【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，特别是，涉及包括借助于剥离工艺形成图形的步骤的。用作磁记录装置的再生头的磁阻头具有例如附图说明图1所示的结构。通过按顺序地形成SAL(软邻接层)102、非磁性层103和在下面的空白层101上的磁阻层(在下文称作“MR”层)104，然后把这三层制作成平的矩形图形，并然后在矩形图形的二侧上形成反铁磁体层105a、105b和引线端106a、106b来制成磁阻头。在引线端106a、106b之间的区域用作读出区域S。正如在下面根据图2A-2C所述那样，通过剥离工艺形成一对引线端106a和106b。参阅图2A，抗蚀剂107一次涂盖在下面的空白层101上的由SAL102、非磁性层103和MR104组成的矩形图形上。然后通过曝光和显影制成抗蚀剂107图形，以使二个引线端区域曝露而覆盖MR层104上的读出区域S。如图2B所示，用溅射法形成反铁磁体层105和金属薄膜106。依次，去除抗蚀剂107，仅在引线端形成区域上保留金属层106。如图2C所示，于是仅在引线端形成区域上保留的反铁磁体层105和金属薄膜106分别用作反铁磁体层105a、105b和引线端106a、...
【技术保护点】
一种制造磁阻头的方法，包括步骤： 在绝缘的非磁性层上形成构成磁阻器件的多层薄膜； 在所述的多层薄膜上形成由有机物组成的第一薄膜； 在所述的第一薄膜上形成第二薄膜； 通过对所述的第二薄膜制作图形在预定的区域内形成窗口部分； 通过经由所述的窗口部分刻蚀所述的第一薄膜、形成所述第一薄膜边缘的图形，它从所述的第二薄膜图形的边缘向内凹入，其程度使得在以后的步骤中在所述的第二薄膜上形成的薄的薄膜的颗粒不覆盖在所述的第一薄膜图形侧面部分周围； 借助于真空工艺在所述的第二薄膜上和在所述的窗口下面的所述的多层薄膜上形成所述的薄的薄膜；和 通过从所述的...
【技术特征摘要】
JP 1995-12-26 339593/951.一种制造磁阻头的方法，包括步骤在绝缘的非磁性层上形成构成磁阻器件的多层薄膜；在所述的多层薄膜上形成由有机物组成的第一薄膜；在所述的第一薄膜上形成第二薄膜；通过对所述的第二薄膜制作图形在预定的区域内形成窗口部分；通过经由所述的窗口部分刻蚀所述的第一薄膜、形成所述第一薄膜边缘的图形，它从所述的第二薄膜图形的边缘向内凹入，其程度使得在以后的步骤中在所述的第二薄膜上形成的薄的薄膜的颗粒不覆盖在所述的第一薄膜图形侧面部分周围；借助于真空工艺在所述的第二薄膜上和在所述的窗口下面的所述的多层薄膜上形成所述的薄的薄膜；和通过从所述的第一薄膜剥去所述的第二薄膜形成所述的薄的薄膜图形，并然后剥离在所述的第二薄膜上的所述的薄的薄膜。2.根据权利要求1所述的制造磁阻头的方法，其中在夹在二个所述的窗口部分之间的条纹区域中形成读出区域，并进一步包括的步骤为在所述的第二薄膜上制作图形其中所述读出区容于其它条纹区域；和刻蚀所述的第一薄膜，以去除在所述的窗口部分下面的区域中和所述的读出区域中的所述的第一薄膜并保留在除所述的读出区域外的所述的条纹区域中的所述的第一薄膜。3.根据权利要求1所述的制造磁阻头的方法，进一步包括的步骤为，在形成所述的薄的薄膜的所述的步骤之前，在用所述的第一和第二薄膜作掩模时通过刻蚀所述的多层薄膜形成所述的多层薄膜图形。4.根据权利要求1所述制造磁阻头的方法进一步包括的步骤为在绝缘非磁性层上形成构成磁阻元件的多层薄膜之前，形成在绝缘非磁性层下面的屏蔽层；和在通过剥离所述的薄的薄膜构成图形的步骤后，通过制作所述的绝缘非磁性层和所述的屏蔽层的图形形成磁屏蔽图形。5.