一种Ga系MAX相磁性材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于纳米新材料技术领域，本发明专利技术提供了一种Ga系MAX相磁性材料及其制备方法和应用，所述Ga系MAX相磁性材料的分子式表示为M2(Ga1‑

【技术实现步骤摘要】
一种Ga系MAX相磁性材料及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于纳米新材料
，尤其涉及一种Ga系MAX相磁性材料及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]MAX相材料是一类三元层状金属陶瓷材料的统称，这类化合物具有统一的化学式M
n+1
AX
n
(n＝1、2或3)，M代表早期过渡金属元素，例如Ti、V、Mo等；A主要为第13或14族的元素，例如Al、Ga、Si等；X表示C和/或N。MAX相材料的晶胞由M
n+1
X
n
单元与A原子面交替堆垛而成，形成近密堆积六方层状结构，其兼具金属和陶瓷特性，展现出了优异的物理、化学、机械、电学等性质。近年来，科学家们一直在理论预测并合成新的MAX相材料，通过掺杂、固溶或取代等手段进一步扩展MAX相的组分及性质。其中，磁性是非常有前景的一个方向，在纳米层状磁性材料中，磁性多层膜间的交换耦合会出现巨磁阻现象，这使得材料在数据存储、磁记录以及电子自旋领域等领域具有巨大的潜在应用。因此，磁性MAX相功能材料的合成及应用将会是未来MAX本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Ga系MAX相磁性材料，其特征在于，分子式为M2(Ga1‑
x
Z
x
)2X，其中M为Mo、Ti、Nb、Ta、V、Cr元素中的任意一种，Z为磁性金属元素，0<x<1，X为C、N的任意一种或组合；所述Ga系MAX相磁性材料具有双Ga层分隔MX层的层状结构。2.根据权利要求1所述的Ga系MAX相磁性材料，其特征在于，所述Z选自Mn、Fe、Co、Ni中的一种或两种以上的组合。3.根据权利要求1或2所述的Ga系MAX相磁性材料，其特征在于，所述X为C或C
a
N
b
，其中a+b＝1。4.权利要求1
‑
3中任一项所述Ga系MAX相磁性材料的制备方法，其特征在于，包括：采用分子式为M2Ga2X的MAX纳米材料，与二价磁性金属源物质在MAX相的A位进行置换反应，得到Ga系MAX相磁性材料；其中M为Mo、Ti、Nb、Ta、V、Cr元素中的任意一种，X为C、N的任意一种或组合。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体包括以下步...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋礼，王昌达，郭鑫，魏世强，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：