具有保护膜的磁头制造技术

在磁头记录介质的滑动表面形成一层保护膜，可补偿因其寿命造成间距损失导致的再现输出下降。当保护膜形成时，其厚度会使输出下降。为了补偿上述下降，通过使磁隙长度Ｇ１和磁隙深度Ｇｄ小于基准值（即Ｇ１＝１．５μｍ，Ｇｄ＝０．２ｍｍ），可降低磁隙损失，改善再现效率，增大再现灵敏度，补偿间距损失。通过附图所述方式组合Ｇ１和Ｇｄ，可完全补偿相对于每一种保护膜厚度的间距损失。通过使Ｇ１和Ｇｄ小于基准值，也可适当补偿间距损失。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及的是一种与诸如磁带的磁记录介质产生相对滑动的磁头，用于进行磁记录及再现；更具体地说，本专利技术涉及的是一种磁头，在它与记录介质的滑动表面上形成了一层保护膜，以及一种磁记录及再现装置。附附图说明图1是透视图，显示了用于立体声录音机的磁头。这种类型的磁头H包括由坡莫合金(Fe—Ni—Mo合金)制成的屏蔽罩1和屏蔽板2a和2b，以及形成了磁隙G的磁芯3，它用硬质坡莫合金(Fe—Ni—Nb合金)材料层迭而成。屏蔽板2a、2b、磁芯3与屏蔽罩1之间的空间用树脂4予以填充。磁带T是以这样的方式来形成的，即在聚酯薄膜或类似薄膜制成的基膜上形成一层磁质层，该磁质层由细小的γ—Fe2O3或类似物的磁粉颗粒以及粘合剂或类似物制成。在上述磁头H中，由于磁带T在位于磁头H前面的滑动表面A上滑动，因此滑动表面A的状态变化就会对磁头的记录和再现性能产生影响。滑动表面A的所述状态变化包括例如磁T上的磁粉从磁带的基膜上剥落并附着在滑动表面A上，以及滑动表面A被磁带T磨损。当磁粉附着在滑动表面A上时，磁芯3和磁带上的磁质层之间的间距变大，从而增大了间距损失。此外，当屏蔽罩1的表面1a、屏蔽板2a和2b、以及磁芯3，特别是屏蔽板2a、2b和磁芯3被在滑动表面上滑动的磁带T磨损时，就会使滑动表面A产生偏心磨损，由于这种偏心磨损而造成的滑动表面A的不规则性也会增大间距损失。因此，人们设想在磁头H的滑动表面A上形成一层保护膜，用于防止磁粉的附着和磨损。然而，当在滑动表面A上形成一层保护膜时，为了避免滑动磁带T对滑动表面A的磨损，就必须使上述保护膜具有一定的厚度。然而当保护膜较厚时，磁隙和磁质层之间的间距就会增大，造成间距损失，并降低磁头的再现灵敏度。为了减小由间距损失对再生灵敏度的影响，使之不至于成为一个问题，就必须使保护膜的厚度小于100埃。但是当采用这样的保护膜厚度时，由于磨损会很快地使保护膜损坏，同时保护膜也有可能剥落。本专利技术解决了已知技术中所存在的上述问题。本专利技术的目的是提供一种磁头，该磁头能够通过减少磁隙损失或者提高再现灵敏度来补偿由于保护膜造成的间距损失所导致的输出降低量，并能够在形成保护膜之后获得与已知技术相同甚至更好的再现效率。此外，当在磁头的滑动表面上形成保护膜时，需要采用一种材料，使得磁带T上的磁粉难于附着在保护膜上，同时该材料应具有足够的硬度，使之难于被磁带T的滑动磨损。然而，即使用于形成保护膜的材料使得磁粉难于附着在其上并具有较高的硬度，如果该材料与构成磁头H的坡莫合金的附着性能不好，保护膜也有可能从磁头T的滑动表面A上剥落。此外，保护膜和滑动表面A之间的附着力取决于在形成保护膜时构成磁头的坡莫合金的热膨胀和构成保护膜的材料的热膨胀之间的差值，以及由于保护膜本身的特性所造成的与坡莫合金的粘合特性的差别。考虑到磁带的滑动所造成的磨损，最好是采用较厚的保护膜。然而，如果保护膜过厚，在保护膜形成过程中残留在保护膜中的应力就会增大，使得保护膜有可能会从滑动表面上剥落。此外，当保护膜较厚时，间距损失也会增大。另外，保护膜的磨损和剥落也受构成磁带上的磁性层的磁粉特性的影响。