【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及自旋阀磁阻头、制造自旋阀磁阻头的方法和磁存储装置，特别是涉及用在磁盘机、磁带机等上的自旋阀磁阻头、该自旋阀磁阻头的制造方法和磁存储装置。近年来，随着磁盘机的小型化和存储量增加，要求更高性能的磁头。正当使磁头满足这样的需求时，对磁阻型磁头(下文中称作“MR头”)给于极大的关注。磁阻型磁头能够不依靠存储媒体的移动速度运作、可以用于小尺寸磁盘和能够输出较高的功率。采用磁性上偏磁的导体层的AMR(各向异性MR)磁头、自旋阀MR头、巨型MR头等可以考虑用作MR头。在MR头采用磁性上偏磁的导体层的情况下，通常采用部分MR层和引线端暴露于相对的磁记录媒体的这样的结构。在这样的结构的MR头中，在磁头离磁记录媒体的浮动间隙减小时磁头和磁记录媒体之间容易出现短路和放电。所以，担心会损坏磁头。在专利申请公布(KOKAI)63-23217中陈述了具有能够解决这样的问题的结构的磁阻头，例如，在那里MR薄层准备流通与信号磁场相同方向的读出电流以及只有接地引线端暴露于磁记录媒体的侧面。MR头在磁记录媒体的表面和MR头之间的联系区域内有特殊的作用。把有这样的结构的MR磁头称为...
【技术保护点】
一种自旋阀磁阻头，包括：具有经过第一非磁性中间层在第一方向上被磁化的第一磁化自由层和第一磁化闭合层的第一自旋阀器件；在上述的第一自旋阀器件上直接或经过绝缘层形成的具有经过第二非磁性中间层在第二方向上被磁化的第二磁化自由层和第二磁化闭 合层的第二自旋阀器件，所述的第二方向与所述的第一方向成逆平行；和与所述的第一自旋阀器件和所述的第二自旋阀器件连接的许多电极。
【技术特征摘要】
JP 1996-4-4 082238/961.一种自旋阀磁阻头，包括具有经过第一非磁性中间层在第一方向上被磁化的第一磁化自由层和第一磁化闭合层的第一自旋阀器件；在上述的第一自旋阀器件上直接或经过绝缘层形成的具有经过第二非磁性中间层在第二方向上被磁化的第二磁化自由层和第二磁化闭合层的第二自旋阀器件，所述的第二方向与所述的第一方向成逆平行；和与所述的第一自旋阀器件和所述的第二自旋阀器件连接的许多电极。2.根据权利要求1所述的自旋阀磁阻头，其中所述的第一方向和所述的第二方向分别正交相对于媒体的表面。3.根据权利要求2所述的自旋阀磁阻头，其中电流源与所述的第一自旋阀器件和所述的第二自旋阀器件连接，使读出电流以平行或垂直于所述的相对媒体的表面的方向流到所述的磁记录媒体。4.根据权利要求1所述的自旋阀磁阻头，其中所述许多电极以垂直或平行于所述相对媒体表面的方向与对着磁记录媒体相隔一定距离的所述的第一自旋阀器件和所述的第二自旋阀器件的相对媒体的表面连接。5.根据权利要求4所述的自旋阀磁阻头，其中电流源与所述的第一自旋阀器件和所述的第二自旋阀器件连接以使读出电流以平行或垂直于所述的相对媒体的表面的方向流向磁记录媒体。6.根据权利要求4所述的自旋阀磁阻头，其中所述的许多电极中的一个电极是由或覆盖与所述的磁记录媒体相对的所述的第一自旋阀器件和所述的第二自旋阀器件的所述的媒体相对的表面的导电薄膜或在所述的媒体相对的表面的表面层上形成的导电层组成。7.根据权利要求4所述的自旋阀磁阻头，其中与所述的磁记录媒体的电位相一致的电位施加于与位于所述的磁记录媒体附近的所述的第一自旋阀器件和所述的第二自旋阀器件连接的所述的许多电极中的电极。8.