一种耐辐照中子探测装置用慢化屏蔽结构制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种耐辐照中子探测装置用慢化屏蔽结构，包括外壳，外壳的开口处设置有屏蔽盖板，外壳与屏蔽盖板形成密封腔，密封腔内设置有用于安装中子探测器的输送套管，输送套管的外侧设置有第一慢化层，第一慢化层的外侧设置有反射层，反射层与外壳之间设置有第二慢化层。本实用新型专利技术结构简单，设计合理，实现方便，能够有效应用在耐辐照中子探测装置中，实现对高辐照环境的慢化屏蔽，使用效果好，便于推广使用。便于推广使用。便于推广使用。

【技术实现步骤摘要】
一种耐辐照中子探测装置用慢化屏蔽结构


[0001]本技术属于核辐射测量
，具体涉及一种耐辐照中子探测装置用慢化屏蔽结构。

技术介绍

[0002]从反应堆中卸出的乏燃料含有未燃烧的易裂变元素，如U
‑
235和新生成的易裂变元素，如Pu
‑
239、U
‑
233等，在乏燃料后处理过程中，这些易裂变元素堆积有可能发生临界安全事故。因此，为保护环境、确保人员安全、防止发生核临界安全风险，对乏燃料后处理场所中的中子进行监测，是十分必要的。
[0003]在乏燃料后处理工艺罐体处，γ剂量率水平最高可达192Gy/h，同时，在放射性元素衰变时会释放出大量衰变热，中子探测环境条件严酷，目前，为了防止辐射范围的扩大，通常将乏燃料后处理工艺罐体密封在由屏蔽墙体构成的屏蔽室内，并在工艺罐体上预先布置慢化屏蔽体，通过慢化屏蔽体将散射中子和γ本底屏蔽至探测器可接受的范围内。

