记录介质和存储设备制造技术

在一种可重写光学记录介质中，一个记录表面通过把径向间距间隔设置为常数而划分成多个区，并且在每个区中分配一个数据区域和一个用于缺陷扇区的备用区域。就每个区中的备用区域的容量而论，分配备用区域的预定总容量，从而备用区域的容量Ｄ２相对于数据区域的容量Ｄ１的备用比值Ｋ＝Ｄ２／Ｄ１变得几乎在诸区中相同。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种其中适当安排用来更替缺陷扇区的备用区域的记录介质，并且涉及一种存储设备。更具体地说，本专利技术涉及一种其中记录表面被划分成多个区、且每个区提供一个更替区域的记录介质，并且涉及一种存储设备。至今，作为用来光学记录和复制信息的可重写记录介质，已知一种磁光记录介质和一种相变记录介质。在磁光记录介质中，把磁性材料用于记录膜，把通过光的加热和通过磁场的磁化变化用于记录，及把磁光效应用于复制。在相变记录介质中，把根据通过由光加热造成的功率差的温度度数用于记录，并且把根据记录膜晶态的反射变化用于复制。在这样的光学记录介质中，当由于介质上缺陷等使记录区域变得不可用时，提供一个更替的备用区域。当记录区域被划分成多个组时，用于更替的备用区域被提供在每组的末端。例如，尽管根据ISO/IEC 10090的90mm(毫米)和128MB(兆字节)的磁光盒式盘使用CAV系统，但记录区域在格式化时能划分成1至1024的任意整数个组。用于更替的备用区域被提供在每组的末端处，并且每组备用扇区的数量相同。能安排在介质上的备用区域的容量受与上部设备的接口的限制。在SCSI接口的情况下，例如，能安排在介质中的备用扇区的数量限制为2248个扇区(约4.6MB)。因此，能安排在每组中的最大备用扇区数量由下式得到(每组扇区数量)＝(2248扇区)/(组数)因为根据ISO/IEC 13963的90mm和230MB的磁光盒式盘使用ZCAV系统，所以把记录区域划分成10个区。通过把每个区用作一个组，所有区能用作一组或10组。当诸区用作10组时，为每个区提供备用区域，并且每个区备用扇区的数量等于例如204，并且相同。另外，根据ISO/IEC 15041的90mm和640MB的磁光盒式盘也使用ZCAV系统。因此，在512字节/扇区的情况下，有18个区。在2048字节/扇区的情况下，有11个区。为每个区提供用于更替的备用区域。同样在这种情况下，每个区的备用扇区数量相同。例如，在18个区的情况下等于124个扇区，而在11个区的情况下等于204个扇区。在上述的光学记录介质中，当记录区域划分成区时，用于分配给每个区的更替的备用区域，具有通过把能分配给介质的最大数量备用扇区内的备用扇区预定总数、除以与每个区的记录容量无关的区数得到的数量的扇区。相反，因为由介质上的缺陷等造成的更替可能性在任何位置处都是均匀的，所以随着位置接近区中扇区数量较大的外周缘侧，在一个区中要更替的扇区数量变大。因此，如果备用区域已经完全用于相同区中的更替，则另一个区中的备用区域用作更替目的地。然而，当访问一个已经更替到另一个区的备用区域的缺陷扇区时，更替过程需要向/从其他区往复运动，并且查找所需的时间变得长出这样一个量。有访问性能降低的问题。在光学记录介质的容量相对小到128MB或230MB的情况下，即使把预定数量的备用扇区分配给每个区，最内区和最外区的容量差也不太大。即使在容量大的外侧上的区中，完全使用自备用区域的情形也不会出现。然而，当光学记录介质的容量增大到例如640MB时，如果排列相同数量的备用扇区，则在容量大的外侧上的区中完全使用自备用区域的可能性升高。当光学记录介质的容量进一步增大到，例如，是640MB的介质容量的两倍的1.3GB时，在容量大的外侧上的区中完全使用自备用区域的可能性进一步升高。存在这样的问题，由于在其他区中把备用区域用作更替目的地而使访问性能降低。