一种氧化亚铜量子点的制备方法技术

本发明专利技术提供一种氧化亚铜量子点的制备方法，包括以下步骤：将铜微粉压片，然后将压片后的铜放置于高温马弗炉中快速升温，再将快速升温后的铜片快速取出投入冷水中得到氧化亚铜量子点。本发明专利技术的氧化亚铜量子点的制备方法工艺简单，不使用还原剂，绿色环保，生产成本低，制备的铜量子点粒径小，尺寸分布均匀，成本低廉、易工业化生产，具有良好的应用前景。具有良好的应用前景。具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种氧化亚铜量子点的制备方法


[0001]本专利技术涉及无机功能材料的
，具体涉及一种金属氧化物量子点材料的制备方法。

技术介绍

[0002]氧化亚铜、氧化铜是很好的P型半导体，可以应用于太阳能转换、微电子、磁存储、催化、气敏等领域，尺寸达到纳米级之后，因其较大的比表面积和优良的表面物理化学性质使其在太阳能电池、微电子器件、气体催化、气敏传感器等方面有许多很有潜力的应用。
[0003]Cu2O是一种典型的p型半导体材料，禁带宽度为2.1eV，在可见光区的吸收系数较高，能量转化率理论上可达10％，此外，通过控制制备工艺可使Cu2O的电阻率在103～10
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Q
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cm范围内变化，被认为是制备太阳能电池的潜在材料，目前人们已经通过多种方法制备了Cu2O纳米薄膜、纳米粒子，化学法是纳米氧化亚铜制备的常用方法，该方法是在稳定剂存在下还原二价铜盐来制备纳米Cu2O，制备过程中，必须要有还原剂和纳米粒子稳定剂的参与，文献报道的还原剂有水合肼、硼氢化钠、维生素C、甲酸、葡萄糖等；作为纳米粒子稳定剂的有表面活性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化亚铜量子点的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：将铜粉压片，然后将压片后的铜放置于已升温的高温马弗炉中快速加热，最后将加热后的铜片快速取出投入冷水中得氧化亚铜量子点水溶液，再经过冷冻干燥后得到氧化亚铜量子点。2.根据权利要求1所述的氧化亚铜量子点的制备方法，其特征在于：所述氧化铜压片的压力为5～30Mpa。3.根据权利要求2所述的氧化亚铜量子点的制备方法，其特征在于：所述氧化铜压片的压力为20M...

【专利技术属性】
技术研发人员：董雷，张瑜轩，杜浩泽，傅缨淇，杨凯博，
申请(专利权)人：苏州北美国际高级中学，
类型：发明
国别省市：