检测器电路制造技术

一些实施例包括成像系统，该成像系统包括检测器衬底、至少一个检测器电路，该检测器电路包括与检测器衬底耦合的电容器，该电容器被设置为从检测器衬底收集电荷，并且该成像系统还包括至少一个可编程电流源，该可编程电流源被布置为向电容器提供中和电荷，并且该成像系统被配置为根据帧数选择中和电荷的值。统被配置为根据帧数选择中和电荷的值。统被配置为根据帧数选择中和电荷的值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】检测器电路


[0001]本专利技术涉及例如基于半导体技术的检测器，诸如高能辐射或粒子检测器。

技术介绍

[0002]数字高能辐射成像优于传统的基于胶片的成像技术，包括能够使用更小剂量的辐射，诸如X射线或伽马辐射，以及获得更多图像的可能性。
[0003]通常，在数字成像中采用像素阵列，使得每个像素被配置为产生辐射强度的读数，来自像素阵列的像素值共同形成数字图像。
[0004]在直接转换辐射检测设备中，半导体检测器衬底被导电地结合到半导体读出衬底。检测器衬底由将入射辐射转换成电子信号的光电导体材料制成。优化检测器和读出衬底的性能导致从这种衬底获得的数字图像得到改善。

技术实现思路

[0005]根据一些方面，提供了独立权利要求的主题。一些实施例在从属权利要求中被定义。
[0006]根据本专利技术的第一方面，提供了一种成像系统，该成像系统包括检测器衬底、至少一个检测器电路，该检测器电路包括与检测器衬底耦合的电容器，该电容器被布置为从检测器衬底收集电荷，并且该成像系统还包括至少一个可编程电流源，该可编程电流源被布置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种成像系统，包括：
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检测器衬底；
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至少一个检测器电路，包括与所述检测器衬底耦合的电容器，所述电容器被布置为从所述检测器衬底收集电荷，以及
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所述成像系统还包括至少一个可编程电流源，所述可编程电流源被布置为向电容器提供中和电荷，其中成像系统被配置为根据帧数选择所述中和电荷的值。2.根据权利要求1所述的成像系统，其中所述检测器衬底包括半导体衬底，诸如：CdTe衬底、GaAs衬底、Si衬底、HgI2或Se衬底。3.根据权利要求1至2中任一项所述的成像系统，其中所述至少一个可编程电流源被配置为针对每个像素或像素组分别向所述电容器提供所述中和电荷。4.根据权利要求1至3中任一项所述的成像系统，其中所述成像系统被配置为分别为每个像素或分别为每个像素组选择所述中和电荷的值。5.根据权利要求1至4中任一项所述的成像系统，其中所述成像系统被配置为根据所述检测器衬底的温度来选择所述中和电荷的值。6.根据权利要求1至5中任一项所述的成像系统，其中所述成像系统被配置为根据以下各项中的至少一项来选择所述中和电荷的值：当前入射辐射剂量和累积入射辐射剂量。7.根据权利要求1至6中任一项所述的成像系统，其中所述至少一个可编程电流源被配置为在帧的电荷收集时间的一部分期间，而非在帧的所述整个电荷收集时间期间提供所述中和电荷。8.根据权利要求7所述的成像系统，其中所述至少一个可编程电流源被配置为在帧的所述电荷收集时间的至多三分之二期间提供所述中和电荷。9.根据权利要求7所述的成像系统，其中所述至少一个可编程电流源被配置为在帧的所述电荷收集时间的至多一半期间提供所述中和电荷。10.根据权利要求7所述的成像系统，其中所述至少一个可编程电流源被配置为在帧的所述电荷收集时间的至多三分之一期间提供所述中和电荷。11.根据权利要求1至10中任一项所述的成像系统，其中所述检测器电路不包括放大器上的反馈回路。12.根据权利要求1至11中任一项所述的成像系统，包括多个检测器电路，所述多个检测器电路中的每个检测器电路包括至少一个电容器，并且被布置为从所述至少一个可编程电流源接收所述中和电荷。13.根据权利要求1至12中任一项所述的成像系统，包括电路系统，所述电路系统被配置为生成跨所述检测器衬底的至少一部分的偏置电压。14.根据权利要求1至13中任一项所述的成像系统，还包括处理核心，所述处理核心被配置为对所述至少一个可编程电流源进行编程。15.根据权利要求1至14中任一项所述的成像系统，其中所述至少一个可编程电流源被包括在所述检测器电路内部。16.根据权利要求1至15中任一项所述的成像系统，其中所述成像系统还包括存储器，所述存储器被配置为存储信息，所述信息使得所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：OY直接转换有限公司，
类型：发明
国别省市：