一种低熔点金属及合金快速气体冷却装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种低熔点金属及合金快速气体冷却装置，涉及粉体制备技术领域，其技术方案要点包括依次连接的反应器、粒子生长器、气体冷却设备和收集器，所述气体冷却设备的两端均设置有连接法兰，且两个所述连接法兰分别用于与所述粒子生长器和所述收集器密封连接；所述气体冷却设备靠近所述粒子生长器的一端设置有多个入口冷却气体进气口，并在所述气体冷却设备的中间部位设置有多个侧壁冷却气体进气口。本实用新型专利技术具有显著增加与粒子生长器相连接的气体冷却设备的冷却效果，以使得低熔点金属及合金粉体快速降温定形，达到减少粉体烧结的现象，获得形貌规则的低熔点金属及合金粉体的效果。合金粉体的效果。合金粉体的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种低熔点金属及合金快速气体冷却装置


[0001]本技术涉及粉体制备
，更具体地说它涉及一种低熔点金属及合金快速气体冷却装置。

技术介绍

[0002]在已知的pvd法粉体制备方法中，通过在反应器中利用等离子弧对金属加热，金属在达到沸点后将蒸发为气相，并由气体带入粒子生长器中，在粒子生长器内碰撞，生长。并随粒子生长器内温度由反应器至粒子生长器出口逐渐降低。通常在粒子生长器出口处完成为固相粒子的粉体的生成。
[0003]常规制备的金属粉体熔点通常在1000℃以上，在该体系下粉体离开粒子生长器后温度以降至烧结温度以下，不会发生粉体的烧结。但部分低熔点金属及部分合金的熔点较低，因此可能发生粒子离开粒子生长器后依旧呈液态。故粒子在进入收集器后粘粘，导致粉体粒度变大，且形态呈现不规则形状，严重影响粉体质量。
[0004]目前的粉体制备方案不适用于气相收集的低熔点金属及低熔点合金的粉体制备，有待改进。

技术实现思路

[0005]针对现有技术存在的不足，本技术的目的在于提供一种低熔点金属及合金快速气体冷却装置，该低熔点金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低熔点金属及合金快速气体冷却装置，包括依次连接的反应器(1)、粒子生长器(2)、气体冷却设备(3)和收集器(4)，其特征在于：所述气体冷却设备(3)的两端均设置有连接法兰(31)，且两个所述连接法兰(31)分别用于与所述粒子生长器(2)和所述收集器(4)密封连接；所述气体冷却设备(3)靠近所述粒子生长器(2)的一端设置有多个入口冷却气体进气口(32)，并在所述气体冷却设备(3)的中间部位设置有多个侧壁冷却气体进气口(33)。2.根据权利要求1所述的一种低熔点金属及合金快速气体冷却装置，其特征在于：所述气体冷却设备(3)呈L状且两端倾斜朝下，所述气体冷却设备(3)设置有位于顶部的视镜口(34)，所述视镜口(34)朝向所述粒子生长器(2)的中...

【专利技术属性】
技术研发人员：阮博经，宋书清，李永红，张统，
申请(专利权)人：宁波广新纳米材料有限公司，
类型：新型
国别省市：