一种采样保持与膝点检测电路制造技术

本发明专利技术属于电源管理技术领域，具体涉及一种采样保持与膝点检测电路。本发明专利技术电路的缓冲器和比较器复用一个折叠式共源共栅结构，省去了额外的运放，降低了电路了功耗和成本。在反馈电压到达膝点时，电压波形会急剧下降，而缓冲器自身存在延时，两个电压之间形成压差使得比较器翻转，从而检测得到膝点信号，进而将采样开关打开，采样电容C

【技术实现步骤摘要】
一种采样保持与膝点检测电路


[0001]本专利技术属于电源管理
，具体涉及一种采样保持与膝点检测电路。

技术介绍

[0002]近年来，随着电子设备的发展，电子设备追求具有更高功率密度，更高效率以及更小体积的电源。早期主要的电源类型，线性稳压电源已经不能满足这些日益提高的要求，因此，开关电源成为主流的趋势。传统的反激式变换器采用光耦器件和TL431对输出电压信息进行采样，然而光耦器件和TL431占用体积大，没有办法实现内部集成，不利于实现小型化，且光耦器件受温度和辐照影响较大，采样精度会受环境影响。因此，原边反馈反激式变换器因其更简单的外围结构设计、更小的体积和更低的成本受到市场青睐。
[0003]由于采样的精确度决定了输出电压的精确度，原边反馈反激式变换器设计的关键点之一就是采样保持和膝点检测电路的设计。具体而言，如图1所示，在副边导通原边关断的时候，输出电压信息通过原边绕组反激到原边，体现在功率管漏端电压V
SW
上，再通过VIN钳位电路将反馈电压V
FB
钳位到VIN，从而使得反馈电阻R
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种采样保持与膝点检测电路，用于检测原边反馈反激式变换器在副边电感电流为零时的膝点电压，其特征在于，包括缓冲器、比较器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻、第一电容、第二电容和电压源；所述缓冲器的同相输入端接反馈电压，其反相输入端接其输出端，缓冲器的输出端依次通过第一电阻和第一电容后接地，将缓冲器的使能信号定义为第一使能信号，输出定义为延迟电压；所述比较器的同相输入端接延迟电压，其反相输入端接电压源的正端，电压源的负端接反馈电压，将比较器的使能信号定义为第二使能信号，输出电压定义为判断电压，所述电压源产生固定失调电压；所述第一NMOS管的漏极接延迟电压，其栅极接第三使能信号；所述第二NMOS管的源极和漏极接第一NMOS管的源极，第二NMOS管的栅极接第一使能信号的反向信号，第一NMOS管源极与第二NMOS管源漏极的连接点通过第二电容后接地，将第一NMOS管源极、第二NMOS管源漏极、第二电容的连接点输出定义为膝点电压保持电压；所述第三NMOS管的漏极接第一电阻、第一电容和第一NMOS管漏极的连接点，第三NMOS管的栅极接脉冲信号，第三NMOS管的源极接地；当原边导通时，脉冲信号为高电平，第三NMOS管打开，当副边导通时，脉冲信号为低电平，第三NMOS管关断；当副边导通且反馈电压上升的时期，第一使能信号控制缓冲器开启，第二使能信号控制比较器关断，使延迟电压一直跟随反馈电压，从而更新第一电容的电压值；当反馈电压进入平台期后，第二使能信号控制比较器开启，在膝点到达时，比较器翻转，判断电压由低电位翻转为高电位，第三使能信号对应翻高，第一NMOS管打开进行采样，第一电容的电荷分享到第二电容，第一使能信号控制缓冲器关断使得延迟电压保持膝点电压；经过一个窄脉冲时间之后，第三使能信号翻低，第一NMOS管关断而第二NMOS管开启，同时第二使能信号控制比较器关断，第一使能信号控制缓冲器开启。2.根据权利要求1所述的一种膝点检测和采样保持电路，其特征在于，所述比较器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第十NMOS管、第十二NMOS管；所述缓冲器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、...

【专利技术属性】
技术研发人员：周泽坤，艾雪，何金阳，王卓，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：