光学记录介质和其中所采用的二吡咯甲烷金属螯合物制造技术

＊＊＊ （１） 本文公开了在底物上具有至少一记录层和反射层的新的光学记录介质，其中在记录层中包含至少一种式（１）代表的二吡咯甲烷金属螯合物。其中Ｒ↓［１］和Ｒ↓［９］各自独立地为链烯基、芳基或芳杂芳基；Ｒ↓［２］至Ｒ↓［８］各自独立地为氢原子、卤原子、或具有２０或更少碳原子的取代或未取代的烷基、烷氧基、链烯基、酰基、烷氧基羰基、芳烷基、芳基或杂芳基；Ｍ为过渡金属。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种其中采用二吡咯甲烷金属螯合物，并且与通常情况相比，在更高的密度下为可记录和可重现的光学记录介质。目前，作为一种与CD相比，具有更大容量的光学记录介质，已开发并且商业化了具有4.7GB容量的数字录像盘。DVD为ROM介质，因此希望具有相应容量的可记录和可重现的光学记录介质。在DVDS中，一次性书写的类型被称为DVD-R。在DVD中，为了实现高密度记录，激光束的振动波长在约630nm-680nm的范围内，它为比CD情况下更短的波长。作为用于可在该短波长中被采用的含有机染料的光学记录介质的染料，在日本申请公开号74690/1992,38878/1993,40161/1994,40162/1994,199045/1994,336086/1994,76169/1995,125441/1995,262604/1995,156218/1997,193544/1997,193545/1997,193547/1997,194748/1997,202052/1997,267562/1997和274732/1997中已建议了花青染料，偶氮染料，苯并吡喃类型染料，苯并二呋喃酮类型染料，靛类染料，二恶嗪类型染料和卟啉类型染料。然而，这些常规技术具有染料耐久性及尤其是使用短波长所特有的一些问题。例如，当用聚焦激光束打开一个小的纹孔时，其周边广泛被影响，这样不利地形成大大扩大的纹孔。这种不利导致振动的恶化和径向交调失真。相反地，在一些常规技术中，有时形成极其细小的纹孔，并且这种不利导致受调放大器失准。此外，当选择一种具有不适宜的光学常数(折射率和消光系数)的有机染料并在所希望的激光波长下用于记录层时，发生反射度，敏感性等的偏差。目前仍未根本上克服这些缺陷。本专利技术的一个目的是提供一种光学记录介质，其用具有520-690nm波长的短波激光可记录和可重现。具有极好的耐久性，并适用于高密度记录。本专利技术人已建议一种适用于高密度记录的可记录和可重现的光学记录介质，在这种记录介质中，采用二吡咯甲烷金属螯合物作为有机染料(日本专利申请公开号226172/1998)。本专利技术人已进一步广泛研究了其中采用二吡咯甲烷金属螯合物的光学记录介质。结果，已发现选择具有包含乙烯基或卤原子的取代基，取代基，如将特定的芳基或杂芳基引入吡咯环的α-位的二吡咯甲烷金属螯合物，或铜或钴作为上面二吡咯甲烷金属螯合物中的配位金属，并在记录层中使用两种或多种所选择的二吡咯甲烷金属螯合物可提供一种光学记录介质，其中由有机染料的缺陷导致的反射度和敏感性的偏差，即光学特性的波长依赖性被抑制，并且在不稳定性和耐久性方面是极好的。因此，已完成本专利技术。也就是说，本专利技术的各个方面如下。1．本专利技术的第一个方面涉及一种在底物上具有至少一层记录层和一层反射层的光学记录介质，其中在该记录层中包含至少一种式(Ⅰ)代表的二吡咯甲烷金属螯合物 其中R1和R9各自独立地为链烯基、芳基或杂芳基；R2至R8各自独立地为氢原子、卤原子、或具有20或更少碳原子的取代或未取代的烷基、烷氧基、链烯基、酰基、烷氧基羰基、芳烷基、芳基或杂芳基；及M为过渡金属。2．本专利技术的第二个方面涉及根据上面段落1的光学记录介质，其中式(1)中的R1为-CH=CH-R10，其中R10为氢原子，卤原子，具有20个或更少碳原子的取代或未取代的烷基、烷氧基、链烯基、酰基、烷氧羰基。3．本专利技术的第三个方面是涉及根据上面段落1的光学记录介质，其中式(1)中的R1为具有20或更少碳原子的取代或未取代的芳基或杂芳基，及M为铜或钴。4．本专利技术的第四个方面是涉及根据上面段落3的光学记录介质，其中式(1)中的R1和R3为具有20或更少碳原子的同时取代或未取代的芳基或杂芳基。5．本专利技术的第五个方面是涉及根据上面段落4的光学记录介质，其中式(1)中的R1,R3和R9为具有20或更少碳原子的取代或未取代的芳基，并且至少一个芳基被卤素取代，或至少R2,R4至R8中的一个为卤原子。6．本专利技术的第六个方面是涉及根据上面段落1-5任一段的光学记录介质，其中该记录层进一步包括至少一种另外的由式(2)代表的二吡咯金属螯合物 其中R11-R17各自独立地为氢原子、卤原子、硝基、氰基、羟基、氨基、羧基、磺酸基，或具有20或更少碳原子的取代或未取代的烷基、烷氧基、烷硫基、芳氧基、芳硫基、链烯基、酰基、烷氧羰基、氨基甲酰基、酰基氨基、芳烷基、芳基或杂芳基，及R15和R16可相互结合形成可具有至少一个取代基的芳环；和M’为过渡元素。7．本专利技术的第七个方面是涉及根据上面段落6的光学记录介质，其中另外的二吡咯甲烷金属螯合物选自式(3)代表的化合物 其中R19-R25各自独立地为氢原子、卤原子、硝基、氰基、羟基、氨基、羧基、磺酸基，或具有20或更少碳原子的取代或未取代的烷基、烷氧基、烷硫基、芳氧基、芳硫基、链烯基、酰基、烷氧羰基、氨基甲酰基、酰基氨基或芳烷基；R18和R26各自独立地为链烯基或芳基；和M”为铜或钴。8．本专利技术的第八个方面是涉及根据上面段落1-7任一段的光学记录介质，其中在520-690nm的激光波长下，记录层的折射率和消光系数分别为1.8或更大及0.04-0.40。9．本专利技术的第九个方面是涉及根据上面段落1-7任一段的光学记录介质，其可被在520-690nm的波长范围内选择的激光束记录和再现。10．式(4)代表的二吡咯甲烷金属螯合物 其中R27-R35各自独立地为氢原子，卤原子，或具有20或更少碳原子的取代或未取代的烷基、烷氧基、链烯基、酰基、烷氧羰基、芳烷基、芳基或杂芳基；和M为过渡元素。采用至少一种本专利技术的二吡咯甲烷金属螯合物作为记录层能提供非常引入注目的高密度记录介质，可被具有520-690nm波长的激光束记录和再现的，并且耐久性极佳的一次性书写类型的光学记录介质。附图说明图1为截面结构图，说明通常情况和本专利技术的光学记录介质的层组成。现在，详细说明本专利技术。在由式(1)代表的二吡咯甲烷金属螯合物中，R1和R9各自独立地为链烯基、芳基或杂芳基，R2-R8各自独立地为氢原子、卤原子，或具有20或更少碳原子的取代或未取代的烷基、烷氧基、链烯基、酰基、烷氧羰基、芳烷基、芳基或杂芳基。由R1和R9代表的芳基的例子包括具有20或更少碳原子的取代和未取代的芳基，如苯基、硝基苯基、氰基苯基、羟基苯基、甲基苯基、乙基苯基、正丁基苯基、叔丁基苯基、环己基苯基、2,4-二甲基苯基、2,4-二异丙基苯基、2,4,6-三甲基苯基、2,6-二甲基-4-叔丁基苯基、氟苯基、氯苯基、溴苯基、碘苯基、2,4-二氟苯基、2,4-二氯苯基、2,4-二溴苯基、2,4-二碘苯基、甲氧基苯基、乙氧基苯基、正丁氧基苯基、异戊氧基苯基、三氟甲基苯基、N,N-二甲基氨基苯基、N,N-二乙基氨基苯基、N,N-二丁基氨基苯基、2-N,N-二乙基氨基-4-异丙基苯基、萘基、硝基萘基、氰基萘基、羟基萘基、甲基萘基、甲氧基萘基、氯萘基、溴萘基和三氟甲基萘基；R1和R9代表的杂芳基的例子包括具有20或更少碳原子的取代和未取代的杂芳基，如吡咯基、噻吩基、呋喃基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻二唑基、咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基和吲哚基。由R1和R9代表的链烯基的例子包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
在底物上具有至少一记录层和一反射层的光学记录介质，其中在该记录层中包含至少一种式（Ⅰ）代表的二吡咯甲烷金属螯合物：＊＊＊ （１）其中Ｒ↓［１］和Ｒ↓［９］各自独立地为链烯基、芳基或杂芳基；Ｒ↓［２］－Ｒ↓［８］各自独立地为氢原子、卤 原子，具有２０或更少碳原子的取代或未取代的烷基、烷氧基、链烯基、酰基、烷氧基羰基、芳烷基、芳基或杂芳基；和Ｍ为过渡金属。

