磁光记录介质以及记录/再现设备制造技术

本发明专利技术提供了包括按顺序层叠的记录层、中间层和再现层的磁光记录介质。记录层中记录的信息通过中间层转移到再现层，以便再现信息。再现层包括上再现层、耦合层和下再现层，它们在中间层上按此顺序形成。上再现层中的其温度被提高到预先确定的温度的区域中的磁性信息通过耦合层被转移到下再现层。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及磁光记录介质，具体来说，涉及一种磁光记录介质，能够通过磁性感应的超级分辨率，向在其中施加了磁场和光束的部分记录和再现信息。
技术介绍
作为一种高密度记录介质，已知一种通过与激光照射的同时施加外部磁场来进行信息记录和再现的磁光记录介质(以下简称为“磁光盘”)。近年来，不断需要进一步地提高磁光盘的记录容量。为增大光盘的记录容量，光盘的圆周方向的记录位和位间距的大小需要进一步降低。一般而言，记录位的大小是由发出的激光光点的直径确定的。然而，有人已经提出磁性感应超级分辨率(MSR)再现方法，该方法允许再现具有小于光点直径的间距的位(日本未经审查的专利出版物No.2000-200448)。可以通过MSR再现方法再现的磁光记录介质具有三层结构记录部分，包括再现层、中间层和记录层。MSR再现方法也被称为双屏蔽RAD(后孔检测)再现方法，因为它使用激光光点中的低温区和高温区作为磁性屏蔽区域，并在中间温度区内将记录层中记录的位转移到再现层区域，以读出位。下面将描述MSR再现方法的原理。在图16中，显示了说明常规的磁光盘的结构的剖面图。在记录层105中，记录了大小小于激光光点直径的位。首先，就在发出再现激光紧前面，使用初始化磁铁向光盘施加初始化磁场，以便再现层103和中间层104的磁化方向与初始化磁场的方向相同。当用再现激光在再现位时照射光盘的低温区时，磁化再现层103会覆盖记录层105中记录的位以构成所谓的前面屏蔽。在其温度超过中间层104的居里温度的光盘的光束光点内的高温区域，在记录层105和再现层103之间施加的交换耦合被中断，高温区域中的再现层103的磁化方向与从外部施加的再现磁场的方向相同。因此，在高温区域，再现层103充当屏蔽(后屏蔽)以覆盖位。在充当用光束照射的光盘的部分的屏蔽的高温区和低温区之间的区域(中间温度区域)，记录层105中记录的位通过中间层104被转移到再现层103。被转移的位用再现激光照射，再现激光的反射光由光检测器接收。然后，检测克尔旋转角以便再现记录层中记录的记录位。利用这样的常规MSR再现方法，可以从其大小小于光束的光点直径的中间温度区域再现位，从而取得比较高的高分辨率。在常规的MSR再现方法中，通常使用波长大约为600到700nm的激光。如果可以使用其波长较短的激光束，则可以被衍射的最小光点直径就会变小，从而可以降低记录位的大小。相应地，可以增大MSR再现类型的磁光盘的记录容量。然而，当用具有350nm到450nm范围内的短波长的光束照射时，采用GdFeCo薄膜作为MSR再现类型的磁光盘的再现层103只能给出比较小的克尔旋转角。因此，无法取得用于再现的足够的磁光效果。此外，通过利用短波激光，会产生这样的问题光检测器灵敏度降低，从而再现信号(载波电平)会变弱。
技术实现思路
本专利技术提供了一种磁光记录介质，其中，这样设计MSR再现类型的记录介质的再现层的薄膜结构，以便当使用短波激光时，克尔旋转角增大，CNR(载波噪声比)改进，从而使记录介质的存储容量增大。本专利技术的磁光记录介质包括记录层、中间层和再现层，并按此顺序层叠，记录层中记录的信息通过中间层转移到再现层，以便再现信息，其特征在于，再现层包括上再现层、耦合层、以及下再现层，它们在中间层上按此顺序形成，上再现层中的其温度被提高到预先确定的温度的区域中的磁性信息通过耦合层被转移到下再现层。利用此结构，可以改进再现记录的信息时的CNR，并可以提高记录密度。下再现层、上再现层和耦合层可以分别包括过渡金属磁化占优势的磁膜、稀土元素磁化占优势的磁膜和反铁磁性材料。耦合层可以具有高于上再现层的温度的尼耳温度，所述的上再现层的温度在转移信息时被提高到预先确定的温度。耦合层可以用从包括MnFe、CuO、NiO、CoNiO、CrMn和AuCr的组中选择的材料制成。下再现层可以由过渡金属磁化占优势的GdFeCo薄膜或Pt薄膜和Co薄膜交替地层叠构成的多层薄膜制成。此外，本专利技术还提供了用于在磁光记录介质中记录信息/从所述的磁光记录介质中再现信息的记录/再现设备，包括用于发出350nm到450nm范围内的短波长的激光的光源；用于在以预先确定的速度旋转的磁光记录介质的预先确定的部分聚集发出的光的光聚集部分；用于向磁光记录介质的预先确定的部分施加再现磁场的磁场施加部分；以及用于检测从磁光记录介质反射的光的克尔旋转角的光检测器。