一种化合物及其应用制造技术

技术编号:30708174 阅读:21 留言:0更新日期:2021-11-10 10:59
本发明专利技术提供了一种化合物及其应用,所述化合物具有式I结构,所述化合物用作有机电致发光器件中的电子传输层的材料;所述有机电致发光器件包括第一电极、第二电极以及在所述第一电极和第二电极之间的有机层,所述有机层中含有所述化合物中的任意一种或至少两种组合;该化合物具有较高的电子注入和迁移性能;将该化合物作为电子传输层材料用于有机电致发光器件中,能够提高器件的发光效率,并降低器件的启动电压。启动电压。

【技术实现步骤摘要】
一种化合物及其应用


[0001]本专利技术涉及有机电致发光
,特别涉及一种化合物及其应用,尤其涉及一种化合物及其应用、包含其的有机电致发光器件。

技术介绍

[0002]有机电致发光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件是一类具有类三明治结构的器件,包括正负电极膜层及夹在电极膜层之间的有机功能材料层。对OLED器件的电极施加电压,正电荷从正极注入,负电荷从负极注入,在电场作用下正负电荷在有机层中迁移相遇复合发光。由于OLED器件具有亮度高、响应快、视角宽、工艺简单、可柔性化等优点,在新型显示
和新型照明
备受关注。目前,该技术已被广泛应用于新型照明灯具、智能手机及平板电脑等产品的显示面板,进一步还将向电视等大尺寸显示产品应用领域扩展,是一种发展快、技术要求高的新型显示技术。
[0003]随着OLED在照明和显示两大领域的不断推进,人们对于其核心材料的研究也更加关注。这是因为一个效率好、寿命长的OLED器件通常是器件结构以及各种有机材料的优化搭配的结果,这就为化学家们设计开发各种结构的功能化材料提供了极大的机遇和挑战。常见的功能化有机材料有:空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、电子注入材料、电子传输材料,电子阻挡材料以及发光主体材料和发光客体(染料)等。
[0004]制备驱动电压更低、发光效率更好、器件使用寿命更长的OLED发光器件,实现OLED器件的性能不断提升,不仅需要对OLED器件结构和制作工艺进行创新,更需要对OLED器件中的光电功能材料不断研究和创新,以制备出具有更高性能的功能材料。基于此,OLED材料界一直致力于开发新的有机电致发光材料以实现器件低启动电压、高发光效率和更优的使用寿命。
[0005]为了进一步满足对OLED器件的光电性能不断提升的需求,以及移动化电子器件对于节能的需求,需要不断地开发新型的、高效的OLED材料,其中开发新的具有高电子注入能力和高迁移率的电子传输材料具有很重要的意义。