根据权利要求4所述的制造磁阻头的方法进一步包括在形成所述的多层薄膜之前使所述的屏蔽层构成比所述的磁屏蔽层图形宽的图形的步骤。6.根据权利要求1所述的制造磁阻头的方法，其中所述薄的薄膜是金属薄膜、用作引线端子。7.根据权利要求1所述制造磁阻头的方法，其中所述的薄的薄膜或是在使读出区域处于其中的区域内形成的硬磁薄膜或是在使读出区域处于其中的区域内形成的交换相互作用薄膜。8.根据权利要求1所述的制造磁阻头的方法，其中所述的薄的薄膜或是在使读出区域处于其中的区域内形成的硬磁薄膜和用作引线端的金属薄膜的叠层薄膜或是在使读出区域处于其中的区域内形成的交换相互作用薄膜和用作引线端的金属薄膜的叠层薄膜。9.根据权利要求1所述的制造磁阻头的方法，其中所述的第一薄膜是由抗蚀剂组成。10.根据权利要求1所述的制造磁阻头的方法，其中所述的第二薄膜是由无机薄膜组成。11.根据权利要求10所述制造磁阻头的方法，其中所述的无机薄膜是由绝缘薄膜、导电薄膜或者在其上叠有导电薄膜的绝缘薄膜形成。12.根据权利要求10所述的制造磁阻头的方法，其中所述的无机薄膜由透光材料形成。13.根据权利要求1所述的制造磁阻头的方法，其中所述第二薄膜是通过将压应力施加于其内侧形成的。14.根据权利要求13所述的制造磁阻头的方法，在其中所述的第二薄膜的所述的压应力为小于0dyn/cm2而大于-20.0×109dyn/cm2。15.根据权利要求1所述的制造磁阻头的方法进一步包括形成其上部分具有比下部大的应力的所述的第二薄膜步骤和在所述的上部分中产生压应力的步骤。16.根据权利要求15所述的制造磁阻头的方法，其中通过调节形成所述的第二薄膜的气氛中的压力实现所述的应力的调节。17.根据权利要求15所述的制造磁阻头的方法，其中所述的第二薄膜由许多层组成。18.根据权利要求1所述的制造磁阻头的方法进一步包括的步骤为，在用所述的光致抗蚀剂有机薄膜形成所述的第一薄膜以后曝光所述的第一薄膜的整个表面，然后用溅射或沉积法形成由无机薄膜组成的所述的第二薄膜。19.根据权利要求1所述的制造磁阻头的方法，其中所述的第一薄膜的薄膜厚度是在0.05μm到1.0μm范围内。20.根据权利要求1所述的制造磁阻头的方法，其中在所述的第一薄膜的膜厚大于所述多层薄膜膜厚的20％。21.根据权利要求1所述的制造磁阻头的方法，其中所述的第二薄膜的薄膜厚度是在0.05μm到0.5μm范围内。22.根据权利要求1所述的制造磁阻头的方法，在其中所述的第一薄膜的图形的边缘凹入所述的第二薄膜的图形为大于0.2μm和小于1.5μm的量。23.一种制造磁阻头的方法，包括的步骤为在绝缘非磁性层上形成构成磁阻器件的多层薄膜；在所述的多层薄膜上形成有机薄膜；在所述的有机薄膜上形成处于未曝光状态的抗蚀剂薄膜；通过曝光和显影所述的抗蚀剂薄膜在所述的抗蚀剂薄膜的预定区域内形成窗口；通过去除在所述的窗口下面的所述的有机薄膜形成在所述的抗蚀剂薄膜下面的所述的有机薄膜图形，并使所述的有机薄膜图形的边缘从所述的抗蚀剂薄膜图形的边缘向内凹入，其程度使得在后面的步骤中在所述的抗蚀剂薄膜上形成的薄的薄膜的颗粒不覆盖在所述的有机薄膜图形的侧面部分的周围；使用真空工艺在所述的抗蚀剂薄膜上和在所述的窗口下面的上述的多层薄膜上形成所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：渡部庆二，野崎耕司，五十岚美和，仓光庸子，矢野映，並木崇久，白泷博，大塚庆太，金峰理明，上源裕二，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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