一种复合孔径薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种复合孔径薄膜，包括堆叠的第一掺杂硅层和第二掺杂硅层，所述第一掺杂硅层上分布有纳米尺度的通孔，所述第二掺杂硅层上分布有微米尺度的通孔，所述第一掺杂硅层的掺杂浓度大于所述第二掺杂硅层的掺杂浓度。本发明专利技术还涉及所述复合孔径薄膜的制备方法。本发明专利技术的复合孔径薄膜在厚度方向具有跨微纳尺度变孔径特征，在生物传感、光学、传热等领域内具有提升的性能。本发明专利技术的制备方法解决了常规微纳加工工艺难以实现跨尺度变孔径多孔薄膜的制备技术现状，通过表面掺杂工艺改变衬底表面的掺杂浓度，并通过电化学腐蚀工艺制备出在厚度方向具有跨微米至纳米尺度变孔径特征的多孔硅薄膜。孔硅薄膜。孔硅薄膜。

【技术实现步骤摘要】
一种复合孔径薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体材料
，具体涉及一种复合孔径薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]变孔径多孔薄膜结构在其厚度方向上具有梯度的孔径分布，其在生物传感、光学、传热等研究领域具有重要的应用价值。但现有变孔径薄膜的孔径大多分布在相同的尺度，以多孔硅薄膜为例，通过改变制备条件如刻蚀电流、电解质溶液配比等参数，在相同衬底上可以实现在厚度方向上的孔径调控，但这种调控是在相同尺度下小范围调节，限制了变孔径多孔硅薄膜在以上应用领域内性能的进一步提升。因此，需要开发一种跨尺度变孔径多孔硅薄膜。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是克服现有技术的缺点，提供一种复合孔径薄膜，该薄膜在厚度方向具有跨微纳尺度变孔径特征，在生物传感、光学、传热等领域内具有提升的性能。
[0004]本专利技术的另一目的是提供上述复合孔径薄膜的制备方法，该方法工艺步骤简单、高效。
[0005]为了实现以上目的，本专利技术提供如下技术方案。
[0006]一种复合孔径薄膜，包括堆叠的第一掺杂硅层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合孔径薄膜，其特征在于，包括堆叠的第一掺杂硅层和第二掺杂硅层，所述第一掺杂硅层上分布有纳米尺度的通孔，所述第二掺杂硅层上分布有微米尺度的通孔，所述第一掺杂硅层的掺杂浓度大于所述第二掺杂硅层的掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的复合孔径薄膜，其特征在于，所述复合孔径薄膜为一体结构；所述第一掺杂硅层为重度掺杂硅层，其电阻率为0.01Ω
·
cm以下；所述第二掺杂硅层为中度掺杂硅层，其电阻率范围在1
‑
30Ω
·
cm区间。3.根据权利要求2所述的复合孔径薄膜，其特征在于，所述重度掺杂硅层和中度掺杂硅层为掺杂了硼元素、铝元素、镓元素或铟元素的p型硅衬底。4.根据权利要求1或2所述的复合孔径薄膜，其特征在于，所述纳米尺度的通孔的孔径为50nm以下，深度为5μm以下；所述微米尺度的通孔的孔径为2μm以上，深度为495μm以下。5.根据权利要求1
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑德印，王玮，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：