【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁记录装置,具体涉及到每平方英寸上有2千兆位以上记录密度的磁存储装置以及用于实现这种装置的低噪声薄膜磁记录媒体。当前,对磁存储装置大容量化的要求与日俱增。传统的磁头采用的是利用伴随磁通随时间变化而发生电压变化的电磁感应型磁头。这是用一个磁头来进行记录与再生两方面的工作。与此相反,近年来在记录与再生用磁头之外,正急速地采用复合型磁头,其中采用了比再生用磁头具有更高灵敏度的磁致电阻型磁头。这种磁致电阻型磁头利用了磁头元件的电阻会随媒体的漏磁通的变化而变化的现象。此外正在开发具有更高灵敏度的磁头,这种磁头利用了将多个磁性层叠夹于一批非磁性层之间所形成的叠层型磁性层产生的巨大磁致电阻变化(巨大的磁致电阻效应或自旋阀效应)。上述效应是插设在非磁性层之间的一批磁性层的磁化相对方向由于媒体的漏磁通而发生变化,由此而使电阻变化。当前已实用化的磁记录媒体,作为磁性层采用的是CoCrPt、CoCrTa、CoNiCr等以Co为主要成分的合金。上述Co合金具有以c轴为易磁化轴的六方密集结构(hcp结构),因而作为面内的磁记录媒体最好具有使c轴沿此面内方向取向的晶体取向 ...
【技术保护点】
一种磁记录媒质,它包括在基片上的通过多层底层叠层而形成的磁性层,此多层底层中至少有一层是由含Co的无定形材料或是细微晶体材料组成。
【技术特征摘要】
JP 1996-5-20 124334/96;WO 1996-8-5 PCT/JP96/021981.一种磁记录媒质,它包括在基片上的通过多层底层叠层而形成的磁性层,此多层底层中至少有一层是由含Co的无定形材料或是细微晶体材料组成。2.如权利要求1所述的磁记录媒质,特征在于在上述含Co的底层与磁性层之间形成了基本上是体心立方结构的底层,且上述磁性层是具有基本上属密集六方晶格结构的以Co为主要成分的合金。3.如权利要求1所述的磁记录媒质,特征在于由上述含Co材料组成的底层中的晶粒平均粒度在8nm以下。4.一种磁记录媒质,它包括在基片上的通过多层底层叠层形成的磁性层,此多层底层中的至少一层是由从Ti、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Si、B所成的第一组中选取至少一种添加元素和含Co的合金材料组成的层,而且这一层的剩余磁通密度与层厚之积是在上述磁性层的剩余磁通密度与层厚之积的20%以下。5.如权利要求4所述的磁记录媒质,特征在于于上述含Co的底层与磁性之间形成了具有基本上为体心立方晶格结构的底层,且上述磁性层是具有基本上为密集六方晶格结构的以Co为主要成分的合金。6.如权利要求4所述的磁记录媒质,特征在于前述含Co的底层中所含第一种添加元素的浓度在5at%以上和在70at%以下。7.如权利要求4所述的磁记录媒质,特征在于上述由含Co材料组成的底层中晶粒的平均粒度在8nm以下。8.如权利要求4所述的磁记录媒质,特征在于,上述由含Co材料组成的底层还含有从Cr、V、Mn所成的第二组中选取的至少一种第二种添加元素。9.一种磁记录媒质,它具有通过在基片上的单层或多层底层形成的磁性层,上述单层或多层底层中的至少一层是由含有从Cr、Mo、V、Ta所成的第三组中选取的至少一种元素为主要成分,同时含有从B、C、P、Bi所成的第四组中选取的至少一种元素的合金材料组成。10.如权利要求9所述的磁记录媒质,特征在于在由上述第三组中选取的至少一种元素为主要成分且含有从所述第四组中选取的至少一种元素的合金材料组成的底层中,从此第四组中选取的元素其浓度在1at%以上和20at%以下。11.一种磁记录媒质,它包括在基片上通过单层或多层底层形成的磁性层,上述单层或多层底层中的至少一层是由含有Ti的,且含有从Cr、Mo、V、Ta所成的第三组中选取至少一种元素为主要成分,同时含有由B、C、P、Bi所成的第四组中选取至少一种元素的合金材料组成。12.如权利要求11所述的磁记录媒质,特征在于由含有上述第三组中选取的至少一种元素为主要成分且含有由第四组中选取的至少一种元素的合金材料组成的底层,实质上是由Cr、B与Ti组成。13.如权利要求11所述的磁记录媒质,特征在于由含有上述第三组中选取的至少一种元素为主要成分且含有由第四组中选取的至少一种元素的合金材料组成的底层,实质是由Zr、C与Ti组成。14.如权利要求11所述的磁记录媒质,特征在于在由含有上述第三组中选取的至少一种元素为主要成分且含有由第四组中选取的至少一种元素的合金材料组成的底层中,此第四组中所选取的元素浓度在1at%以上和20at%以下。15.一种磁存储装置,它包括具有在基片上通过多个底层形成的磁性层的面内磁记录媒质;驱动此媒质沿记录方向运动的驱动部;由记录部与再生部组成的磁...
【专利技术属性】
技术研发人员:神边哲也,石川晃,玉井一郎,屋久四男,细江让,棚桥究,松田好文,片冈宏之,大野俊典,深谷信二,宇良和浩,远藤直人,山本朋生,
申请(专利权)人:株式会社日立制作所,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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