如上所述，当在磁头的滑动表面上形成保护膜时，由于保护膜的磨损和剥落受上述各种因素的影响，因此难于确定用于形成保护膜的材料、保护膜的形成条件、以及保护膜的厚度，这样就难于形成一个保护膜，使得磁头具有一致的质量。例如，如果仅仅注意硬度，并采用这样的材料来形成磁头滑动表面上的保护膜，就会出乎意料地发现输出下降了，从而不能获得令人满意的改进。本专利技术也解决了已知技术中存在的上述问题。本专利技术的目的是提供一种磁记录和再现装置，根据在磁头滑动表面上形成保护膜的材料来确定最为适当的保护膜厚度，防止由于保护膜的磨损和剥落所造成的磁头输出的降低，从而获得对滑动表面的充分改进。本专利技术涉及一种用BN(硼镍)、DLC(金刚石型的碳)、CrN(铬镍)或者Al2O3(氧化铝)制成的磁头，在磁头与记录介质之间的滑动表面上形成了一层保护膜。由于形成了上述并保护膜，因而产生了间距损失。通过改变磁隙长度Gl和磁隙宽度Gd中的至少一个来增大再现灵敏度，从而补偿由于间距损失造成的输出下降。磁隙长度Gl和磁隙宽度Gd如附图8所示。由于存在磁隙而造成的磁阻Rg由如下的公式(5)来确定Rg=G1μ.GA(5)]]>其中，当磁隙与空气相通时，μ的cgs制(厘米、克、秒)单位为“1”。因此可以根据公式(2)来计算磁阻Rg。其次，当磁头的磁芯3的磁阻用Rc来表示时，磁头的再现效率根据如下的公式(6)来确定。公式(6)与公式(1)相同。X=RgRg+Rc(6)]]>用于将再现效率X转换为再现效率Y的公式为公式(7)Y＝20Log10(7)在本专利技术中，以常规磁头作为基准，通过改变Gl和Gd中的至少一个来补偿在常规磁头上形成保护膜所造成的间距损失。在常规的磁头中，当没有形成保护膜时，再现效率X为82％—84％。在本专利技术中，能够让再现效率X落入上述范围之内的磁隙的磁阻Rc以及磁隙长度Gl、深度Gd、宽度Gw被视为基准值。更具体地说，例如用作基准的磁隙长度Gl为1.5μm，深度Gd为0.2mm，宽度Gw为0.6mm。这些基准值在过去被用于已知的磁头。如果将这些数值作为基准值，再现效率X将随着磁芯的磁阻RC而变化，其数值范围为82％—84％。如果磁芯的磁阻为0.025，不具有保护膜的磁头的再现效率X为83％。如果在具有上述基准值的磁头的滑动表面上形成一层厚度为d的保护膜，由于保护膜而造成的间距损失Ls按照如下的公式(8)来确定，该公式与公式(4)相同Ls=20Log10e2πd/λ]]>=54.6dλ(8)]]>其中λ是再现信号的波长。以后将基准再现频率设定为12.5KHz，因而基准再现波长为3.8μm。如果将保护膜的厚度设定为1500埃，间距损失Ls将为2.15dB。由于间距损失Ls而造成的再现输出信号的降低量将通过减小磁隙长度Gl和深度Gd中的至少一个、使之小于上述基准值来予以补偿。在本专利技术的一种最佳实施例中，作为补偿由于在磁头滑动表面上形成保护膜而造成的间距损失的一种措施，首先通过减小磁隙长度Gl来降低磁隙损失Lg。随后，减小磁隙损失Lg，对于不能被补偿的间距损失Lg通过增大再现灵敏度，亦即减小磁隙的宽度Gd来予以补偿。附图9表示了再现信号频率和磁头的再现灵敏度之间的关系。当磁隙深度Gd小于如图中实线所示的基准磁头的数值时，磁头的再现灵敏度在由低频到高频的频带范围内获得了一致的改善。相反，如果磁隙长度Gl小于基准值，在低频范围内再现灵敏度降低，但是在接近12.5KHz的频带范围内，即使减小磁隙长度Gl，也难于降低再现灵敏度。这一事实意味着在12.5KHz的基准频带范围内，即使减小Gl和磁隙损失，也不会使得再现灵敏度降低，因而可以可采用这样一种方式，即首先减小Gl来降低磁隙损失，然后进一步减小Gd来改善再现灵敏度。