本发明专利技术提供一种电子装置，包含第一相位延迟元件、第二相位延迟元件以及液晶层，第二相位延迟元件设置于第一相位延迟元件上，液晶层设置于第一相位延迟元件与第二相位延迟元件之间，且液晶层包含手性剂，手性剂的节距介于7微米至25微米之间。第一相位延迟元件具有第一平面内光延迟值及第一平面外光延迟值，第二相位延迟元件具有第二平面内光延迟值及第二平面外光延迟值，第一平面内光延迟值及第二平面内光延迟值介于20纳米至70纳米之间，且第一平面外光延迟值及第二平面外光延迟值介于170纳米至210纳米之间。米至210纳米之间。米至210纳米之间。
【技术实现步骤摘要】
电子装置
[0001]本专利技术涉及一种电子装置，特别涉及一种具有相位延迟元件的电子装置。
技术介绍
[0002]随着电子产品的蓬勃发展，消费者对电子产品的品质、功能及价格抱有很高的期望，例如朝高解析度的电子产品开发。然而电子装置仍未在各个方面皆符合期待，例如，不同视角下的暗态明显漏光或面板亮度不均。因此，发展出能够进一步改善电子装置品质或效能的结构设计仍为目前业界致力研究的课题之一。
技术实现思路
[0003]根据本专利技术一些实施例，提供一种电子装置，其特征在于，包含第一相位延迟元件、第二相位延迟元件以及液晶层，第二相位延迟元件设置于第一相位延迟元件上，液晶层设置于第一相位延迟元件与第二相位延迟元件之间，且液晶层包含手性剂，手性剂的节距介于7微米至25微米之间。第一相位延迟元件具有第一平面内光延迟值及第一平面外光延迟值，第二相位延迟元件具有第二平面内光延迟值及第二平面外光延迟值，第一平面内光延迟值及第二平面内光延迟值介于20纳米至70纳米之间，且第一平面外光延迟值及第二平面外光延迟值介于170纳米至210纳米之间。
附图说明
[0004]为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本专利技术的具体实施方式作详细说明，其中：
[0005]图1显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；
[0006]图2显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；
[0007]图3显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；
[0008]图4显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；
[0009]图5显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；
[0010]图6显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的光学分析结果图；
[0011]图7显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；
[0012]图8显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的子像素区域的上视结构示意图；
[0013]图9显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的子像素区域的上视结构示意图；
[0014]图10显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图。
[0015]符号说明
[0016]10、20、30、40、50、60、70 电子装置；
[0017]100 第一相位延迟元件；
[0018]101 第一基板；
[0019]101s 第一基底；
[0020]101x 电路层；
[0021]103 相位延迟层；
[0022]103a 第一相位延迟层；
[0023]103b 第二相位延迟层；
[0024]111 第一电极层；
[0025]111A 主部；
[0026]111B 分支部；
[0027]113 第一配向层；
[0028]200 第二相位延迟元件；
[0029]201 第二基板；
[0030]201s 第二基底；
[0031]201x 彩色滤光层；
[0032]203 相位延迟层；
[0033]203a 第三相位延迟层；
[0034]203b 第四相位延迟层；
[0035]211 第二电极层；
[0036]213 第二配向层；
[0037]300 液晶层；
[0038]402a 第一偏光层；
[0039]402b 第二偏光层；
[0040]A-A
’ꢀ
截线；
[0041]O
1 第一开口；
[0042]O
2 第二开口；
[0043]PN 面板；
[0044]P1 第一部分；
[0045]P2 第二部分；
[0046]P3 第三部分；
[0047]P4 第四部分；
[0048]SP 子像素区域；
[0049]θ 夹角；
[0050]方位角；
[0051]θ
1 第一夹角；
[0052]θ
2 第二夹角；
[0053]θ
3 第三夹角；
[0054]θ
4 第三夹角；
[0055]θ
t 夹角。
具体实施方式
[0056]以下针对本专利技术实施例的电子装置作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许
多不同的实施例，用以实施本专利技术一些实施例的不同样态。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单清楚描述本专利技术一些实施例。当然，这些仅用以举例而非本专利技术的限定。此外，在不同实施例中可能使用类似和/或对应的标号标示类似和/或对应的元件，以清楚描述本专利技术。然而，这些类似和/或对应的标号的使用仅为了简单清楚地叙述本专利技术一些实施例，不代表所讨论的不同实施例和/或结构之间具有任何关联性。
[0057]透过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本专利技术，须注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本专利技术中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本专利技术的范围。
[0058]应理解的是，附图的元件或装置可以所属
的技术人员所熟知的各种形式存在。此外实施例中可能使用相对性用语，例如「较低」或「底部」或「较高」或「顶部」，以描述附图的一个元件对于另一元件的相对关系。可理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在「较低」侧的元件将会成为在「较高」侧的元件。本专利技术实施例可配合附图一并理解，本专利技术的附图亦被视为专利技术说明的一部分。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形，或者，其间亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。
[0059]本专利技术通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，「包括」、「含有」、「具有」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为
…
」之意。因此，当本专利技术的描述中使用术语「包括」、「含有」和/或「具有」时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在。
[0060]本文中所提到的方向用语，例如：「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本专利技术。在附图中，各附图示出的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：一第一相位延迟元件；一第二相位延迟元件，设置于所述第一相位延迟元件上；以及一液晶层，设置于所述第一相位延迟元件与所述第二相位延迟元件之间，所述液晶层包括一手性剂，且所述手性剂的节距介于7微米至25微米之间；其中所述第一相位延迟元件具有一第一平面内光延迟值及一第一平面外光延迟值，所述第二相位延迟元件具有一第二平面内光延迟值及一第二平面外光延迟值，所述第一平面内光延迟值及所述第二平面内光延迟值介于20纳米至70纳米之间，且所述第一平面外光延迟值及所述第二平面外光延迟值介于170纳米至210纳米之间。2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一平面内光延迟值及所述第二平面内光延迟值介于30纳米至60纳米之间，且所述第一平面外光延迟值及所述第二平面外光延迟值介于180纳米至200纳米之间。3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一平面内光延迟值与所述第二平面内光延迟值相同，且所述第一平面外光延迟值与所述第二平面外光延迟值相同。4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，更包括：一第一偏光层，邻近于所述第一相位延迟元件；以及一第二偏光层，邻近于所述第二相位延迟元件；其中所述第一相位延迟元件包括一第一相位延迟层及一第二相位延迟层，所述第二相位延迟元件包括一第三相位延迟层及一第四相位延迟层，所述第一相位延迟层位于所述第二相位延迟层与所述第一偏光层之间，且所述第三相位延迟层位于所述第四相位延迟层与所述第二偏光层之间。5.如权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述第一相位延迟层与所述第三相位延迟层的材料相同，且所述第二相位延迟层与所述第四相位延迟层的材料相同。6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，更包括：一第一偏光层，所述第一相位延迟元件设置于所述第一偏光层与所述液晶层之间，其中所述第一相位延迟元件包括一第一基板、一第一相位延迟层以及一第二相...
【专利技术属性】
技术研发人员：何宇胜，陈怡欣，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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