用于读取全摆幅存储器阵列的方法及设备技术

本发明专利技术揭示用于在读取全摆幅存储器阵列时降低功率的技术。所述全摆幅存储器阵列包含多个局部位线及一全局位线。为降低功率消耗，一种驱动所述全局位线的方法包括经由多个三态装置将所述多个局部位线耦合至所述全局位线的步骤。所述方法进一步包括下列步骤：产生全局选择信号以启用所述多个三态装置中的一者；及选择对应的局部位线以驱动所述所启用三态装置的输出。以此方式，可静态地驱动所述全局位线，使得连续读取通过所述全局位线读取的具有相同值的位不会导致转变所述全局位线的状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摆幅存储器阵列的方法及设备
大体来说，本专利技术涉及与读取全摆幅存储器阵列有关的改进，且确切来说，涉及 用于静态地驱动全摆幅存储器阵列中的全局位线的有利技术。
技术介绍
全摆幅存储器阵列在读取存储于存储器单元中的位时利用一种动态的预充电及 放电技术。所述常规技术通常被划分为两个阶层以最小化全摆幅存储器阵列中位线上 所携带的扩散电容。全摆幅存储器阵列的第一阶层包括存储装置单元、传送晶体管及 局部位线。存储装置单元存储二进制值。所述传送晶体管由读取字线来驱动以基于存 储器单元的内容来使局部位线放电。所述局部位线通常由多个读取字线共用。将所述局部位线预充电至高值以便能够识别存储器读取上的转变。所述局部位线为所述第二 阶层提供输入。全摆幅存储器阵列的第二阶层通常包括若干个反向器及下拉晶体管对，其中每一 对皆由一个局部位线来提供输入。所述下拉晶体管连接至动态预充电全局位线。此存 储器阵列被称作全摆幅存储器阵列，这是因为需要将所述本地及全局位线拉至接地以识别存储于存储器单元中的o值。当从存储器单元读取连续的o值时，常规全摆幅存储器阵列需要对本地及全局位线进行预充电及放电。所述本地及全局位线的预充本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种驱动全摆幅存储器阵列的全局位线的方法，所述方法包括：　　　　经由多个三态装置将多个局部位线耦合至全局位线；　　　　产生全局选择信号以启用所述多个三态装置中的一者；及　　　　选择对应的局部位线以驱动所述经启用的三态装置的输出，借此连续读取通过所述全局位线读取的具有相同值的位不会导致转变所述全局位线的状态。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-6-14 11/152,9821、一种驱动全摆幅存储器阵列的全局位线的方法，所述方法包括经由多个三态装置将多个局部位线耦合至全局位线；产生全局选择信号以启用所述多个三态装置中的一者；及选择对应的局部位线以驱动所述经启用的三态装置的输出，借此连续读取通过所述全局位线读取的具有相同值的位不会导致转变所述全局位线的状态。2、 如权利要求l所述的方法，其中所述全局位线的输出耦合至保持单元。3、 如权利要求l所述的方法，其中所述产生步骤进一步包括 布置多个晶体管以端接在共用节点处； 在所述多个晶体管中的一者处接收读取信号；及响应于接收到所述读取信号而转变所述共用节点以启用所述多个三态装置中的 一者。4、 如权利要求1所述的方法，其中所述产生步骤进一步包括 利用来自经编码存储器地址的位来产生所述全局选择信号。5、 如权利要求所述的方法，其中所述选择的三态装置是三态NAND门。6、 如权利要求1所述的方法，其中所述选择的三态装置是三态反相器。7、 如权利要求1所述的方法，其中所述多个三态装置中的一三态装置包含一包 括两个晶体管的输出晶体管堆叠。8、 一种在存储器中通过全局位线读取具有相同值的连续位时降低读取功率的方 法，所述方法包括产生全局选择信号以将所述全局位线转变至第一电平； 从存储器读取第一位，所述第一位具有一值；从存储器读取第二位，所述第二位具有与所述第一位相同的值；及 在所述第二位的所述读取期间，将所述全局位线维持在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：耶什万特N科拉，格雷戈里克里斯托弗布尔达，杰弗里赫伯特费希尔，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]