【技术特征摘要】
JP 1998-5-19 136736/98;JP 1997-9-17 252010/97;JP 11．在底物上具有至少一记录层和一反射层的光学记录介质，其中在该记录层中包含至少一种式(Ⅰ)代表的二吡咯甲烷金属螯合物其中R1和R9各自独立地为链烯基、芳基或杂芳基；R2-R8各自独立地为氢原子、卤原子，具有20或更少碳原子的取代或未取代的烷基、烷氧基、链烯基、酰基、烷氧基羰基、芳烷基、芳基或杂芳基；和M为过渡金属。2．根据权利要求1的光学记录介质，其中式(1)的R1为-CH=CH-R10，其中R10为氢原子，卤原子，或具有20或更少碳原子的取代或未取代的烷基、烷氧基、链烯基、酰基、烷氧基羰基、芳烷基、芳基或杂芳基。3．根据权利要求1的光学记录介质，其中式(1)的R1为具有20或更少碳原子的取代或未取代的芳基或杂芳基，M为铜或钴。4．根据权利要求3的光学记录介质，其中式(1)中的R1和R3为具有20或更少碳原子的同时取代或未取代的芳基或杂芳基。5．根据权利要求4的光学记录介质，其中式(1)中的R1,R3和R9为具有20或更少碳原子的取代或未取代的芳基，并且至少一个芳基被卤素取代，或R2,R4-R8中至少一个为卤原子。6．根据权利要求1-5任一项的光学记录介质，其中记录...

【专利技术属性】
技术研发人员：三泽伝美，小木曾章，西本泰三，杉本贤一，塚原宇，沟上健二，诧摩启辅，加藤健一，政冈俊裕，熊谷洋二郎，
申请(专利权)人：三井化学株式会社，山本化成株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]