置是被构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻装置可用于例如制造集成电路(IC)。例如，光刻装置可以将图案形成装置(例如，掩模)的图案(也经常被称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]随着半导体制造工艺的不断进步，电路元件的尺寸不断减小，而每个器件的功能元件(例如晶体管)的数量几十年来一直在稳步增加，遵循通常称为“摩尔定律”的趋势。为了跟上摩尔定律，半导体行业正在寻求能够创造越来越小特征的技术。为了在衬底上投射图案，光刻装置可以使用电磁辐射。这种辐射的波长决定了在衬底上图案化的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长为365nm(i/>‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种确定衬底的套刻值的方法，所述方法包括：获得温度数据，所述温度数据包括关于在衬底已经被装载到衬底台上之后在所述衬底台上的一个或多个位置处测量的温度的数据；以及根据获得的所述温度数据确定所述衬底的套刻值。2.根据权利要求1所述的方法，其中所确定的所述衬底的套刻值是残留套刻值。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述残留套刻值是在一个或多个对准模型已经被应用之后的所述衬底的层的所述套刻误差的指标。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法还包括根据所述套刻值确定：报废所述衬底；返工所述衬底；热修复所述衬底；选择用于确定残留套刻值的对准模型；选择用于评估套刻的对准模型；和/或确定一个或多个校正值，并根据所确定的一个或多个校正值对所述衬底执行一个或多个其他工艺。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中针对所述衬底的第一制造层确定所述套刻值。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述温度数据是从所述衬底台上的一个或多个温度传感器(501)获得的；和所述一个或多个温度传感器(501)被布置成测量所述衬底台的所述温度。7.根据权利要求6所述的方法，其中存在多个温度传感器(501)；以及所述温度数据包括来自所述多个温度传感器(501)中的每一个温度传感器的数据。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中根据在测量时间段内所获得的温度数据来确定所述套刻值。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述测量时间段基本上从所述衬底被装载到所述台上时开始；和所述测量时间段持续1μs到10s之间的时间。10.根据权利要求8或9所述的方法，其中根据由一个或多个温度传感器(501)在所述测量时间段内测量的温度的大小来确定所述套刻值。11.根据权利要求8至10中任一项所述的方法，其中根据由一个或多个温度传感器(501)在所述测量时间段内测量的温度的梯度来确定所述套刻值。12.根据权利要求8至11中任一项所述的方法，其中根据所述温度传感器(501)中的不同温度传感器在所述测量时间段内所测量的温度的相对值来确定所述套刻值。13.根据权利要求8至12中任一项所述的方法，其中根据所述温度传感器(501)中的一个或多个温度传感器所测量的温度的值中的一个或多个值与一个或多个参考值的比较来确定所述套刻值。14.根据权利要求8至13中任一项所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：F，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：