根据权利要求7所述的自旋阀磁阻头，其中在所述的磁记录媒体附近与上述的第一自旋阀器件和所述的第二自旋阀器件连接的许多电极中的电极与包容所述的第一自旋阀器件和所述的第二自旋阀器件的磁屏蔽体连接。9.根据权利要求1所述的自旋阀磁阻头，其中所述的第一磁化自由层和所述的第二磁化自由层的各自的磁化方向调定平行于朝向磁记录媒体的所述的相对媒体的表面，并且互相成平行或逆平行。10.根据权利要求1所述的自旋阀磁阻头，其中使所述的第一自旋阀器件的所述的第一磁化闭合层与第一反铁磁层形成接触，并且所述的第一磁化闭合层在所述的第一方向的磁化，通过所述的第一反铁磁层被固定。使所述的第二自旋阀器件的所述的第二磁化闭合层与第二反铁磁层形成接触，并且所述的第二反铁磁层所述的第二磁化闭合层在所述的第二方向的磁化通过第二反铁磁层被固定。和通过所述的绝缘层使所述的第一反铁磁层和所述的第二反铁磁层磁隔离。11.根据权利要求1所述的自旋阀磁阻头，其中使所述的第一自旋阀的所述的第一磁化闭合层与所述的第一硬磁层形成接触，并且所述的第一磁化闭合层在所述的第一方向的磁化，通过所述第一硬磁层被固定。和使所述的第二自旋阀器件的所述的第二磁化闭合层与第二硬磁层形成接触，并且所述的第二磁化闭合层在所述的第二方向的磁化，通过所述第二硬磁层被固定。12.根据权利要求1所述的自旋阀磁阻头，其中所述的第一自旋阀器件的所述的第一磁化闭合层是由第一硬磁材料形成的，和所述的第二自旋阀器件的所述的第二磁化闭合层是由第二硬磁材料形成的。13.一种磁存储装置，包括(a)再生磁头，包括，(1)具有经过第一非磁性中间层在第一方向上被磁化的第一磁化自由层和第一磁化闭合层的第一自旋阀器件，(2)在所述的第一自旋阀器件上直接或经过绝缘层形成的，并且具有在第二方向上经过第二非磁性中间层被磁化的第二磁化自由层和第二磁化闭合层的第二自旋阀器件，使所述的第二方向与所述的第一方向成逆平行，和(3)与所述的第一自旋阀器件和所述的第二自旋阀器件连接的许多电极；(b)分别向所述的第一自旋阀器件和所述的第二自旋阀器件供给恒流电流的电流源；和(c)在施加外信号磁场时根据差分基理检出所述的第一自旋阀器件和所述的第二自旋阀器件的输出信号的电路。14.制造自旋阀磁阻头的方法包括的步骤为在底基层上顺序形成第一磁化自由层、第一非磁性中间层、第一磁化闭合层和第一反铁磁层；在所述的第一反铁磁层上形成非磁性绝缘层；在所述的非磁性绝缘层上顺序形成第二磁化自由层、第二非磁性中间层、第二磁化闭合层和第二反铁磁层；和对所述的第一磁化自由层、所述的第一非磁性中间层、所述的第一磁化闭合层、所述的第一反铁磁层、所述的非磁性绝缘层、所述的第二磁化自由层、所述的第二非磁性中间层，所述的第二磁性闭合层和所述的第二反铁磁层制作图形；由所述的第一磁化自由层到所述的第一反铁磁层形成第一自旋阀器件而由所述的第二磁化自由层到所述的第二反铁磁层形成第二自旋阀器件。15.根据权利要求14所述的制造自旋阀磁阻头的方法，其中所述的第一反铁磁层和所述的第二反铁磁层中的至少一层是用导电材料制成。16.根据权利要求14所述的制造自旋阀磁阻头的方法包括另外的步骤以第一方向施加磁场并以第一温度加热，在真空状态中形成所述的第一磁化闭合层和所述的第一反铁磁层；和以不同于所述的第一方向的第二方向施加磁场并以低于所述的第一温度的第二温度加热，用阻塞温度比所述的第一反铁磁层的材料的阻塞温度低的材料制成所述的第二磁化闭合层和所述的第二反铁磁层。17.