磁复录方法和磁复录装置制造方法及图纸

利用磁复录的磁复方法，不管磁图形的位置如何，可利用磁复录从磁复录用主载体向从属介质复录高品位的复录图形。在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和接受复录的从属介质磁复录介质相接触，施加复录用磁场的磁复录方法中，从属磁复录介质的保磁力Ｈｃｓ和该复录用磁场的关系为０．６≤复录用磁界≤１．３ＸＨｃｓ。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于在磁复录介质上一次复录很多情报的方法，特别是关于向大容量、高复录密度的磁复录介质上复录记录情报的方法。在数字图像应用的进展中，以个人电脑等处理情报的数量飞速地增加，随着情报量的增加，则要求一种能以大容量并廉价地复录情报、而且复录和读取时间极短的磁复录介质。在硬盘等高密度复录介质和以ZIP(アイオメガ社)为代表的高密度软盘型的磁场复录介质中，其构成是与一般的软盘比较，以狭窄的磁道构成情报复录区域，为了能使磁头准确地扫描狭窄磁道的宽度，和以较高的S/N比进行信号的记录和再生，需要使用跟踪伺服技术进行准确的扫描。因此，在像硬盘，可再移动的(Removable)型磁复录介质一类的大容量磁复录介质中，在盘中以1周的间隔复录着跟踪用的伺服信号、地址情报信号和再生时钟信号等，所谓形成予格式化。磁头在读取予格式化的信号时，可修正自己的位置，准确地在磁道上移动。现在的予格式化是使用专门的伺服复录装置，在盘上进行制作，每一张，每1个磁道地进行复录。从而产生的问题是，伺服复录装置昂贵，由于予格式化制作需要很长时间，所以制造需要很长时间，并对制造费用产生影响。因此，也提出了用磁复录方式，每1个磁道地进行予格式化的方案，例如，特开昭63-183623号公报，特开平10-40544号公报，和特开平10-269566号公报中介绍的复录技术。然而，在该磁复录方法中，主要是着重于复录时施加磁场的条件和产生该磁场的具体装置，但实际上该提案并没有执行。作为解决这种老问题的复录方法，在特开昭63-183623号公报和特开平10-40544号公报中提出了一种方法，即在基板表面上形成与情报信号相对应的凹凸形状，凹凸形状中，至少在凸部表面上形成强磁性薄膜，将这样的磁复录用主载体的表面与形成强磁性薄膜或强磁性粉涂布层的片状或盘状磁复录介质的表面接触，或者进一步施加交流偏置磁场或直流磁场，将构成凸部表面的强磁性材料进行激磁，将与凹凸形状相对应的磁化图形复录在磁复录介质上。该方法的特征是将磁复录用主载体的凸部表面与予格式化的整个磁复录介质，即从属介质紧密接触，同时对构成凸部的强磁性材料进行激磁，通过复录在从属介质上形成规定格式的方法，不使磁复录用主载体和从属介质的相对位置发生变化，而是在静止下进行复录，可准确地进行予格式化复录，而且还有复录所用时间极短的特征。即在上述用磁头进行复录的方法中，通常需要数分钟到数十分钟，而且存在复录所用时间与复录容量成比例地增加的问题，而这种磁复录方法，具有的特征，可以说是与复录容量和复录密度没有任何关系，仅在1秒以内就可完成复录。参照图1对复录磁复录用主载体中予格式化用的图形进行说明。图1(A)是对磁复录用主载体的磁性层面进行模式说明的平面图，图1(B)是说明复录过程的断面图。在磁复录用主载体1的磁道规定区域内形成予格式化区域2和数据区域3，在予格式化区域2中形成有全部复录跟踪用的伺服信号和地址信号的图形，通过将磁复录用主载体1和从属介质4紧密接触，沿磁道方向5与施加复录用外部磁场6，由于能将予格式化情报作为复录情报7复录在从属介质一侧上，所以可高效地制造从属介质。而且，在利用这种方法进行复录时，会产生情报信号品位低劣的现象，也有时产生伺服工作不准确的现象，但对这种情况还不明确。本专利技术的课题提供一种稳定的复录方法和装置，即将磁复录用主载体和从属介质紧密接触，施加外部磁场，通过复录予格式化图形制作成从属介质，从而可防止伺服工作不准确的现象。本专利技术的磁复录方法，是在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和接受复录的从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录方法中，沿从属介质的磁道方向施加磁场，予先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化后，再将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触，沿从属介质的磁道方向施加复录用磁场，进行磁复录。上述磁复录方法中，磁复录用主载体磁性层的保磁力Hcs为47.7KA/m(600Oe)以下。上述磁复录方法中，接受复录的从属介质保磁力Hcs为143KA/m(1800Oe)以上。上述磁复录方法中，在从属介质上沿磁道方向施加磁场形成初期直流磁化的方向与为进行磁复录而施加的复录用磁场，在从属介质面上必须是反向。上述的磁复录方法中，在磁道方向位置上至少有1处以上的磁场强度分布，在磁道方向的一部分上产生的磁场为高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分，通过沿磁道方向旋转从属介质或磁场，沿磁道方向施加将从属介质形成初期直流磁化的磁场。上述磁复录方法中，在磁道方向位置上只在一个方向上具有高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分，在任何一个磁道方向位置上是低于从属介质保磁力Hcs的磁场强度分布，在磁道方向的一部分上产生反方向的磁场强度的磁场，通过沿磁道方向旋转从属介质或磁场，沿磁道方向施加将从属介质形成初期直流磁化的磁场。上述磁复录方法中，在任何一个磁道方向上都不存在超过最适宜复录磁场强度范围最大值的磁场强度，在一个磁道方向上至少存在1处以上形成最适宜复录磁场强度范围内的磁场强度部分，在任何一个磁道方向位置上是低于最适宜复录磁场强度范围最小值的磁场强度分布，在磁道方向的一部分上产生与其相反磁道方向的磁场强度的磁场，在将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触状态下，沿磁道方向旋转，或沿磁道方向旋转磁场，沿从属介质面的磁道方向施加复录用磁场。在上述磁复录方法中，在从属介质的上面或下面，以磁极轴垂直从属介质面的方向配置永久磁铁，沿磁道方向施加与磁极轴对称的磁场，通过沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁，沿磁道方向将从属介质进行初期直流磁化。在上述磁复录方法中，以磁极轴斜对从属介质面配置永久磁铁，在磁道方向上形成非对称的磁场强度分布，通过沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁，沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化。在上述磁复录方法中，以磁极轴斜对从属介质面配置永久磁铁，在磁道方向上形成非对称的磁场强度分布，在将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触的状态下，沿磁道方向旋转，或沿磁道方向旋转磁铁，沿磁道方向施加复录用磁场，进行磁复录。上述磁复录方法中，相对于从属介质的保磁力Hcs，最适宜复录的磁场强度为0.6×Hcs～1.3×Hcs。一种磁复录装置，是在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和接受复录的从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录装置中，包括沿从属介质面的磁道方向施加磁场，予先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化的初期直流磁化装置，将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触，沿从属介质的磁道方向施加复录用磁场的复录磁场施加装置。上述磁复录装置中，磁复录用主载体磁性层的保磁力Hcm在47.7KA/m(600Oe)以下。上述磁复录装置中，接受复录的从属介质保磁力Hcs，在143KA/m(1800Oe)以上。上述磁复录装置中，在从属介质上施加磁道方向磁场形成初期直流磁化的方向和为进行磁复录施加复录用磁场，在从属介质面上为相反方向。上述磁复录装置中，初期直流磁化装置包括在磁道方向位置上至少有1处以上的磁场强度分布，在磁道方向的一部分上产生高于从属介质保磁力Hcs磁场强度部分的磁场，沿磁道方向旋转从属介质或磁场的装置。初期直流磁化装置，具有在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁复录方法，特征是在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和接受复录的从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录方法中，包括沿从属介质的磁道方向施加磁场，予先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化后，再将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触，沿从属介质的磁道方向施加复录用磁场，进行磁复录。