技术实现思路

[0006]针对现有技术的不足,本专利技术的目的之一在于提供一种化合物,所述化合物具有式(I)的结构:
[0007][0008]式(I)中,R
a
独立地选自氘、卤素、氰基、硝基、羟基、C1-C12的链状烷基、C1-C12的烷氧基、C3-C12的环烷基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C3-C60杂芳基中的任意一种,且R
a
与母环以单键相连,所述母环为吡啶并三氮唑,若后文有出现母环,指代的
意义均与此处相同,后文不再进行具体赘述;
[0009]式(I)中,b为0-4的整数(例如0、1、2、3或4),其中,若b的取值大于1时,母环上取代有至少两个R
a
,至少两个R
a
可以选自相同的基团,也可以选自不同的基团,本领域技术人员可根据实际需要进行选择调整;后文指代的意义均与此处相同,不再进行赘述;
[0010]式(I)中,b为2-4的整数(例如2、3或4),R
a
之间相互不连接成环;
[0011]式(I)中,L选自单键、C1-C12的链状亚烷基、C3-C12的亚环烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C3-C30亚杂芳基中的任意一种;
[0012]式(I)中,Ar选自氰基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C3-C60杂芳基中的任意一种;
[0013]R
a
、L和Ar中,所述取代的基团各自独立地选自卤素、氰基、硝基、羟基、C1-C12链状烷基、C3-C10环烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10硫代烷氧基、C6-C30芳基氨基、C3-C30杂芳基氨基、C6-C30单环芳基、C10-C30稠环芳基、C3-C30单环杂芳基、C6-C30稠环杂芳基中的一种或者至少两种的组合,其中卤素包括氟、氯、溴以及碘等;单环芳基是指分子中含有一个或至少两个苯基,当分子中含有至少两个苯基时,苯基之间相互独立,通过单键进行连接,示例性地如苯基、二联苯基、三联苯基等;稠环芳基是指分子中含有至少两个苯环,但苯环之间并不相互独立,而是共用环边彼此稠合起来,示例性地如萘基、蒽基、芘基、苝基、基等;单环杂芳基是指分子中含有至少一个杂芳基,当分子中含有一个杂芳基和其他基团(如芳基、杂芳基、烷基等)时,杂芳基和其他基团之间相互独立,通过单键进行连接,示例性地如吡啶、呋喃、噻吩等;稠环杂芳基是指由至少一个苯基和至少一个杂芳基稠合而成,或,由至少两种杂芳环稠合而成,示例性地如喹啉、异喹啉、邻菲啰林、苯并呋喃,二苯并呋喃,苯并噻吩,二苯并噻吩等。
[0014]在本专利技术中,Ca-Cb表示该基团具有的碳原子数为a-b,如C1-C10表示基团的碳原子数为1-10,需要说明的是该碳原子数不包括取代基的碳原子数。
[0015]所述C1-C12可以为C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11。
[0016]所述C3-C12可以为C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11。
[0017]所述C6-C60可以为C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28、C30、C32、C34、C36、C38、C40、C42、C44、C46、C48、C50、C52、C54、C56、C58等。
[0018]所述C3-C60可以为C4、C6、C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28、C30、C32、C34、C36、C38、C40、C42、C44、C46、C48、C50、C52、C54、C56、C58等。
[0019]所述C3-C30可以为C4、C6、C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28、C30等。
[0020]所述C6-C30可以为C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28、C30等。
[0021]所述C6-C40可以为C8、C10、C12、C14、C16、C18、C20、C22、C24、C26、C28、C30、C32、C34、C36、C38等。
[0022]所述C1-C10可以为C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9等。
[0023]所述C1-C6可以为C2、C3、C4、C5等。
[0024]本专利技术中,涉及的“杂芳基”中的杂原子通常选自N、O或S中的任意一种或至少两种的组合;后文中若涉及“杂芳基”,其中的杂原子的选择均与此处相同,后文不做具体赘述。
[0025]本专利技术提供的化合物以吡啶并三氮唑为母环,通过引入氰基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C3-C60杂芳基形成新的电子传输材料,所形成的新材料具有良好
的分子偶极矩及蒸镀成膜性从而使该化合物具有较高的电子注入和迁移性能。
[0026]本专利技术提供的化合物用于有机电致发光器件中能够提高器件的电子注入和迁移效率,从而提高器本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化合物,其特征在于,所述化合物具有式(I)的结构:式(I)中,R
a
独立地选自氘、卤素、氰基、硝基、羟基、C1-C12的链状烷基、C1-C12的烷氧基、C3-C12的环烷基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C3-C60杂芳基中的任意一种,且R
a
与母环以单键相连,所述母环为吡啶并三氮唑;式(I)中,b为0-4的整数;式(I)中,L选自单键、C1-C12的链状亚烷基、C3-C12的亚环烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C3-C30亚杂芳基中的任意一种;式(I)中,Ar选自氰基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C3-C60杂芳基中的任意一种;R
a
、L和Ar中,所述取代的基团各自独立地选自卤素、氰基、硝基、羟基、C1-C12链状烷基、C3-C10环烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10硫代烷氧基、C6-C30芳基氨基、C3-C30杂芳基氨基、C6-C30单环芳基、C10-C30稠环芳基、C3-C30单环杂芳基、C6-C30稠环杂芳基中的一种或者至少两种的组合。2.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述R
a
独立地选自取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C3-C60杂芳基中的任意一种;优选地,所述R
a
独立地选自取代或未取代的C6-C40芳基中的任意一种。3.根据权利要求2所述的化合物,其特征在于,所述R
a
独立地选自如下取代或未取代的基团中的任意一种:其中,*表示连接位点;优选地,所述R
a
独立地选自如下基团中的任意一种:
4.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述b为0或1。5.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述L选自取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C3-C30亚杂芳基中的任意一种;优选地,所述L选自取代或未取代的C6-C30亚芳基;优选地,所述L选自如下取代或未取代的基团中的任意一种:其中,*表示连接位点;优选地,所述L选自如下取代或未取代的基团中的任意一种:6.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述Ar选自取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C3-C30杂芳基中的任意一种;优选地,所述Ar选自取代或未取代的C3-C30杂芳基中的任意一种;优选地,所述Ar选自取代或未取代的C3-C30缺电子杂芳基中的任意一种。7.根据权利要求6所述的化合物,其特征在于,所述Ar选自(Hy-1)-(Hy-4)基团中的任意一种:
(Hy-1)中,所述Y1、Y2、Y3、Y4、Y5和Y6各自独立地选自CR或N原子,且Y1、Y2、Y3、Y4、Y5和Y6中至少有一项为N原子;(Hy-2)中,所述Z1、Z2、Z3、Z4和Z5各自独立地选自CR或N原子,且Z1、...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙恩涛方仁杰刘叔尧吴俊宇
申请(专利权)人:北京鼎材科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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