【技术实现步骤摘要】
半导体发光器件及其制造方法
[0001]本专利技术涉及半导体
，具体地，涉及一种半导体发光器件及其制造方法。
技术介绍
[0002]半导体发光器件是一类采用半导体材料制作的光器件，包括半导体激光器、半导体超辐射发光二极管、以及半导体增益芯片等。其中，半导体超辐射发光二极管(Super Luminance Diode，SLD，简称超辐射发光二极管)作为一种自发辐射的单程光放大器件，光学性能介于激光器和发光二极管之间。由于半导体超辐射发光二极管具有宽光谱、短相干长度等特点，被广泛用于光纤陀螺、光时域反射仪及中短距离光纤通信等领域。半导体激光器(Laser Diode，LD，简称激光器)是以半导体材料作工作物质而产生受激发射作用的器件。由于其体积小、重量轻、可靠性高、使用寿命长、功耗低、可直接调制以及相干性高等优点，被广泛应用于航空航天、材料加工、生物化学、光纤通信、激光打印、光盘存储、光传感、医疗、军事等领域。
[0003]电光转化效率是这类半导体发光器件的一个重要参数，电光转化效率是指单位时间内注入的电功率转化为...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：下包层；位于所述下包层上的有源层；位于所述有源层上的上包层；以及，位于所述上包层上的欧姆接触层；其中，所述欧姆接触层至少覆盖所述上包层表面中的第一区域，且未覆盖全部的所述上包层表面；所述第一区域为电流注入窗口在所述上包层表面的投影所在的区域。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述半导体发光器件还包括绝缘层，所述绝缘层覆盖所述上包层表面中除第一区域以外的其它区域。3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述半导体发光器件还包括位于所述下包层和所述有源层之间的下限制层和位于所述有源层和所述上包层之间的上限制层。4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述上包层具有脊形台面以及位于所述脊形台面两侧的侧台面；其中，所述脊形台面与所述侧台面之间形成有沟槽。5.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其特征在于，所述第一区域为脊形台面的顶面，所述欧姆接触层覆盖所述脊形台面的顶面，且未覆盖所述侧台面的顶面。6.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其特征在于，所述半导体发光器件还包括绝缘层，所述绝缘层覆盖所述侧台面的顶面、所述沟槽的侧壁及所述沟槽的底部。7.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其特征在于，所述脊形台面的顶部尺寸大于所述脊形台面的底部尺寸。8.根据权利要求1至7任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，所述半导体发光器件包括半导体激光器或者半导体超辐射发光二极管。9....
【专利技术属性】
技术研发人员：单静春，李中坤，王定理，黄晓东，汤宝，
申请(专利权)人：武汉光迅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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