IGBT器件动态测试用夹具及方法技术

本发明专利技术涉及一种IGBT器件动态测试用夹具及方法，涉及IGBT器件技术领域，用于降低测试电路中杂散电感。本发明专利技术的IGBT器件动态测试用夹具，包括第一夹具、第二夹具和支撑架，通过将第一夹具和第二夹具分别设置为关于第一IGBT器件和第二IGBT器件对称且具有层叠结构，从而利用电磁耦合原理降低测试电路中杂散电感，有助于提升器件动态参数测试的可靠性。助于提升器件动态参数测试的可靠性。助于提升器件动态参数测试的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
IGBT器件动态测试用夹具及方法


[0001]本专利技术涉及IGBT器件
，特别地涉及一种IGBT器件动态测试用夹具及方法。

技术介绍

[0002]IGBT动态测试是了解器件在具体应用工况下真实表现的重要技术手段，通过搭建半桥电路进行测试，获取IGBT器件开关过程参数，以确认驱动信号死区时间的选择和损耗的计算，并评估驱动参数选取是否合理，同时获得器件内部封装的反并联二极管特性，包括二极管反向恢复电流、反向安全工作区(RRSOA)和关断波形等，以评估其是否满足要求。
[0003]IGBT器件实际应用时，连接线路寄生杂散电感对IGBT的开关特性存在明显的影响，且较大di/dt使线路中的杂散电感产生瞬时过电压，不仅减少了IGBT器件的使用寿命、增加了器件功耗，甚至可能击穿器件，而线路杂散电感量越大，产生的瞬时过电压就越高，因此需要对连接线路做低电感设计，所以器件动态测试回路也需满足低电感要求，才能使测试参数接近实际应用值。
[0004]现有的动态测试方法中，一种是通过固件夹具将器件手动压装成组件后，再进行测试。该方法由于其支撑电容与组件导线连接，因此连接导线上寄生杂散电感大；并且需要手动组装及拆卸组件，劳动强大大，效率低，且存在器件压装受力不均的问题。另一种方法是通过自动升降夹具，将器件放置于夹具内，再引出电极进行测试。该方法中并未进行低电感设计，因此测试电路中杂散电感大；并且每测量都需要重复拆卸电容与被测组件电极间的连接导线，工作量大，操作复杂。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种IGBT器件动态测试用夹具及方法，用于降低测试电路中杂散电感。
[0006]根据本专利技术的第一个方面，本专利技术提供一种IGBT器件动态测试用夹具，包括：
[0007]第一夹具，其用于夹持第一IGBT器件；
[0008]第二夹具，其用于夹持第二IGBT器件；以及
[0009]支撑架，所述第一夹具和所述第二夹具分别设置在所述支撑架的两侧，且所述支撑架设置在所述第一IGBT器件和所述第二IGBT器件之间；
[0010]其中，所述第一夹具位于所述第一IGBT器件两侧的部分关于所述第一IGBT器件对称，所述第一夹具上与所述第一IGBT器件相接触的部分构造为层叠结构；和/或
[0011]所述第二夹具位于所述第二IGBT器件两侧的部分关于所述第二IGBT器件对称，所述第二夹具上与所述第二IGBT器件相接触的部分构造为层叠结构。
[0012]在一个实施方式中，所述第一夹具包括第一导电母排，所述第二夹具包括第二导电母排，所述第一导电母排构造为U形结构，所述第二导电母排构造为倒U形结构，所述第二导电母排和所述第一导电母排依次在竖直方向上层叠地设置。
[0013]在一个实施方式中，所述第一导电母排的底部和/或所述第二导电母排的顶部构造为层叠结构，所述层叠结构包括依次层叠设置的第一导电层、绝缘层和第二导电层，所述层叠结构上分别设置有负极连接端子和正极连接端子。
[0014]在一个实施方式中，述第一IGBT器件的发射极与集电极分别与所述第一导电母排及所述支撑架的一侧相接触，所述第二IGBT器件的发射极与集电极分别与所述支撑架的另一侧以及所述第二导电母排相接触，以使所述第一IGBT器件与所述第二IGBT器件串联。
[0015]在一个实施方式中，所述第一夹具还包括设置在所述第一导电母排的底部内侧的第一导电块，所述第一导电块用于与所述第一IGBT器件的发射极接触；和/或
[0016]所述第二夹具还包括设置在所述第二导电母排的顶部内侧的第二导电块，所述第二导电块用于与所述第二IGBT器件的集电极接触；
[0017]其中，所述第一导电块或所述第二导电块与所述正极连接端子相连。
[0018]在一个实施方式中，所述支撑架包括支撑板以及设置在所述支撑板上的导电凸块，所述导电凸块的两端分别在所述支撑板的两侧凸出设置，所述导电凸块的第一端朝向所述第一夹具的一侧且用于与所述第一IGBT器件的集电极接触，所述导电凸块的第二端朝向所述第二夹具的一侧且用于与所述第二IGBT器件的发射极接触。
[0019]在一个实施方式中，所述支撑板上设置有过孔，所述导电凸块贯穿所述过孔；所述过孔的内壁及两端均设置有绝缘层。
[0020]在一个实施方式中，所述第一夹具还包括设置在所述第一导电母排的底部外侧的第一绝缘板，所述第一绝缘板上设置有所述绝缘件，所述绝缘件将所述第一导电母排与所述第一绝缘板固定；和/或
