电波吸收体用阻抗匹配膜、带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜、电波吸收体以及电波吸收体用层叠体制造技术

阻抗匹配膜10包含金属元素和非金属元素。阻抗匹配膜10具有10nm～200nm的厚度。阻抗匹配膜10具有200Ω/

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电波吸收体用阻抗匹配膜、带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜、电波吸收体以及电波吸收体用层叠体


[0001]本专利技术涉及电波吸收体用阻抗匹配膜、带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜、电波吸收体以及电波吸收体用层叠体。

技术介绍

[0002]以往，已知在电波吸收体用电阻覆膜中使用合金来实现使电波吸收体表面的阻抗与空气的特性阻抗匹配的阻抗匹配的技术。
[0003]例如，在专利文献1中提出了一种λ/4型电波吸收体用电阻覆膜，所述λ/4型电波吸收体用电阻覆膜包含含有5重量％以上的钼的合金。在该λ/4型电波吸收体用电阻覆膜中，通过调节合金的镍含量和铬含量，以5nm～6nm的膜厚将表面电阻值调节至规定的范围内。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2018
‑
56562号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的问题
[0008]在专利文献1中测定了25℃下的电阻覆膜的表面电阻值随时间的变化。另一方面，在专利文献1中未评价暴露在高温环境(例如，80℃的环境)中时的电阻覆膜的表面电阻值随时间的变化。
[0009]鉴于这样的情况，本专利技术提供一种新型的电波吸收体用阻抗匹配膜，其在暴露在高温环境中时，从阻抗匹配的观点考虑，有利于抑制薄层电阻的变化。
[0010]用于解决问题的手段
[0011]本专利技术提供一种电波吸收体用阻抗匹配膜，其中，所述电波吸收体用阻抗匹配膜包含金属元素和非金属元素，并且
[0012]具有10nm～200nm的厚度，
[0013]具有200Ω/
□
以上的薄层电阻，并且
[0014]氧原子的以原子数为基准的含有率小于50％。
[0015]另外，本专利技术提供一种带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜，其中，所述带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜具有：
[0016]基材、和
[0017]上述电波吸收体用阻抗匹配膜。
[0018]另外，本专利技术提供一种电波吸收体，其中，所述电波吸收体具有：
[0019]上述电波吸收体用阻抗匹配膜；
[0020]反射电波的导电体；和
[0021]电介质层，所述电介质层在上述电波吸收体用阻抗匹配膜的厚度方向上配置在上
述电波吸收体用阻抗匹配膜与上述导电体之间。
[0022]另外，本专利技术提供一种电波吸收体用层叠体，其中，所述电波吸收体用层叠体具有：
[0023]上述电波吸收体用阻抗匹配膜；和
[0024]电介质层，所述电介质层配置成在上述电波吸收体用阻抗匹配膜的厚度方向上与上述电波吸收体用阻抗匹配膜接触。
[0025]专利技术效果
[0026]上述电波吸收体用阻抗匹配膜在暴露在高温环境中时，从阻抗匹配的观点考虑，有利于抑制薄层电阻的变化。
附图说明
[0027]图1为表示本专利技术的电波吸收体用阻抗匹配膜的一例的剖视图。
[0028]图2A为表示本专利技术的电波吸收体的一例的剖视图。
[0029]图2B为表示图2A所示的电波吸收体的变形例的剖视图。
[0030]图2C为表示图2A所示的电波吸收体的另一变形例的剖视图。
[0031]图3为表示本专利技术的电波吸收体的另一例的剖视图。
[0032]图4A为表示本专利技术的电波吸收体的另一例的剖视图。
[0033]图4B为表示本专利技术的电波吸收体用层叠体的一例的剖视图。
[0034]图5A为表示本专利技术的电波吸收体的另一例的剖视图。
[0035]图5B为表示本专利技术的电波吸收体用层叠体的另一例的剖视图。
具体实施方式
[0036]参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。需要说明的是，本专利技术不限于以下的实施方式。
[0037]如图1所示，电波吸收体用阻抗匹配膜10例如通过带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜15来提供。电波吸收体用阻抗匹配膜10为电阻覆膜。带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜15具有基材22和电波吸收体用阻抗匹配膜10。电波吸收体用阻抗匹配膜10例如形成在基材22的一个主面上。
[0038]阻抗匹配膜10包含金属元素和非金属元素。而且，阻抗匹配膜10具有10nm～200nm的厚度，并且具有200Ω/
□