技术实现思路

[0004]本技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种耐辐照中子探测装置用慢化屏蔽结构，其结构简单，设计合理，实现方便，能够有效应用在耐辐照中子探测装置中，实现对高辐照环境的慢化屏蔽，使用效果好，便于推广使用。
[0005]为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：一种耐辐照中子探测装置用慢化屏蔽结构，包括外壳，所述外壳的开口处设置有屏蔽盖板，所述外壳与屏蔽盖板形成密封腔，所述密封腔内设置有用于安装中子探测器的输送套管，所述输送套管的外侧设置有第一慢化层，所述第一慢化层的外侧设置有反射层，所述反射层与外壳之间设置有第二慢化层。
[0006]上述的一种耐辐照中子探测装置用慢化屏蔽结构，所述外壳包括外层钢板和内层钢板，所述外层钢板与内层钢板之间设置有铅屏蔽层。
[0007]上述的一种耐辐照中子探测装置用慢化屏蔽结构，所述第一慢化层采用聚乙烯材质。
[0008]上述的一种耐辐照中子探测装置用慢化屏蔽结构，所述反射层包括多层金属材质。
[0009]上述的一种耐辐照中子探测装置用慢化屏蔽结构，所述多层金属材质包括由内向外分层设置的第一铍铜层、铍层、镉层和第二铍铜层。
[0010]上述的一种耐辐照中子探测装置用慢化屏蔽结构，所述第一铍铜层为1mm厚度的铍铜板，所述铍层为1mm厚度的铍板，所述镉层为2mm厚度的镉板，所述第二铍铜层为1mm厚度的铍铜板。
[0011]上述的一种耐辐照中子探测装置用慢化屏蔽结构，所述第二慢化层采用含硼聚乙烯。
[0012]上述的一种耐辐照中子探测装置用慢化屏蔽结构，所述含硼聚乙烯的含硼质量分数为10％。
[0013]本技术与现有技术相比具有以下优点：
[0014]1、本技术的结构简单，设计合理，实现方便。
[0015]2、本技术的外壳由外层钢板和内层钢板组成，并在内部灌铅，形成铅屏蔽层，能够有效屏蔽外部γ射线，抑制外部γ射线对中子探测器的影响。
[0016]3、本技术设计高密度聚乙烯材质的第一慢化层，能够将快中子慢化为热中子，通过反射层反射后汇集到中子探测器，由中子探测器实现对中子的计数测量。
[0017]4、本技术设计多层金属材质的反射层，能够反射外侧面中子射线，收集探测面中子射线，能够有效提高探测面中子计数的探测效率。
[0018]5、本技术设计含硼聚乙烯的第二慢化层，能够有效屏蔽外侧面中子射线，抑制外侧面中子射线对中子探测器的影响。
[0019]6、本技术能够有效应用在耐辐照中子探测装置中，实现对高辐照环境的慢化屏蔽，使用效果好，便于推广使用。
[0020]综上所述，本技术的结构简单，设计合理，实现方便，能够有效应用在耐辐照中子探测装置中，实现对高辐照环境的慢化屏蔽，使用效果好，便于推广使用。
[0021]下面通过附图和实施例，对本技术的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
[0022]图1为本技术的结构示意图；
[0023]图2为本技术外壳的结构示意图。
[0024]附图标记说明:
[0025]1—外壳；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ1‑
1—外层钢板；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ1‑
2—内层钢板；
[0026]1‑
3—铅屏蔽层；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
2—屏蔽盖板；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
3—中子探测器；
[0027]4—输送套管；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
5—第一慢化层；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
6—反射层；
[0028]7—第二慢化层。
具体实施方式
[0029]如图1所示，本技术的耐辐照中子探测装置用慢化屏蔽结构，包括外壳1，所述外壳1的开口处设置有屏蔽盖板2，所述外壳1与屏蔽盖板2形成密封腔，所述密封腔内设置有用于安装中子探测器3的输送套管4，所述输送套管4的外侧设置有第一慢化层5，所述第一慢化层5的外侧设置有反射层6，所述反射层6与外壳1之间设置有第二慢化层7。
[0030]本实施例中，如图2所示，所述外壳1包括外层钢板1
‑
1和内层钢板1
‑
2，所述外层钢板1
‑
1与内层钢板1
‑
2之间设置有铅屏蔽层1
‑
3。
[0031]具体实施时，外壳1由外层钢板1
‑
1和内层钢板1
‑
2组成，并在内部灌铅，形成铅屏蔽层1
‑
3，能够有效屏蔽外部γ射线，抑制外部γ射线对中子探测器3的影响。
[0032]本实施例中，所述第一慢化层5采用聚乙烯材质。
[0033]具体实施时，高密度聚乙烯材质的第一慢化层5能够将快中子慢化为热中子，通过反射层6反射后汇集到中子探测器3，由中子探测器3实现对中子的计数测量。
[0034]本实施例中，所述反射层6包括多层金属材质。
[0035]本实施例中，所述多层金属材质包括由内向外分层设置的第一铍铜层、铍层、镉层和第二铍铜层。
[0036]本实施例中，所述第一铍铜层为1mm厚度的铍铜板，所述铍层为1mm厚度的铍板，所述镉层为2mm厚度的镉板，所述第二铍铜层为1mm厚度的铍铜板。
[0037]具体实施时，多层金属材质的反射层6能够反射外侧面中子射线，收集探测面中子射线，能够有效提高探测面中子计数的探测效率。
[0038]本实施例中，所述第二慢化层7采用含硼聚乙烯。
[0039]本实施例中，所述含硼聚乙烯的含硼质量分数为10％。
[0040]具体实施时，含硼聚乙烯的第二慢化层7能够有效屏蔽外侧面中子射线，抑制外侧面中子射线对中子探测器3的影响。
[0041]本技术使用时，通过外壳1直接焊接在支架上，再通过支架安装在工艺罐体上，整体外形尺寸不大于225mm本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐辐照中子探测装置用慢化屏蔽结构，其特征在于：包括外壳(1)，所述外壳(1)的开口处设置有屏蔽盖板(2)，所述外壳(1)与屏蔽盖板(2)形成密封腔，所述密封腔内设置有用于安装中子探测器(3)的输送套管(4)，所述输送套管(4)的外侧设置有第一慢化层(5)，所述第一慢化层(5)的外侧设置有反射层(6)，所述反射层(6)与外壳(1)之间设置有第二慢化层(7)。2.按照权利要求1所述的一种耐辐照中子探测装置用慢化屏蔽结构，其特征在于：所述外壳(1)包括外层钢板(1
‑
1)和内层钢板(1
‑
2)，所述外层钢板(1
‑
1)与内层钢板(1
‑
2)之间设置有铅屏蔽层(1
‑
3)。3.按照权利要求1所述的一种耐辐照中子探测装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟，常贤龙，肖鹏飞，贾红宝，王欣，张祥林，刘朋波，曲广卫，
申请(专利权)人：陕西卫峰核电子有限公司，
类型：新型
国别省市：