一种TSR型无衰减滤波电容器制造技术

本发明专利技术涉及一种TSR型无衰减滤波电容器，包括壳体、出线套管、接线柱、填充介质、放电电阻、内熔丝和芯子。壳体为一面开口的柱形壳体，在开口端与接线柱连接；接线柱的柱体部分被出线套管从接线柱的接口部分包裹至壳体的开口端；每个芯子连接一个内熔丝，m个芯子和1个放电电阻并联构成1个芯子组；n个芯子组串联，构成一个电容阵列，并通过填充介质和壳体内表面连接。电容阵列工作时，实时检测电容阵列的电容量，若电容量为m

【技术实现步骤摘要】
一种TSR型无衰减滤波电容器


[0001]本专利技术涉及电容器领域，尤其涉及一种TSR型无衰减滤波电容器。

技术介绍

[0002]电容器是指两个相互靠近的导体，中间夹一层不导电的绝缘介质。当电容器的两个极板之间加上电压时，电容器就会储存电荷。电容器在调谐、旁路、耦合、滤波等电路中起着重要的作用。滤波电容器是一种储能器件，常安装在整流电路两端用以降低交流脉动波纹系数以提升高效平滑直流输出。
[0003]然而，现有的电容器往往由于电容芯子容易损坏等原因，导致电容器整体无法使用，存在电容器的使用寿命较短等问题。

