发光显示装置以及发光显示装置的制作方法制造方法及图纸

一种发光显示装置及发光显示装置的制作方法，其中所述发光显示装置包括量子点发光芯片以及驱动基板。所述量子点发光芯片包括一体成型制成的微发光二极管芯片及对应所述微发光二极管芯片上的量子点层，所述微发光二极管芯片包括依次层叠设置的第一电极、外延片以及第二电极，所述第一电极与所述第二电极设置在所述外延片的两相对应的表面上。所述量子点发光芯片的所述第二电极电性连接在所述驱动基板上的至少一电极区上，增加微发光二极管芯片(QD

【技术实现步骤摘要】
发光显示装置以及发光显示装置的制作方法


[0001]本专利技术涉及一种发光显示装置的
，尤指一种发光显示装置以及发光显示装置的制作方法。

技术介绍

[0002]随着LED微缩化技术的发展，微米(μm)或纳米(nm)尺寸级别的LED受到了光电显示领域的极大关注。特别地，miniLED(迷你发光二极管)显示技术发展非常迅速，既可以作为LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)的蓝色背光源，也可以使用三种颜色的miniLED直接进行显示。由于miniLED直显技术涉及到红、绿、蓝三种颜色芯片的微缩化与固晶等工艺，相应的像素设计和制程难度也较大。量子点(quantum dot,QD)作为一种优异的色转换材料，若以蓝光miniLED作为背光，利用高能量的蓝光激发红或绿量子点产生相应的红光或绿光，则可以实现色转换。这种QD
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miniLED显示技术相对miniLED直显而言，只需要蓝色miniLED芯片，再结合量子点色转换层，就可以实现全彩化，故对于芯片的制作、面板设计及其后续制程相对简单。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光显示装置，其特征在于，包括：量子点发光芯片，包括一体成型制成的微发光二极管芯片及对应所述微发光二极管芯片上的量子点层，所述微发光二极管芯片包括依次层叠设置的第一电极、外延片以及第二电极，所述第一电极与所述第二电极设置在所述外延片的两相对应的表面上；以及驱动基板，所述量子点发光芯片的所述第二电极电性连接在所述驱动基板上的至少一电极区上。2.如权利要求1所述发光显示装置，其特征在于，其中，所述量子点层的四周边缘与所述微发光二极管芯片的四周边缘齐平设置。3.如权利要求1所述发光显示装置，其特征在于，所述驱动基板还包括衬底基板及设置在所述衬底基板上的呈阵列分布的多个驱动电路单元，每一所述驱动电路单元包括二个所述电极区，使每一所述驱动电路单元对应地固接在每一所述微发光二极管芯片的所述第一电极上。4.如权利要求3所述发光显示装置，其特征在于，还包括涂布在所述量子点层上的透明封装体，所述量子点层包括多个量子点粒子以及量子点填料。5.一种发光显示装置的制作方法，其特征在于，包括以下步骤:提供衬底，在所述衬底上制作外延片，在所述外延片一侧表面上形成图案化的第一电极；键合导电衬底，将具有所述第一电极的所述外延片转移键合到所述导电衬底，以形成阵列分布的多个微发光二极管芯片；激光剥离所述外延片的...

【专利技术属性】
技术研发人员：段淼，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：