电子照相感光体、图像形成装置及感光层形成用涂布液制造方法及图纸

技术编号:30759610 阅读:30 留言:0更新日期:2021-11-10 12:13
本发明专利技术提供一种可保持带电性、同时残留电位极低、能够实现高灵敏度、且能够抑制浓度不均的带正电用单层型电子照相感光体、以及具备该感光体的图像浓度良好的图像形成装置。本发明专利技术涉及的电子照相感光体在导电性支撑体上具备感光层,所述感光层在同一层中至少包含电荷产生材料、空穴传输材料、电子传输材料及粘结树脂,其中,将初期表面电位V0设定为+700V、曝光780nm的单色光以动态方式进行测定时,在用于形成潜像的曝光量为0.3μJ/cm2这点的残留电位VL1为130V以下。为130V以下。

【技术实现步骤摘要】
电子照相感光体、图像形成装置及感光层形成用涂布液
[0001]本申请是申请日为2015年11月10日、申请号为201580060978.X、专利技术名称为“电子照相感光体、图像形成装置及感光层形成用涂布液”的申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及在复印机、打印机等中使用的电子照相感光体及图像形成装置。详细来说,涉及电特性良好、且用于形成感光层的涂布液的稳定性优异的单层型电子照相感光体、及具备该感光体的图像形成装置。

技术介绍

[0003]电子照相技术由于即时性、可得到高品质的图像等而被广泛用于复印机、各种打印机等领域。关于成为电子照相技术核心的电子照相感光体(以下,也简称为“感光体”),被采用的是使用了具有无公害且容易成膜、容易制造等优点的有机系光导电物质的感光体。
[0004]在有机系电子照相感光体中,使不同的化合物各自承担电荷的产生和迁移的功能的所谓的功能分离型感光体的材料选择余地大、容易控制感光体的特性,因而成为了开发的主流。从层结构的观点考虑,已知有在同一层中具有电荷产生材料和电荷传输材料的单层型电子照相感光体(以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子照相感光体,其是在导电性支撑体上具备感光层的带正电型电子照相感光体,所述感光层在同一层中至少包含电荷产生材料、空穴传输材料、电子传输材料及粘结树脂,其中,将初期表面电位V0设定为+700V、曝光780nm的单色光以动态方式进行测定时,在用于形成潜像的曝光量为0.3μJ/cm2这点的残留电位VL1为130V以下。2.根据权利要求1所述的电子照相感光体,其中,所述残留电位VL1为110V以下。3.一种电子照相感光体,其是在导电性支撑体上具备感光层的带正电型电子照相感光体,所述感光层在同一层中至少包含电荷产生材料、空穴传输材料、电子传输材料及粘结树脂,其中,将初期表面电位V0设定为+700V、曝光780nm的单色光以动态方式进行测定时,在用于形成潜像的曝光量为0.5μJ/cm2这点的残留电位VL2为100V以下。4.根据权利要求3所述的电子照相感光体,其中,所述残留电位VL2为80V以下。5.一种电子照相感光体,其是在导电性支撑体上具备感光层的带正电型电子照相感光体,所述感光层在同一层中至少包含电荷产生材料、空穴传输材料、电子传输材料及粘结树脂,其中,将初期表面电位V0设定为+700V、曝光780nm的单色光以动态方式进行测定时,在用于形成潜像的曝光量为0.8μJ/cm2这点的残留电位VL3为90V以下。6.根据权利要求5所述的电子照相感光体,其中,所述残留电位VL3为70V以下。7.一种电子照相感光体,其是在导电性支撑体上具备感光层的带正电型电子照相感光体,所述感光层在同一层中至少包含电荷产生材料、空穴传输材料、电子传输材料及粘结树脂,其中,将初期表面电位V0设定为+700V、曝光780nm的单色光以动态方式进行测定时,在用于形成潜像的曝光量为1.0μJ/cm2这点的残留电位VL4为80V以下。8.根据权利要求7所述的电子照相感光体,其中,所述残留电位VL4为70V以下。9.一种电子照相感光体,其是在导电性支撑体上具备感光层的带正电型电子照相感光体,所述感光层在同一层中至少包含电荷产生材料、空穴传输材料、电子传输材料及粘结树脂,其中,将初期表面电位V0设定为+700V、曝光780nm的单色光以动态方式进行测定时,在用于形成潜像的曝光量为1.5μJ/cm2这点的残留电位VL5为70V以下。10.一种电子照相感光体,其是在导电性支撑体上具备感光层的带正电型电子照相感光体,所述感光层在同一层中至少包含电荷产生材料、空穴传输材料、电子传输材料及粘结树脂,其中,将初期表面电位V0设定为+700V、曝光780nm的单色光以动态方式进行测定时,在用于形成潜像的曝光量为0.3μJ/cm2这点的残留电位VL1为130V以下、在用于形成潜像的曝光量为0.5μJ/cm2这点的残留电位VL2为100V以下、在用于形成潜像的曝光量为0.8μJ/cm2这点的残留电位VL3为90V以下、在用于形成潜像的曝光量为1.0μJ/cm2这点的残留电位VL4为80V以下、在用于形成潜像的曝光量为1.5μJ/cm2这点的残留电位VL5为70V以下。11.根据权利要求10所述的电子照相感光体,其中,所述残留电位VL1为110V以下、所述残留电位VL2为80V以下、所述残留电位VL3为70V以下、所述残留电位VL4为70V以下。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的电子照相感光体,其中,在所述电子照相感光体中,在导电性支撑体上具备在同一层中至少包含电荷产生材料、空穴传输材料、电子传输材料、填料及粘结树脂的感光层。13.根据权利要求1~12中任一项所述的电子照相感光体,其在导电性支撑体上具备感光层,所述感光层在同一层中至少包含电荷产生材料、空穴传输材料、电子传输材料、填料、聚乙烯醇缩醛树脂及粘结树脂。14.根据权利要求13所述的电子照相感光体,其中,所述填料为二氧化硅。15.根据权利要求13或14所述的电子照相感光体,其中,所述填料的平均初级粒径小于所述电荷产生材料的平均初级粒径。16.根据权利要求1~15中任一项所述的电子照相感光体,其中,所述粘结树脂为...

【专利技术属性】
技术研发人员:渕上宏惠和田光央
申请(专利权)人:三菱化学株式会社
类型:发明
国别省市:

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