附图说明图1是说明根据本专利技术的第一个实施例的磁光记录介质的结构的剖面图；图2是显示根据本专利技术的第一个实施例的磁光记录介质的典型的材料、膜厚度和磁层的居里温度；图3是根据本专利技术的实施例的介质和常规介质的磁特性的比较视图；图4是说明根据本专利技术的第二个实施例的磁光记录介质的结构的剖面图；图5是说明根据本专利技术的第二个实施例的下再现层23的结构的剖面图；图6是说明根据本专利技术的第三个实施例的磁光记录介质的结构的剖面图；图7是根据本专利技术的磁光记录介质的记录/再现设备的结构的方框图；图8是显示各种介质的标记长度和CNR(载波噪声比)之间的关系的图形；图9是显示根据本专利技术的第一个实施例的介质的耦合层的膜厚度和CNR之间的关系的图形；图10是显示根据本专利技术的第二个实施例的介质的Pt/Co多层薄膜和CNR之间的关系的图形；图11是根据本专利技术的第一个实施例的介质在再现时的磁性状态的说明性视图；图12是根据本专利技术的第二个实施例的介质在再现时的磁性状态的说明性视图；图13是说明本专利技术的磁光记录介质的CAD(中心缝隙检测)的结构的剖面图；图14是说明本专利技术的磁光记录介质的DWDD(畴壁位移检测)的结构的剖面图；图15是说明本专利技术的磁光记录介质的MAMMOS(磁性放大磁光系统)的结构的剖面图；图16是说明常规磁光记录介质的结构的剖面图。具体实施例方式下面将通过附图中所显示的其实施例对本专利技术进行详细描述。应该理解，本专利技术不仅限于这些实施例。根据本专利技术的磁光记录介质包括记录层、中间层和再现层，并按此顺序层叠。记录层中记录了信息，信息通过中间层转移到再现层，以便再现信息。本专利技术的再现层包括上再现层、耦合层和下再现层，它们在中间层上按此顺序形成。上再现层中的其温度被提高到预先确定的温度的区域中的磁性信息通过耦合层被转移到下再现层。在本专利技术中，耦合层控制在下再现层和上再现层之间施加的交换耦合，并可以由反铁磁性材料制成。由于存在耦合层，上再现层中的其温度被提高到预先确定的温度或更高的的区域中的磁性信息被有效地转移到下再现层。考虑到改进CNR，优选情况下，下再现层可以用其中过渡金属磁化比稀土金属磁化占优势的磁膜制成，另一方面，优选情况下，上再现层可以用其中稀土金属磁化比过渡金属磁化占优势的磁膜制成。图7显示了说明用于在本专利技术的磁光记录介质上记录信息/从中再现信息的磁光记录/再现设备60的结构的图表。记录/再现设备60具有主轴马达61，用于以预先确定的速度旋转本专利技术的记录介质62。用从激光二极管63发出的具有350nm到450nm范围内的短波长的激光照射介质。激光在准直透镜64处被转换为准直光，并穿过半反射镜65。然后，由物镜66聚集准直光，并对其进行控制，以便聚焦在记录薄膜上。由激光驱动装置67中提供的脉冲调制装置对激光二极管63进行调整，以便输出高级别的和低级别的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁光记录介质，包括记录层、中间层和再现层，并按此顺序层叠，记录层中记录的信息通过中间层转移到再现层，以便再现信息，其中，再现层包括上再现层、耦合层和下再现层，它们在中间层上按此顺序形成，以及上再现层中的其温度被提 高到预先确定的温度的区域中的磁性信息通过耦合层被转移到下再现层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种磁光记录介质，包括记录层、中间层和再现层，并按此顺序层叠，记录层中记录的信息通过中间层转移到再现层，以便再现信息，其中，再现层包括上再现层、耦合层和下再现层，它们在中间层上按此顺序形成，以及上再现层中的其温度被提高到预先确定的温度的区域中的磁性信息通过耦合层被转移到下再现层。2.根据权利要求1所述的磁光记录介质，其特征在于，下再现层、上再现层和耦合层分别由过渡金属磁化占优势的磁膜、稀土元素磁化占优势的磁膜和反铁磁性材料制成，并且耦合层具有高于上再现层的温度的尼耳温度，所述的上再现层的温度在转移信息时被提高到预先确定的温度。3.根据权利要求1所述的磁光记录介质，其特征在于，上再现层由稀土元素磁化占优势的GdFeCo薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：栗田亮，玉野井健，伊藤祥游，三原基伸，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]