根据权利要求14所述的制造自旋阀磁阻头的方法包括另外的步骤在形成所述的第一磁化自由层、所述的第一非磁性中间层和所述的第一磁化闭合层以后，以第一温度并在第一方向上施加磁场进行热处理，使所述的第一磁化闭合层磁化，和在形成所述的第二磁化自由层、所述的第二非磁性中间层和所述的第二磁化闭合层以后，以低于所述的第一温度的第二温度在不同于所述的第一方向的第二方向上施加的磁场进行热处理，使所述的第二磁化闭合层磁化。18.根据权利要求14所述的制造自旋阀磁阻头法的方法，包括在用具有高阻塞温度的第一材料形成所述的第一反铁磁层和用具有低阻塞温度的第二材料形成所述的第二反铁磁层以后的另外步骤在第一方向上施加第一磁场和以第一温度对形成的结构进行加热，以产生第一反铁磁层的交换耦合；和在不同于所述的第一方向的第二方向上施加磁场并以低于所述的第一温度的第二温度对所述形成的结构进行加热，以形成第二反铁磁层的交换耦合。19.根据权利要求14所述的制造自旋阀磁阻头的方法，其中用第一硬磁层取代所述的第一反铁磁层而用第二硬磁层取代所述的第二反铁磁层。20.根据权利要求19所述的制造自旋阀磁阻头的方法，其中用矫顽磁力比所述的第二硬磁层的材料的矫顽磁力高的材料制成所述的第一硬磁层，并用比磁化所述的第二硬磁层所使用的磁场弱的磁场磁化所述的第一硬磁层。21.制造自旋阀磁阻头的方法包括的步骤为在底基层上顺序形成第一反铁磁层、第一磁化闭合层、第一非磁性中间层和第一磁化自由层；在所述的第一磁化自由层上形成非磁性绝缘层；在所述的非磁性绝缘层上顺序形成第二磁化自由层、第二非磁性中间层、第二磁化闭合层和第二反铁磁层；和对所述的第一反铁磁层、所述的第一磁化闭合层、所述的第一非磁性中间层、所述的第一磁化自由层、所述的非磁性绝缘层、所述的第二磁化自由层、所述的第二非磁性中间层、所述的第二磁化闭合层和所述的反铁磁层制作图形；从而由所述的第一反铁磁层到所述的第一磁化自由层组成第一自旋阀器件而所述的第二磁化自由层到所述的第二反铁磁层组成第二自旋阀器件。22.根据权利要求21所述的制造自旋阀磁阻头的方法，其中所述的第一反铁磁层和所述的第二反铁磁层中的至少一层是用导电材料形成。23.根据权利要求21所述的制造自旋阀磁阻头的方法包括另外的步骤在第一方向上施加磁场和并以第一温度加热，在真空状态中形成所述的第一磁化闭合层和所述的第一反铁磁层；和在不同于所述的第一方向的第二方向上施加磁场并以比所述的第一温度低的第二温度加热，用具有比所述的第一反铁磁层的材料的阻塞温度低的阻塞温度的材料制成所述的第二磁化闭合层和所述的第二反铁磁层。24.根据权利要求21所述的制造自旋阀磁阻头的方法，包括另外的步骤在形成所述的第一磁化自由层、所述的第一非磁性中间层和所述的第一磁化闭合层以后，以第一温度并在第一方向上施加磁场进行热处理，以磁化所述的第一磁化闭合层；和在形成所述的第二磁化自由层、所述的第二非磁性中间层和所述的第二磁化闭合层以后，以低于所述的第一温度的第二温度并在不同于所述的第一方向的第二方向上施加磁场进行热处理以磁化所述的第二磁化闭合层。25.根据权利要求21所述的制造自旋阀磁阻头的方法包括在用具有高阻塞温度的第一材料形成所述的第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：大塚善德，沟下义文，越川誉生，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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