一种无Mesa台面的VCSEL芯片的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种无Mesa台面的VCSEL芯片的制作方法，涉及垂直腔面发射激光器技术领域。本发明专利技术的一种无Mesa台面的VCSEL芯片的制作方法，所述方法在量子阱生长完成后在量子阱表面沉积了一层光电限制层，然后对光电限制层进行光刻和刻蚀，定义出发光区域，所述光电限制层的材料为三氧化二铝。本发明专利技术的一种无Mesa台面的VCSEL芯片的制作方法，在整个生产过程中省去了传统的氧化或离子注入工艺，可以减少VCSEL芯片制备过程中设备的投入，同时缩短了整个工艺流程，能够有效缩短生产时间，提高生产效率，降低生产成本。降低生产成本。降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种无Mesa台面的VCSEL芯片的制作方法


[0001]本专利技术涉及垂直腔面发射激光器
，尤其涉及一种无Mesa台面的VCSEL芯片的制作方法。

技术介绍

[0002]垂直腔面发射激光器芯片(简称VCSEL)是一种半导体激光器芯片，其激光垂直于顶面射出。现有的VCSEL芯片，其主要的制备方法是采用MOCVD在衬底上依次生长N
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DBR层、量子阱、氧化层、P
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DBR层，再通过芯片光刻镀膜做P
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metal金属欧姆接触，再镀膜保护通过光刻蚀刻做出芯片台面结构，在送进氧化炉使氧化层氧化使芯片形成光电限制后镀绝缘膜保护，再光刻蚀刻打开电极通道，再做种子层后通过光刻电镀增厚P
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metal，最后湿法蚀刻打开芯片出光口，在做切割道光刻蚀刻，最后研磨剪薄晶圆做上背金N
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metal，完成整个加工过程。用此方法制作VCSEL芯片过程繁琐流程复杂，光刻就需要5
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6步，全过程小工艺步骤大概要70步左右，整个过程需要大量的时间，需要购置的设备也比本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无Mesa台面的VCSEL芯片的制作方法，其特征在于，所述方法在量子阱生长完成后在量子阱表面沉积了一层光电限制层，然后对光电限制层进行光刻和刻蚀，定义出发光区域。2.根据权利要求1所述的一种无Mesa台面的VCSEL芯片的制作方法，其特征在于，所述光电限制层的材料为三氧化二铝。3.根据权利要求2所述的一种无Mesa台面的VCSEL芯片的制作方法，其特征在于，所述光电限制层采用磁控溅射或原子层沉积方法沉积得到。4.根据权利要求3所述的一种无Mesa台面的VCSEL芯片的制作方法，其特征在于，所述光电限制层的厚度为20
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40nm。5.根据权利要求1
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4任一权利要求所述的一种无Mesa台面的VCSEL芯片的制作方法，其特征在于，所述制备方法具体为：S1：提供GaAs衬底；S2：在GaAs衬底上依次生长N
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DBR结构和量子阱；S3：在量子阱表面沉积得到光电限制层，用光刻做好图形，利用刻蚀将光电限制层蚀刻出通孔，定义出发光区域；S4：利用MOCVD，在光电限制层的的表面生长P
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DBR结构；S5：在P
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DBR结构表面沉积覆盖一层氮化硅层作为保护膜；S6：在SiNx层上刻蚀出电极位置；S7：在P面蒸镀P
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cotact；S8：将晶圆P面和蓝宝石键合绑定，对N面进行研磨减薄；S9：在晶圆N面蒸镀上N
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metal金属电极，退火解绑，划片得到VCSEL芯片。6.根据权利要求5所述的一种无Mesa台面的VCSEL芯片的制作方法，其特征在于，所述S3步骤具体操作为：将S2步骤生长完量子阱的晶圆，送进RF射频磁控溅射机台内，对RF射频磁控溅射机台进行抽真空后...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁章洁，李雪松，
申请(专利权)人：威科赛乐微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：