【技术特征摘要】
1.一种磁复录方法，特征是在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和接受复录的从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录方法中，包括沿从属介质的磁道方向施加磁场，予先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化后，再将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触，沿从属介质的磁道方向施加复录用磁场，进行磁复录。2.根据权利要示1记载的磁复录方法，特征是磁复录用主载体磁性层的保磁力Hcm在47.7KA/m(600Oe)以下。3.根据权利要求1记载的磁复录方法，特征是接受复录的从属介质保磁力Hcs在143KA/m(1800Oe)以上。4.根据权利要求1记载的磁复录方法，特征是在从属介质上沿磁道方向施加磁场形成初期直流磁化的方向和为进行磁复录而施加的复录用磁场，在从属介质面上是相反的方向。5.根据权利要求1记载的磁复录方法，特征是在磁道方向的一部分上产生在磁道方向位置上至少有1处以上高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分的磁场强度分布磁场，通过沿磁道方向旋转从属介质或磁场，沿磁道方向施加将从属介质形成初期直流磁化的磁场。6.根据权利要求1记载的磁复录方法，特征是在磁道方向位置上仅在一个方向上具有高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分，在磁道方向的一部分上产生在任何一个磁道方向位置上反方向磁场强度低于从属介质保磁力Hcs的磁场强度分布磁场，通过沿磁道方向旋转从属介质或磁场，沿磁道方向施加将从属介质形成初期直流磁化的磁场。7.根据权利要求1记载的磁复录方法，特征是在任何一个磁道方向上都不存在超过最适宜复录磁场强度范围最大值的磁场强度，在一个磁道方向上至少存在1处以上形成最适宜复录磁场强度范围内的磁场强度部分，在磁道方向的一部分上产生在任何一个磁道方向位置与其反方向磁道方向的磁场强度低于最适宜复录磁场强度范围最小值的磁场强度分布磁场，在将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触的状态下，沿磁道方向旋转，或沿磁道方向放置磁场，沿从属介质面的磁道方向施加复录用磁场。8.根据权利要求5记载的磁复录方法，特征是在从属介质上面或下面的一面上，沿磁极轴垂直方向配置永久磁铁，沿磁道方向施加与磁极轴对称磁场，通过沿磁道方向旋转从属介质或永久磁场，沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化。9.根据权利要求6记载的磁复录方法，特征是以磁极轴斜对从属介质面配置永久磁铁，沿磁道方向形成非对称的磁场强度分布，通过沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁，沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化。10.根据权得要求7记载的磁复录方法，特征是以磁极轴斜对从属介质面配置永久磁铁，沿磁道方向形成非对称的磁场强度分布，在将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触状下，沿磁道方向旋转，或沿磁道方向旋转磁场，施加磁道方向的复录用磁场，进行磁复录。11.根据权利要求7或10记载的磁复录方法，特征是相对于从属保磁力Hcs，最适宜复录磁场强度为0.6×Hcs～1.3×Hcs。12.一种磁复录装置，特征是将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和接受复录的从属介质紧密接触，施加复录用磁场...

【专利技术属性】
技术研发人员：小松和则，长尾信，西川正一，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]