一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种氮化硅陶瓷基板的制备方法，包括以下步骤：将陶瓷粉体、溶剂、粘结剂、表面活性剂混合球磨，制备固含量为70～80wt％的陶瓷浆料；其中，所述陶瓷粉体包括氮化硅粉体和烧结助剂，所述陶瓷粉体中氮化硅粉体的质量分数为88～94wt％；将所述陶瓷浆料进行流延成型得到氮化硅坯板；将所述氮化硅坯板在空气环境中进行排胶处理，排胶温度为650～850℃，保温时间为12～24h；将排胶后的氮化硅坯板在保护气氛中、1950～2000℃下烧结，即得。本发明专利技术的制备方法生产效率高、成品率高、成本低，制得的氮化硅陶瓷基板热导率高、强度高，精度好，尺寸范围灵活。寸范围灵活。寸范围灵活。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法


[0001]本专利技术属于氮化硅陶瓷领域，具体地说涉及一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法。

技术介绍

[0002]氮化硅陶瓷由于其较高的理论热导率，且具有良好的绝缘性，近年来成为电子
的研究热点，尤其是集成电路领域，作为承载金属电路板的陶瓷基板。
[0003]现有技术中制备氮化硅等非氧化物陶瓷时，排胶和烧结大多在还原气氛或惰性气氛中进行，然而这种方法虽然不会引入氧但是有机物依靠自身裂解很难在排胶阶段彻底排除，而由于使用的有机物中大多本身含有氧元素，将其遗留至烧结阶段，随着烧结的进行，氧掺入烧结产物中，氧的掺入会严重影响氮化硅陶瓷的热导率，使得制得的氮化硅陶瓷基板的导热性能降低。
[0004]此外，现有的制备氮化硅陶瓷基板的方法中，为了保证陶瓷浆料具备良好的稳定性，制得陶瓷浆料的固含量一般较低，这就会影响最终产品的致密性和强度。

技术实现思路

[0005]针对上述问题，本专利技术提供了一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法。
[0006]本专利技术的氮化硅陶瓷基板的制备方法，包括以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化硅陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将陶瓷粉体、溶剂、粘结剂、表面活性剂混合球磨，制备固含量为70～80wt％的陶瓷浆料；其中，所述陶瓷粉体包括氮化硅粉体和烧结助剂，所述陶瓷粉体中氮化硅粉体的质量分数为88～94wt％；将所述陶瓷浆料进行流延成型得到氮化硅坯板；将所述氮化硅坯板在空气环境中进行排胶处理，排胶温度为650～850℃，保温时间为12～24h；将排胶后的氮化硅坯板在保护气氛中、1950～2000℃下烧结，即得。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氮化硅粉体的粒径小于1μm、比表面积为10～20m2/g；和/或，所述烧结助剂的粒径小于1μm，比表面积小于40m2/g。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述陶瓷粉体中烧结助剂的质量分数为6～12wt％；和/或，所述烧结助剂包括第一烧结助剂和第二烧结助剂，所述第一烧结助剂为氧化镁、氧化镍、氧化镉中的一种或多种，所述第二烧结助剂为氧化钕、氧化镝、氧化钐、氧化镥中的一种或多种；所述第一烧结助剂和第二烧结助剂的质量比为(5～10)∶(1～2)。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述陶瓷浆料中溶剂的质量分数为16～24wt％；和/或，所述溶剂为无水...

【专利技术属性】
技术研发人员：李镔，陈波，韦中华，张伟儒，王子诚，牛爱新，
申请(专利权)人：中材高新氮化物陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：