【技术实现步骤摘要】
空气腔型薄膜体声波谐振器滤波器及滤波器组件
[0001]本专利技术属于滤波器
，更具体地说，是涉及一种空气腔型薄膜体声波谐振器滤波器及滤波器组件。
技术介绍
[0002]近年来，随着5G无线通信技术的不断发展，通过利用更高频段以及频段重组来实现移动通信，这对相关射频元器件的微型化、高频带宽化、集成化及柔性化提出了越来越高的要求。
[0003]薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，FBAR)滤波器凭借其尺寸小、谐振频率高、品质因数高、功率容量大、滚降效应好等优良特性，正逐步取代传统的声表面波滤波器和陶瓷滤波器，在射频滤波器领域占有越来越大的市场份额，在5G无线通信射频领域发挥着巨大作用。
[0004]然而目前对薄膜体声波谐振器滤波器的研究大多集中在制备方法上，对薄膜体声波谐振器滤波器的具体结构的研究较少。
技术实现思路
[0005]本专利技术实施例提供一种空气腔型薄膜体声波谐振器滤波器及滤波器组件，旨在提供一种薄膜体声波谐振器滤波器的新型结构。>[0006]第一方本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种空气腔型薄膜体声波谐振器滤波器，其特征在于，包括输入端子、输出端子、多个串联的薄膜体声波谐振器和多个并联的薄膜体声波谐振器，所述空气腔型薄膜体声波谐振器滤波器设置为对称结构；所述多个串联的薄膜体声波谐振器包括第一薄膜体声波谐振器、第二薄膜体声波谐振器、第三薄膜体声波谐振器、第四薄膜体声波谐振器、第五薄膜体声波谐振器和第六薄膜体声波谐振器，串联连接在所述输入端子和所述输出端子之间；所述多个并联的薄膜体声波谐振器包括第七薄膜体声波谐振器、第八薄膜体声波谐振器、第九薄膜体声波谐振器和第十薄膜体声波谐振器，所述第七薄膜体声波谐振器的一端连接在所述第一薄膜体声波谐振器和所述第二薄膜体声波谐振器之间的节点上，所述第八薄膜体声波谐振器的一端连接在所述第三薄膜体声波谐振器和所述第四薄膜体声波谐振器之间的节点上，所述第九薄膜体声波谐振器的一端与所述第八薄膜体声波谐振器的另一端连接，所述第十薄膜体声波谐振器的一端连接在所述第五薄膜体声波谐振器和所述第六薄膜体声波谐振器之间的节点上；所述第七薄膜体声波谐振器、所述第九薄膜体声波谐振器和所述第十薄膜体声波谐振器的另一端分别连接接地端子。2.如权利要求1所述的空气腔型薄膜体声波谐振器滤波器，其特征在于，所述多个串联的薄膜体声波谐振器的串联谐振频率和并联谐振频率相同；所述多个并联的薄膜体声波谐振器的串联谐振频率和并联谐振频率相同。3.如权利要求1或2所述的空气腔型薄膜体声波谐振器滤波器，其特征在于，所述多个串联的薄膜体声波谐振器的串联谐振频率和所述多个并联的薄膜体声波谐振器的并联谐振频率相同。4.如权利要求1所述的空气腔型薄膜体声波谐振器滤波器，其特征在于，所述第一薄膜体声波谐振器的面积为5950μm2‑
6050μm2，所述第二薄膜体声波谐振器和所述第三薄膜体声波谐振器的面积均为3450μm2‑
3550μm2，所述第四薄膜体声波谐振器、所述第五薄膜体声波谐振器和所述第十薄膜体声波谐振器的面积均为3350μm2‑
3450μm2，所述第六薄膜体声波谐振器的面积为5250μm2‑
5350μm2，所述第七薄膜体声波谐振器的面积为8350μm2‑
8450μm2，所述第八薄膜体声波谐振器和所述第九薄膜体声波谐振器的面积为3750μm2‑
3850μm2。5.如权利要求1所述的空气腔型薄膜体声波谐振器滤波器，其特征在于，所述空气腔型薄膜体声波谐振器滤波器的版图包括牺牲层、下电极层、上电极层、差频层和孔层，所述差频层与所述多个并联的薄膜体声波谐振器对应，所述多个串联的薄膜体声波谐振器不具有所述差频层；所述孔层中开设有多个释放孔，每个薄膜体声波谐振器均设有多个释放通道，每个所述释放通道至少对应一个释放孔。6.如权利要求5所述的空气腔型薄膜体声波谐振器滤波器，其特征在于，所述上电极层的厚度为所述下电极层的厚度为所述差频层的厚度为所述释放孔的直径为15μm
‑
25μm，所述空气腔型薄膜体声波谐振器滤波器还包括压电层，所述压电层的厚度为7.如权利要求1所述的空气腔型薄膜体声波谐振器滤波器，其特征在于，所述多个并联的薄膜体声波谐振器还包括第十一薄膜体声波谐振器，所述第十一薄膜体...
【专利技术属性】
技术研发人员：张仕强，李丽，李宏军，王胜福，李增路，潘海波，王磊，于江涛，杨亮，李亮，梁东升，李明武，韩易，王静，张根壮，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：
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