换句话说，在本专利技术的上述最佳实施例中，当形成一层厚度为D的保护膜时，为了在基准波长3.8μm(对应于12.5KHz的基准频率)处补偿间距损失Ls，可首先波小磁隙的长度Gl。此时，由于磁隙长度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁头，在其记录介质的滑动表面上形成了一层保护膜，其特征在于在没有形成保护膜的状态下，将能够使根据公式（１）确定的再现效率Ｘ为８２％－８４％的磁隙长度Ｇ１、磁隙深度Ｇｄ、磁隙宽度Ｇｗ作为基准值，并通过减小Ｇ１和Ｇｄ中的至少一个，使之小于上述基准值来补偿由于保护膜厚度所造成的间距损失：Ｘ＝ＲＧ／ＲＧ＋ＲＣ（１）其中ＲＣ是磁芯的磁阻，ＲＧ是由于磁隙所造成的磁阻，ＲＧ是根据如下的公式（２）来确定的：ＲＧ＝Ｇ１／Ｇｗ＋Ｇｄ（２）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1994-7-12 184058/94;JP 1994-7-12 184059/941.一种磁头，在其记录介质的滑动表面上形成了一层保护膜，其特征在于在没有形成保护膜的状态下，将能够使根据公式(1)确定的再现效率X为82％—84％的磁隙长度Gl、磁隙深度Gd、磁隙宽度Gw作为基准值，并通过减小Gl和Gd中的至少一个，使之小于上述基准值来补偿由于保护膜厚度所造成的间距损失X=RGRG+RC(1)]]>其中RC是磁芯的磁阻，RG是由于磁隙所造成的磁阻，RG是根据如下的公式(2)来确定的RG=G1Gw+Gd(2)]]>2、如权利要求1所述的磁头，其特征在于通过从根据公式(4)所确定的由于形成了保护膜而导致的间距损失Ls中减去由于使得磁隙长度Gl小于上述基准值而根据公式(3)所获得的磁隙损失Lg的改善量来确定需要补偿的再现灵敏度，确定能够补偿上述再现灵敏度的再现效率X，并使得磁隙长度Gl和磁隙深度Gd中至少一个小于根据公式(1)和(2)基于上述X所确定的Gl和GdLG=20Logsin(π·G1/λ)π·G1/λ(3)]]>LS=20LoG10e2πd/λ]]>=54.6dλ(4)]]>其中D是保护膜厚度，λ是基准再现波长。3.如权利要求1或2所述的磁头，其特征在于下述数值被用作基准值磁隙长度Gl为1.5μm，磁隙深度Gd为0.2mm，磁隙宽度Gw为0.6mm。4.如权利要求3所述的磁头，其特征在于当没有形成保护膜、磁芯的磁阻为0.025时，再现效率X为83％。5.一种磁头，其记录介质的滑动表面上形成了一层保护膜，其中磁隙长度Gl为0.8—1.2μm。6.一种磁头，其记录介质的滑动表面上形成了一层保护膜，其中保护膜的厚度为100—1000埃，磁隙深度Gd为0.03mm到小于0.3mm，磁隙长度Gl为0.5μm到小于1.5μm。7.一种磁头，其记录介质的滑动表面上形成了一层保护膜，其中保护膜的厚度为100—1000埃，磁隙深度Gd为0.03mm到小于0.2mm，磁隙长度Gl为0.5μm到小于1.4μm。8.一种磁头，其记录介质的滑动表面上形成了一层保护膜，其中保护膜的厚度为100—2000埃，磁隙深度Gd为0.03mm到小于0.2mm，磁隙长度Gl为0.5μm到小于1.0μm。9.一种磁记录和再现装置，包括一个磁头，该磁头在一种记录介质上进行记录和/或再现，该记录介质具有以γ－Fe2O3、Co－γ－Fe2O3、...

【专利技术属性】
技术研发人员：上原敏夫，佐藤隆，志贺健治，饭塚雅博，登坂修，
申请(专利权)人：阿尔卑斯电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]