【技术实现步骤摘要】
一种制备纳米钼粉的高频感应等离子体装置
[0001]本专利技术属于等离子体制备纳米材料设备
,具体涉及一种制备纳米钼粉的高频感应等离子体装置。
技术介绍
[0002]高频感应等离子体因其温度高、能量密度大且形貌可控等优点己成为球化难熔金属粉的有效的方法之一。该方法获得的超细难熔金属粉的球化率高达100%,且可以通过改变进料速率与载气速率、等离子体压力等条件控制球化率与粒径大小。
[0003]从钼精矿到钼粉生产的传统制备方法其工艺已很成熟,但整个过程工艺流程较长、需要的设备较多,在生产中会产生大量的废水、废气、废渣等,对环境和人体健康都有不利的影响。而且传统方法制备的钼粉因还原温度高、还原时间长,制备出的钼粉多为微米级,形貌一般不规则,会有不同程度的团聚现象,因此限制了其应用。
[0004]不同金属的物理和化学性质有所相同,目前的等离子体技术处理纳米球形钼粉不多,并且普遍存在以下问题:(1)等离子体的运行功率太大,甚至高达100千瓦,能效太低,过度消耗能源;(2)没有完整解决均匀加入钼粉原料的方法,不均匀加入钼粉原料会导致生产的钼粉直径偏大而不能达到要求,有些装置使用加料枪加原料,这样可以更便捷加原料,但是并不能优化均匀加原料的问题;(3)等离子体射流的速度很高,装置中刚生成的纳米钼粉运动速度很快,温度很高,因此需要大空间收集纳米钼粉,但大空间不能便捷快速的卸出纳米钼粉,不能很好的兼顾大空间收集和便捷快速卸出钼粉。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的是提供一种制备纳米钼粉的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制备纳米钼粉的高频感应等离子体装置,其特征在于,包括有依次连接的进料器(3)、反应器(2)、收集器(1)、冷却器(7)及压缩机(8);进料器(3)下方设置有收集器底座(6),还包括有高频电源(5)及进料器支架(4),进料器支架(4)用于固定进料器(3)及高频电源(5);高频电源(5)与反应器(2)通过导线连接。2.根据权利要求1所述的一种制备纳米钼粉的高频感应等离子体装置,其特征在于,所述进料器(3)包括有由上至下依次连通的均匀加料斗(3
‑
1)、漏斗(3
‑
3)及输送管(3
‑
4);均匀加料斗(3
‑
1)包括有加料腔(3
‑1‑
1)及梯形导料槽(3
‑1‑
2),加料腔(3
‑1‑
1)内通过三个隔板分隔出四个独立的加料槽(3
‑1‑
3),每个加料槽(3
‑1‑
3)所对应的加料腔(3
‑1‑
1)侧壁上设有一个下料口;还包括有开关挡片支撑板(3
‑
9),开关挡片支撑板(3
‑
9)上设置有四组滑槽(3
‑9‑
1),每个滑槽(3
‑9‑
1)内安装有一个开关挡片(3
‑
2);开关挡片支撑板(3
‑
9)与四个下料口之间还设置有挡板(3
‑
7),挡板(3
‑
7)底端还设置有4个缺口(3
‑7‑
1),一个缺口(3
‑7‑
1)与一个下料口及一个开关挡片(3
‑
2)均对应设置;加料槽(3
‑1‑
3)的底板上还设置有四个导流槽(3
‑1‑
4),一个导流槽(3
‑1‑
4)与一个缺口(3
‑7‑
1)相对应;加料槽(3
‑1‑
3)下端伸进漏斗(3
‑
3)内部,未直接接触;输送管(3
‑
4)的管壁上还连接有进气管(3
‑
8);进气管(3
‑
8)用于通氢气;均匀加料斗(3
‑
1)一侧壁安装有第一螺栓安装座;开关挡片支撑板(3
‑
9)一端端部与均匀加料斗(3
‑
1)固接,另一端设置有第二螺栓安装座;挡板(3
‑
7)一端设置有第三安装座;调整螺丝(3
‑
5)依次穿过第二螺栓安装座、第三安装座及第一螺栓安装座将开关挡片支撑板(3
‑
9)及挡板(3
‑
7)与均匀加料斗(3
‑
1)连接在一起;输送管(3
‑
4)与反应器(2)连通。3.根据权利要求2所述的一种制备纳米钼粉的高频感应等离子体装置,其特征在于,所述均匀加料斗(3
‑
1)的壳体上设置有震动马达(3
‑
6)。4.根据权利要求2所述的一种制备纳米钼粉的高频感应等离子体装置,其特征在于,所述反应器(2)包括有由上至下依次设置的反应器上端盖(2
‑
1)、石英管单元、铜制密封轴(2
‑
7)及反应器下端盖(2
‑
8),反应器上端盖(2
‑
1)套设在石英管单元上端端部,铜制密封轴套(2
‑
7)套设在石英管单元下端端部,反应器下端盖(2
‑
8)套设在铜制密封轴套(2
‑
7)外壁上;反应器上端盖(2
‑
1)及反应器下端盖(2
‑
8)具开有通孔用于物料从进料器(3)流通至收集器(1)中;反应器上端盖(2
‑
1)与输送管(3
‑
4)连接;反应器下端盖(2
‑
8)与收集器(1)连通;石英管单元包括有由内向外依次同轴套设的内石英管(2
‑
2)、中石英管(2
‑
3)、外石英管(2
‑
4)及水冷石英管(2
‑
5);内石英管(2
‑
2)、中石英管(2
‑
...
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