技术实现思路

[0004]为此，本专利技术提供一种TSR型无衰减滤波电容器，解决了现有的电容器的使用寿命较短的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供一种TSR型无衰减滤波电容器，包括：包括放电电阻、内熔丝和芯子，每个芯子连接一个内熔丝，m个芯子和1个放电电阻并联构成1个芯子组，n个芯子组串联，构成一个电容阵列；
[0006]在每个芯子和它所连接的内熔丝之间设置温度传感器，假设电容阵列的额定电容量为S，预先设置有标准温度矩阵T(T1(t11，t12，
…
，t1m)，T2(t21，t22，
…
，t2m)，
…
，Tn(tn1，tn2，
…
，tnm))，其中T1表示第1个芯子组的标准温度列表，tnm表示第n个芯子组中第m个芯子的标准温度，所述标准温度矩阵T通过在电容阵列初次工作时，检测并记录电容阵列内部每个芯子的温度获得；
[0007]在电容阵列工作的过程中，实时检测电容阵列当前的电容量，若电容量为(m
×
n
‑
k
×
m+1)
×
S，k＝1,2，
…
，n
‑
1，设置温度阈值
△
t，通过每个芯子对应的温度传感器，实时检测电容阵列内部每个芯子的温度并记录为检测温度矩阵C(C1(c11，c12，
…
，c1m)，C2(c21，c22，
…
，c2m)，
…
，Cn(cn1，cn2，
…
，cnm))，其中C1表示第1个芯子组的检测温度列表，cnm表示第n个芯子组中第m个芯子的检测温度；实时检测电容阵列中所有芯子的工作状态，若某1个芯子组中的m
‑
1个芯子工作状态异常，则电容阵列停止工作。
[0008]进一步地，若对于第n个芯子组中的第m个芯子，在电容阵列工作中的任意时刻，其标准温度与检测温度的差值大于温度阈值，即tnm
‑
cnm＞
△
t，则判定该芯子工作状态异常；
[0009]若对于第n个芯子组中的第m个芯子，在电容阵列工作中的任意时刻，其标准温度与检测温度的差值小于或等于温度阈值，即tnm
‑
cnm≤
△
t，则判定该芯子在该时刻工作状态正常。
[0010]进一步地，实时检测电容阵列中所有芯子的工作状态，还包括：设置时间间隔
△
T，检测每个芯子在每个时间间隔
△
T中的温度变化量，并根据在每个时间间隔
△
T中的温度变化量和时间间隔
△
T计算出每个芯子在每个时间间隔
△
T中的温度变化速率，对于第n个芯
子组中的第m个芯子，其温度变化速率用vnm表示；
[0011]设置温度变化临界速率v0，对于第n个芯子组中的第m个芯子，在电容阵列工作中，若在任意一个时间间隔
△
T中，该芯子的温度变化速率大于温度变化临界速率，即vnm＞v0，则判定该芯子工作状态异常；
[0012]对于第n个芯子组中的第m个芯子，在电容阵列工作中，若在任意一个时间间隔
△
T中，该芯子的温度变化速率小于或等于温度变化临界速率，即vnm≤v0，则判定该芯子在该时间间隔
△
T中工作状态正常。
[0013]进一步地，本专利技术提供的一种TSR型无衰减滤波电容器还包括：处理器，所述处理器预先设置标准温度矩阵T、当前电容量、温度阈值
△
t、检测温度矩阵C、时间间隔
△
T、温度变化临界速率v0和每个芯子的温度变化速率；
[0014]在电容阵列初次工作时，通过每个芯子对应的温度传感器检测每个芯子的温度，并赋值至标准温度矩阵T；在电容阵列工作的过程中，实时检测电容阵列当前的电容量并赋值至当前电容量；输入温度阈值
△
t；在电容阵列工作的过程中，通过每个芯子对应的温度传感器检测每个芯子的温度，并赋值至检测温度矩阵C；输入时间间隔
△
T；输入温度变化临界速率v0；在电容阵列工作的过程中，通过每个芯子对应的温度传感器检测每个芯子在每个时间间隔
△
T开始时的温度ta和结束时的温度tb，并计算该芯子的温度变化速率，该芯子的温度变化速率为(ta
‑
tb)/
△
T；
[0015]在检测电容阵列中所有芯子的工作状态时，对于第n个芯子组中的第m个芯子，比较tnm
‑
cnm与
△
t的大小关系；比较vnm与v0的大小关系；
[0016]根据上述比较结果，判定每个芯子在每个时刻或每个时间间隔
△
T中的工作状态；
[0017]汇总上述判定结果，若某1个芯子组中的m
‑
1个芯子工作状态异常，则所述处理器发出令电容阵列停止工作的指令。
[0018]进一步地，本专利技术提供的一种TSR型无衰减滤波电容器还包括：壳体和填充介质，所述壳体为一面开口的柱形壳体，所述壳体的内表面通过所述填充介质与所述电容阵列连接。
[0019]进一步地，本专利技术提供的一种TSR型无衰减滤波电容器还包括：出线套管和接线柱，所述壳体在开口端与两个或三个所述接线柱连接；所述接线柱的柱体部分被所述出线套管从所述接线柱的接口部分包裹至所述壳体的开口端。
[0020]进一步地，所述芯子采用双面粗化型聚乙烯薄膜，以铝箔为极板。
[0021]进一步地，所述壳体采用1.5mm的钢板通过数控焊机全密封焊接而成，两边焊有吊攀和底脚。
[0022]进一步地，所述出线套管的材质为陶瓷套管。
[0023]进一步地，所述填充介质为绝缘油。
[0024]与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于，通过在电容器内部对每个芯子设置温度传感器，实时检测电容器当前的电容量，判断芯子整体的工作状态，然后通过温度传感器和处理器定位工作状态异常的芯子，当工作状态异常的芯子达到一定的数量，令电容器停止工作，进而延长了电容器的使用寿命。
[0025]尤其，通过对电容器采取重新设计壳体结构，改良了封装工艺，对电容芯子采用双面粗化型聚乙烯薄膜，以铝箔为极板，填充介质本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TSR型无衰减滤波电容器，其特征在于，包括放电电阻、内熔丝和芯子，每个芯子连接一个内熔丝，m个芯子和1个放电电阻并联构成1个芯子组，n个芯子组串联，构成一个电容阵列；在每个芯子和它所连接的内熔丝之间设置温度传感器，假设电容阵列的额定电容量为S，预先设置有标准温度矩阵T(T1(t11，t12，
…
，t1m)，T2(t21，t22，
…
，t2m)，
…
，Tn(tn1，tn2，
…
，tnm))，其中T1表示第1个芯子组的标准温度列表，tnm表示第n个芯子组中第m个芯子的标准温度，所述标准温度矩阵T通过在电容阵列初次工作时，检测并记录电容阵列内部每个芯子的温度获得；在电容阵列工作的过程中，实时检测电容阵列当前的电容量，若电容量为(m
×
n
‑
k
×
m+1)
×
S，k＝1,2，
…
，n
‑
1，设置温度阈值
△
t，通过每个芯子对应的温度传感器，实时检测电容阵列内部每个芯子的温度并记录为检测温度矩阵C(C1(c11，c12，
…
，c1m)，C2(c21，c22，
…
，c2m)，
…
，Cn(cn1，cn2，
…
，cnm))，其中C1表示第1个芯子组的检测温度列表，cnm表示第n个芯子组中第m个芯子的检测温度；实时检测电容阵列中所有芯子的工作状态，若某1个芯子组中的m
‑
1个芯子工作状态异常，则电容阵列停止工作。2.根据权利要求1所述的TSR型无衰减滤波电容器，其特征在于，实时检测电容阵列中所有芯子的工作状态，包括：若对于第n个芯子组中的第m个芯子，在电容阵列工作中的任意时刻，其标准温度与检测温度的差值大于温度阈值，即tnm
‑
cnm＞
△
t，则判定该芯子工作状态异常；若对于第n个芯子组中的第m个芯子，在电容阵列工作中的任意时刻，其标准温度与检测温度的差值小于或等于温度阈值，即tnm
‑
cnm≤
△
t，则判定该芯子在该时刻工作状态正常。3.根据权利要求2所述的TSR型无衰减滤波电容器，其特征在于，实时检测电容阵列中所有芯子的工作状态，还包括：设置时间间隔
△
T，检测每个芯子在每个时间间隔
△
T中的温度变化量，并根据在每个时间间隔
△
T中的温度变化量和时间间隔
△
T计算出每个芯子在每个时间间隔
△
T中的温度变化速率，对于第n个芯子组中的第m个芯子，其温度变化速率用vnm表示；设置温度变化临界速率v0，对于第n个芯子组中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海燕，
申请(专利权)人：北京鑫北科技有限公司，
类型：发明
国别省市：