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氮化碳高负载分散NiS光催化降解材料及制备方法技术

技术编号:30680232 阅读:33 留言:0更新日期:2021-11-06 09:10
本发明专利技术涉及一种氮化碳高负载分散NiS光催化降解材料及制备方法。其特点是:是以S掺杂有序介孔氮化碳为基础,负载不同质量分数的硫化镍得到的。本发明专利技术是在S掺杂氮化碳材料的基础上进一步负载NiS助催化剂,不仅可以利用掺杂提高载流子的分离,还能利用较大比表面积保证NiS助催化剂的高负载量,高分散负载且有序的三维结构使材料的光催化降解性能得到进一步提升。提升。提升。

【技术实现步骤摘要】
氮化碳高负载分散NiS光催化降解材料及制备方法


[0001]本专利技术涉及一种氮化碳高负载分散NiS光催化降解材料及制备方法。

技术介绍

[0002]化石能源的长期使用对自然环境造成了难以弥补的伤害,如臭氧空洞的出现,温室效应等。化石能源是一种不可再生能源,因此开发可以替代化石能源的新型的、清洁的能源形式,减少对环境的破坏,实现可持续发展迫在眉睫(Service R F.Is It Time to Shoot forthe Sun?[J].Science,309.)。环境的污染不仅局限于大气污染,水体污染也日益严重。水体中含量超标的抗生素及其他的医药成分的降解问题亟待解决。为此我们提出以光催化降解的方式去消除水体中的有机污染物。太阳能在地球生物的生存发展中起着至关重要的作用,它不仅资源丰富而且易于获得,这就为我们解决环境污染问题提供了新的思路。光催化不仅节能环保,且反应条件温和、效率高、操作方法简便,在储能、降解、医疗等方面均有广泛应用。单一的半导体光催化剂往往存在可见光响应差、光生电子

空穴对易复合等缺陷,应用于光催化降解本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化碳高负载分散NiS光催化降解材料,其特征在于:是以S掺杂有序介孔氮化碳为基础,负载不同质量分数的硫化镍得到的。2.如权利要求1所述的氮化碳高负载分散NiS光催化降解材料,其特征在于:其中不同质量分数的硫化镍具体是指0.3%、1%、3%、5%或者10%的硫化镍。3.一种氮化碳高负载分散NiS光催化降解材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(a)取7.2g表面活性剂P123、260mL水与1.2mL浓盐酸,在35℃下混合,搅拌12h直到表面活性剂P123全部溶解并且分散均匀,然后加入7.2g正丁醇,搅拌2h后,加入15.48g正硅酸乙酯TEOS,搅拌24h后,经抽滤后转移至聚四氟乙烯瓶中,于烘箱中40℃水热反应24h,自然冷却后抽滤并用去离子水洗涤至中性,在70℃下过夜干燥,得到含表面活性剂的介孔氧化硅;(b)将步骤(a)得到的含表面活性剂的介孔氧化硅在马弗炉中550℃下煅烧6小时,除去表面活性剂P123后得到不含表面活性剂的介孔氧化硅;(c)取2.3794g的50%的单氰胺水溶液于聚四氟乙烯内衬中,加入2g步骤(b)得到的不含表面活性剂的介孔氧化硅作为硬模板,再加入30mL无水乙醇,在4...

【专利技术属性】
技术研发人员:赖小勇陈恬洁王晓中杨庆凤孙辉
申请(专利权)人:宁夏大学
类型:发明
国别省市:

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