R－T－B系永久磁体及其制造方法技术

本发明专利技术获得提高了磁特性的R－T－B系永久磁体。R－T－B系永久磁体中，R为将Nd或Pr作为必须的1种以上的稀土元素，T为将Fe作为必须的1种以上的铁族元素，B为硼，R－T－B系永久磁体包含M，该M为Ga、Al、Cu和Si中的至少1种以上。R－T－B系永久磁体包含由R2T

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】R－T－B系永久磁体及其制造方法


[0001]本专利技术涉及R－T－B系永久磁体及其制造方法。

技术介绍

[0002]已知R－T－B系永久磁体具有优异的磁特性。而且，进行着进一步提高磁特性的R－T－B系永久磁体的开发。
[0003]在专利文献1中记载有一种烧结磁体，将各成分的含量设为特定的范围内，特别是通过降低B的含量来提高磁特性。
[0004]在专利文献2中记载有一种R－T－B系烧结磁体，特别是通过将R的含量、B的含量、Ga的含量控制在特定的范围内，而具有高的矫顽力。
[0005]在专利文献3中记载有一种R－T－B系烧结磁体，通过在晶界中存在R－Co－Cu－N浓缩部等的浓缩部，而同时具有优异的耐腐蚀性和良好的磁特性。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：国际公开第2013/191276号
[0009]专利文献2：国际公开第2014/157448号
[0010]专利文献3：日本专利第6414059号公报

技术实现思路
<br/>[0011]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种R－T－B系永久磁体，R为将Nd或Pr作为必须的1种以上的稀土元素，T为将Fe作为必须的1种以上的铁族元素，B为硼，所述R－T－B系永久磁体包含M，该M为Ga、Al、Cu和Si中的至少1种以上，其特征在于：所述R－T－B系永久磁体包含由R2T
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B结晶构成的主相颗粒和存在于相邻的两个主相颗粒之间的二颗粒晶界，所述二颗粒晶界的平均厚度为5nm以上50nm以下，任意截面中的R6T
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M化合物的面积比率为0.50％以下，包含0％。2.一种R－T－B系永久磁体的制造方法，所述R－T－B系永久磁体中，R为将Nd或Pr作为必须的1种以上的稀土元素，T为将Fe作为必须的1种以上的铁族元素，B为硼，所述R－T－B系永久磁体包含由R2T
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【专利技术属性】
技术研发人员：藤川佳则，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：