根据本专利技术，这里提供了这样一种记录介质，其中当每个区提供交替使用的备用区域时，相同区中的备用区域被用作更替目的地，而不使用另一个区中的备用区域，由此能够保持访问性能。根据本专利技术，这里提供了一种其中把数据记录在记录表面上的记录介质。该记录介质具有多个通过在径向把记录表面划分成多个区域得到的区、和多个提供给每个区且用于缺陷扇区的更替的备用区域，其中在每个区中由备用区域占用的备用逻辑磁道的数量或备用逻辑扇区的数量，根据从用于记录表面上数据区域的总容量的备用区域的总容量、和每个区的数据区域容量得到的备用比值K确定。因此，每个区中的备用区域具有与数据区域相应的适当的容量，从而即使在数据容量大的外侧上，也能解决由于介质上的缺陷等使备用区域完全由更替使用、且更替另一个区中的备用区域的不便，并且即使当数据容量增大时，也能执行有效利用有限备用区域的更替过程。在每个区中由备用区域占用的备用逻辑磁道的数量或备用逻辑扇区的数量，被设置为根据通过把每个区中的逻辑磁道数量或数据区域的扇区数量乘以备用比值K得到的值确定的整数值。备用比值不仅在每个扇区中设置为常数，而且能加权，从而备用比值随着磁道位置接近外周缘而增大。这种方法是备用区域的最佳分配，其中考虑到余量随着磁道位置接近外周缘而减小的事实。通过如上述那样把在每个区中由备用区域占用的备用逻辑磁道的数量或备用逻辑扇区的数量设置为整数值，使在用来更替缺陷扇区的过程时的地址转换变得容易，并且减轻在存储设备侧由更替过程要求的负担，从而该过程能以高速执行。当在记录表面上的用户数据区的数量等于18，并且用户数据区中的备用逻辑磁道总数等于132时，诸区从用户区外侧指向内侧的备用逻辑磁道数量依次等于9、9、9、9、8、8、8、8、7、7、7、7、7、6、6、6、6、和5。当在记录表面上的用户数据区的数量等于11，并且用户数据区中的备用逻辑磁道总数等于132时，诸区从用户区外侧指向内侧的备用逻辑磁道数量依次等于15、14、14、13、13、12、11、11、10、10、和9。记录介质具有一种磁感应超限分辨(MSR)的记录和复制结构，其中在基片上形成至少一个用来以比激光束的束直径小的记录密度记录数据的记录层、和一个用复制磁场和复制激光功率的组合来复制记录在记录层中的数据的复制层。根据本专利技术的另一个实施例，这里提供了一种包括多个通过把记录表面以径向间距间隔划分成多个区域得到的区、和多个提供给每个区且用于缺陷扇区的更替的备用区域的记录介质，其中每个区的备用区域的间距间隔，根据由用于记录表面上数据区域的总容量的备用区域的总容量、和每个区的间距间隔得到的备用比值K确定。同样在这种情况下，备用比值不仅在每个区中为常数，而且能加权，从而备用比值随着磁道位置接近外周缘而增大。记录介质具有一种磁感应超限分辨(MSR)的记录和复制结构，其中在基片上形成至少一个用来以比激光束的束直径小的记录密度记录数据的记录层、和一个用复制磁场和复制激光功率的组合来复制记录在记录层中的数据的复制层。根据本专利技术，这里提供了一种存储设备，其中当在记录介质中给每个区提供用于更替的备用区域时，相同区中的备用区域用作更替目的地，而不使用另一个区中的备用区域，由此使访问性能能够保持。本专利技术的存储设备包括一个记录单元、一个复制单元、和一个缺陷处理单元。记录单元具有多个通过在径向把记录表面划分成多个区域得到的区、和多个提供给每个区且用于缺陷扇区的更替的备用区域。记录单元把数据记录到记录介质上，其中根据由用于记录表面上数据区域的总容量的备用区域的总容量、和每个区的数据区域的容量得到的备用比值K，确定(在每个区中由备用区域占用的备用逻辑磁道的数量)/(扇区数量)的比值。复制单元复制记录介质上的数据。当检测到记录介质上的缺陷扇区时，缺陷处理单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在其中把数据记录在记录表面上的记录介质，包括： 多个区，通过在径向把记录表面划分成多个部分得到；和 多个备用区域，为所述各区而提供，并且用于缺陷扇区的更替， 其中在每个区中由备用区域占用的备用逻辑磁道的数量或备用逻辑扇区的数量，根据从备用区域的总容量相对于所述记录表面上数据区域的总容量得到的备用比值Ｋ、和每个区的数据区域容量来确定。