[0021]所述第二夹具还包括设置在所述第二导电母排的底部外侧的第二绝缘板，所述第二绝缘板上设置有所述绝缘件，所述绝缘件将所述第二导电母排与所述第二绝缘板固定。
[0022]在一个实施方式中，在测试状态，所述第一夹具和所述第二夹具之间能够产生相对运动以改变二者之间的距离，使所述第一IGBT器件的集电极与所述导电凸块的第一端接触，所述第二IGBT器件的集电极与所述第二导电块接触，并使所述第一导电母排的端部穿过所述支撑架后与所述第二导电母排的端部相接触；和/或所述第二导电母排的端部穿过所述支撑架后与所述第一导电母排的端部相接触，以形成电流回路。
[0023]在一个实施方式中，所述支撑架上还设置有压机，所述压机用于在测试状态使所述第一导电母排的端部与所述第二导电母排的端部压合接触。
[0024]在一个实施方式中，所述支撑架上设置有用于使所述第一导电母排的端部或所述第二导电母排的端部穿过的通孔，所述通孔的端部设置有绝缘板。
[0025]根据本专利技术的第二个方面，本专利技术提供一种采用上述的IGBT器件动态测试用夹具进行测试的方法，包括以下子步骤：
[0026]S11：将所述第一IGBT器件放置在所述第一夹具中；
[0027]S12：将所述第二IGBT器件放置在所述导电支支撑板上；
[0028]S13：使所述第一夹具和所述支撑架向靠近所述第二夹具的方向移动，使所述支撑架的其中一侧与所述第一IGBT器件相接触，所述第二夹具与所述第二IGBT器件相接触，且所述第一夹具的端部和所述第二夹具的端部相接触；或者
[0029]使所述第二夹具和所述支撑架向靠近所述第一夹具的方向移动，使所述第二夹具
先与所述第二IGBT器件相接触，并且所述支撑架的其中一侧后与所述第一IGBT器件相接触，且所述第一夹具的端部和所述第二夹具的端部相接触。
[0030]与现有技术相比，本专利技术的优点在于：通过将第一夹具和第二夹具分别设置为关于第一IGBT器件和第二IGBT器件对称且具有层叠结构，则电流路径为镜像对称，从而利用电磁耦合原理降低测试电路中杂散电感，有助于提升器件动态参数测试的可靠性。
附图说明
[0031]在下文中将基于实施例并参考附图来对本专利技术进行更详细的描述。
[0032]图1是本专利技术的实施例中IGBT器件动态测试用夹具在非测试状态的结构示意图；
[0033]图2是本专利技术的实施例中IGBT器件动态测试用夹具在测本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT器件动态测试用夹具，其特征在于，包括：第一夹具，其用于夹持第一IGBT器件；第二夹具，其用于夹持第二IGBT器件；以及支撑架，所述第一夹具和所述第二夹具分别设置在所述支撑架的两侧，且所述支撑架设置在所述第一IGBT器件和所述第二IGBT器件之间；其中，所述第一夹具位于所述第一IGBT器件两侧的部分关于所述第一IGBT器件对称，所述第一夹具上与所述第一IGBT器件相接触的部分构造为层叠结构；和/或所述第二夹具位于所述第二IGBT器件两侧的部分关于所述第二IGBT器件对称，所述第二夹具上与所述第二IGBT器件相接触的部分构造为层叠结构。2.根据权利要求1所述的IGBT器件动态测试用夹具，其特征在于，所述第一夹具包括第一导电母排，所述第二夹具包括第二导电母排，所述第一导电母排构造为U形结构，所述第二导电母排构造为倒U形结构，所述第二导电母排和所述第一导电母排依次在竖直方向上层叠地设置。3.根据权利要求2所述的IGBT器件动态测试用夹具，其特征在于，所述第一导电母排的底部和/或所述第二导电母排的顶部构造为层叠结构，所述层叠结构包括依次层叠设置的第一导电层、绝缘层和第二导电层，所述层叠结构上分别设置有负极连接端子和正极连接端子。4.根据权利要求2或3所述的IGBT器件动态测试用夹具，其特征在于，所述第一IGBT器件的发射极与集电极分别与所述第一导电母排及所述支撑架的一侧相接触，所述第二IGBT器件的发射极与集电极分别与所述支撑架的另一侧以及所述第二导电母排相接触，以使所述第一IGBT器件与所述第二IGBT器件串联。5.根据权利要求4所述的IGBT器件动态测试用夹具，其特征在于，所述第一夹具还包括设置在所述第一导电母排的底部内侧的第一导电块，所述第一导电块用于与所述第一IGBT器件的发射极接触；和/或所述第二夹具还包括设置在所述第二导电母排的顶部内侧的第二导电块，所述第二导电块用于与所述第二IGBT器件的集电极接触；其中，所述第一导电块或所述第二导电块与所述正极连接端子相连。6.根据权利要求5所述的IGBT器件动态测试用夹具，其特征在于，所述支撑架包括支撑板以及设置在所述支撑板上的导电凸块，所述导电凸块的两端分别在所述支撑板的两侧凸出设置，所述导电凸块的第一端朝向所述第一夹具的一侧且用于与所述第一IGBT器件的集电极接触，所述导电凸块的第二端朝向所述第二夹具的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王真，万超群，李贵生，陈彦，宋自珍，陈喻，李义，翟龙，朱婷，
申请(专利权)人：株洲中车时代半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：