以上的薄层电阻。此外，阻抗匹配膜10的以原子数为基准的氧原子的含有率小于50％。因此，氧化铟锡(ITO)膜不包括在阻抗匹配膜10中。需要说明的是，在本说明书中，硅、锗、砷、锑、碲等准金属元素视为非金属元素。阻抗匹配膜10例如为调节成从其前表面预期的阻抗与平面波的特性阻抗相等的电阻覆膜。
[0039]由于阻抗匹配膜10具有10nm～200nm的厚度，因此在暴露在高温环境(例如，80℃)中时，从阻抗匹配的观点考虑，容易保持所期望的薄层电阻。这是因为，即使在高温环境下阻抗匹配膜的表面附近变质，变质的部分在阻抗匹配膜10中所占的体积也小。另一方面，在专利文献1中记载的λ/4型电波吸收体用电阻覆膜例如具有5nm～6nm的膜厚。由于该电阻覆膜薄，因此当在高温环境下电阻覆膜的表面附近变质时，变质的部分在电阻覆膜所占的体积大，对用于阻抗匹配的电阻覆膜的特性的影响大。因此，难以说专利文献1中记载的技术
在暴露在高温环境中时，从阻抗匹配的观点考虑，有利于抑制电阻覆膜的薄层电阻的变化。
[0040]阻抗匹配膜10的厚度可以为11nm以上，可以为13nm以上，也可以为15nm以上。
[0041]阻抗匹配膜10的厚度为200nm以下。由此，能够抑制阻抗匹配膜10的翘曲，在阻抗匹配膜10中不易产生裂纹。阻抗匹配膜10的厚度可以为180nm以下，可以为160nm以下，也可以为150nm以下。
[0042]由于阻抗匹配膜10具有200Ω/
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以上的薄层电阻，因此使用阻抗匹配膜10提供的电波吸收体容易发挥所期望的电波吸收性能。
[0043]阻抗匹配膜10的薄层电阻可以为220Ω/
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以上，可以为250Ω/
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以上，也可以为280Ω/
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以上。
[0044]阻抗匹配膜10的薄层电阻的上限不限于特定的值。阻抗匹配膜10的薄层电阻可以根据电波吸收体的其它结构的特性而变化。在电波吸收体的一例中，阻抗匹配膜10的薄层电阻例如为600Ω/
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以下。阻抗匹配膜10的薄层电阻可以为580Ω/
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以下，可以为550Ω/
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以下，也可以为520Ω/
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以下。例如，在电波吸收体不包含介质损耗材料和磁性损耗材料等损耗材料的情况下，可以将阻抗匹配膜10的薄层电阻的上限调节至这样的范围内。在电波吸收体的另一例中，阻抗匹配膜10的薄层电阻例如为10MΩ(兆欧)/
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以下，可以为8MΩ/
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以下，可以为5MΩ/
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以下，也可以为3MΩ/
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电波吸收体用阻抗匹配膜，其中，所述电波吸收体用阻抗匹配膜包含金属元素和非金属元素，并且具有10nm～200nm的厚度，具有200Ω/
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以上的薄层电阻，并且氧原子的以原子数为基准的含有率小于50％。2.如权利要求1所述的电波吸收体用阻抗匹配膜，其中，所述电波吸收体用阻抗匹配膜具有0.4
×
10
‑3Ω
·
cm以上的电阻率。3.如权利要求1或2所述的电波吸收体用阻抗匹配膜，其中，所述非金属元素为选自由B、C、N、O、F、Si、S和Ge构成的组中的至少一种元素。4.如权利要求1～3中任一项所述的电波吸收体用阻抗匹配膜，其中，所述金属元素为选自由Ni、Cr、Ti、W、Mo、Cu、Al、Sn、Pd、Ta、Rh、Au、Mg、Fe、Mn、Co和V构成的组中的至少一种元素。5.如权利要求1～4中任一项所述的电波吸收体用阻抗匹配膜，其中，所述金属元素为选自由Ni、Cr、Mo和Ti构成的组中的至少一种元素。6.如权利要求5所述的电波吸收体用阻抗匹配膜，其中，Ni、Cr、Mo和Ti的以原子数为基准的...

【专利技术属性】
技术研发人员：中西阳介，待永广宣，芝原奖，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：