【技术特征摘要】
JP 1998-7-21 205031/981.一种在其中把数据记录在记录表面上的记录介质，包括多个区，通过在径向把记录表面划分成多个部分得到；和多个备用区域，为所述各区而提供，并且用于缺陷扇区的更替，其中在每个区中由备用区域占用的备用逻辑磁道的数量或备用逻辑扇区的数量，根据从备用区域的总容量相对于所述记录表面上数据区域的总容量得到的备用比值K、和每个区的数据区域容量来确定。2.根据权利要求1所述的介质，其中在所述区的每个中由备用区域占用的备用逻辑磁道的数量或备用逻辑扇区的数量，等于根据通过把每个区中的逻辑磁道数量或数据区域的扇区数量乘以所述备用比值K得到的值而确定的整数值。3.根据权利要求2所述的介质，其中加权所述备用比值K，以便在外侧变大。4.根据权利要求1所述的介质，其中当在所述记录表面上的用户数据区的数量等于18，并且在所述用户数据区中的备用逻辑磁道总数等于132时，在从所述用户区外侧指向内侧的诸区中备用逻辑磁道数量依次等于9、9、9、8、8、8、8、7、7、7、7、7、6、6、6、6、5和5。5.根据权利要求1所述的介质，其中当在所述记录表面上的用户数据区的数量等于11，并且在所述用户数据区中的备用逻辑磁道总数等于132时，从所述用户区外侧指向内侧的诸区的备用逻辑磁道数量依次等于15、14、14、13、13、12、11、11、10、10、和9。6.根据权利要求1至4中任一项所述的介质，其中提供一种磁感应超限分辨(MSR)的记录和复制结构，其中在基片上形成至少一个用来以比激光束的束直径小的记录密度记录数据的记录层、和一个用复制磁场和复制激光功率的组合来复制记录在所述记录层中的数据的复制层。7.一种在其中把数据记录到一个记录表面上的记录介质，包括多个区，通过把所述记录表面以径向间距间隔划分成多个区域得到；和多个备用区域，为所述各区而提供，并且用于缺陷扇区的更替，其中每个区的备用区域的间距间隔，根据由备用区域的总容量相对于所述记录表面上数据区域的总容量得到的备用比值K、和每个区的间距间隔来确定。8.根据权利要求7所述的介质，其中加权所述备用比值K，以便在外侧变大。9.根据权利要求7所述的介质，其中提供一种磁感应超限分辨(MSR)的记录和复制结构，其中在基片上形成至少一个用来以比激光束的束直径小的记录密度记录数据的记录层、和一个用复制磁场和复制激光功率的组合来复制记录在所述记录层中的数据的复制层。10.一种存储设备，包括一个记录单元，具有多个通过在径向把记录表面划分成多个区域得到的区、和多个提供给所述各区且用于缺陷扇区的更替的备用区域，并且把数据记录到记录介质上，其中根据由备用区域的总容量相对于所述记录表面上数据区域的总容量得到的备用比值K、和每个区的数据区域的容量，来确定(在每个区中由备用区域占用的备用逻辑磁道的数量)/(扇区数量)的比值；一个复制单元，用来复制所述记录介质上的数据；及一个缺陷处理单元，用于当检测到所述记录介质中的缺陷扇区时，允许执行一个用来把更替扇区分配给所述缺陷扇区所属的区中的备用区域、且使用所述更替扇区的更替过...

【专利技术属性】
技术研发人员：沼田健彦，守部峰生，竹内厚，千叶照夫，
申请(专利权)人：富士通株式会社，索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]