谐振装置以及谐振装置制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及谐振装置以及谐振装置制造方法，谐振装置(1)具备：MEMS基板(40)，包含谐振子(10)；上盖(30)，设置为密封谐振子(10)的振动空间S；以及接地部(50)，位于MEMS基板(40)与上盖(30)之间，上述接地部扩散到上盖(30)的内部，并与上盖(30)电连接。并与上盖(30)电连接。并与上盖(30)电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】谐振装置以及谐振装置制造方法


[0001]本专利技术涉及谐振装置以及谐振装置制造方法。

技术介绍

[0002]以往，使用MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微电子机械系统)技术制造出的谐振装置正在普及。该设备例如通过将上侧基板与具有谐振子的下侧基板接合而形成。
[0003]例如，在专利文献1中公开了一种场效应晶体管，其特征在于，具备：具有沟道区域的半导体基板、分别形成在沟道区域的两端侧的半导体基板的源极、漏极、形成于沟道区域上的栅极单元、使载流子仅经由沟道区域的表面部分在源极与漏极之间流动的载流子沟道单元。该场效应晶体管防止热载流子注入、碰撞电离以及与此相关的效果。
[0004]另外，例如在专利文献2中公开了一种谐振装置，具备：谐振子，具有下部电极和多个上部电极、形成在下部电极与多个上部电极之间的压电膜；上盖，具有第一面及第二面，该第一面被设置为与谐振子的上部电极对置并密封谐振子的第一面；下盖，具有第一面及第二面，该第一面被设置为与谐振子的下部电极对置并密封谐振子的第二面；电源端子，与上部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种谐振装置，具备：第一基板，包含谐振子；第二基板，设置为密封上述谐振子的振动空间；以及第一共晶反应层，位于上述第一基板与上述第二基板之间，上述第一共晶反应层扩散到上述第二基板的内部，并与上述第二基板电连接。2.根据权利要求1所述的谐振装置，其中，在上述第一基板的上述谐振子的大致整个面设置有绝缘层，上述第一共晶反应层与上述第二基板电连接，以便使上述第二基板接地，并且上述第一共晶反应层经由上述绝缘层与上述第一基板绝缘地连接。3.根据权利要求1或2所述的谐振装置，其中，上述第二基板的材料是硅。4.根据权利要求1～3中任意一项所述的谐振装置，其中，上述第一共晶反应层的主成分具有铝以及锗。5.根据权利要求4所述的谐振装置，其中，上述第一共晶反应层的主成分还具有钛，上述第一共晶反应层是通过铝、锗以及钛的共晶反应构成的合金层。6.根据权利要求3～5中任意一项所述的谐振装置，其中，上述第一共晶反应层的上述第二基板侧的铝的浓度低于上述第一基板侧的铝的浓度，或者上述第一共晶反应层的上述第二基板侧的铝的浓度与上述第一基板侧的铝的浓度相同。7.根据权利要求1～6中任意一项所述的谐振装置，其中，还具备第二共晶反应层，上述第二共晶反应层将上述第一基板与上述第二基板接合，上述第二共晶反应层位于上述第一共晶反应层的外周侧，并且还经由绝缘层与上述第一基板以及上述第二基板绝缘地连接。8.根据权利要求7所述的谐振装置，其中，上述第二共晶反应层具有与上述第一共晶反应层相同的成分。9.根据权利要求1～8中任意一项所述的谐振装置，其中，上述振动空间的真空度是1帕以上且2帕以下。10.一种谐振装置制造方法，包括：准备包含谐振子的第一基板、和能够密封上述谐振子的振动空间的第二基板；在上述第一基板中的上述谐振子的振动部的周围形成第一金属层；在上述第二基板的与上述第一金属层对置的位置形成具有与上述第一金属层不同的成分的第二金属层；以及将上述第一基板与上述第二基板接合，在上述接合时，上述第一金属层与上述第二金属层发生共晶反应以生成第一共晶反应层，上述第一共晶反应层扩散到上述第二基板的内部，并与上述第二基板电连接。11.根据权利要求10所述的谐振装置制造方法，其中，上述第一共晶反应层位于上述第一基板与上述第二基板之间，上述第一共晶反应层的
上述第二基板侧的部分扩散到上述第二基板的内部并与上述第二基...

【专利技术属性】
技术研发人员：福光政和，樋口敬之，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：