一种半导体加工用静电消除设备制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体加工用静电消除设备，其结构包括机箱、检视窗、散热窗、反应箱、封闭门，所述的机箱正面位置设有检视窗且二者相互连通，所述的检视窗侧面设有散热窗且机箱底部连接反应箱，本发明专利技术具有的效果：利用离子风扇工作达到消除静电的目的，通过下漩涡轮旋转产生下沉气流带动覆盖在半导体板上的正负离子向下快速流动，结合增湿扇座制造的丰富水汽中和空气中的正负离子，降低正负离子的含量并减弱其转移静电的性能。并减弱其转移静电的性能。并减弱其转移静电的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体加工用静电消除设备


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其是涉及到一种半导体加工用静电消除设备。

技术介绍

[0002]绝大多数半导体器件都是静电敏感器件,而在生产过程中静电又是无处不在的，为了消除设备中存在的静电可在内部结构中安装离心风扇，从而达到消除静电的目的，但离子风机的使用同样有其致命的缺点，就是离子风机会释放出大量的正负离子，这些离子在空气中自由移动，同样会积累在其他物体上进而产生放电现象，因此需要研制一种半导体加工用静电消除设备，以此来解决现有半导体加工设备采用离子风机过程中产生放电现象的问题。
[0003]本
技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本专利技术是通过如下的技术方案来实现：一种半导体加工用静电消除设备，其结构包括机箱、检视窗、散热窗、反应箱、封闭门，所述的机箱正面位置设有检视窗且二者相互连通，所述的检视窗侧面设有散热窗且机箱底部连接反应箱，所述的反应箱一侧设有封闭门与其相连，机箱作为设备的核心结构之一，其主要用于半导体产品的加工成型工艺的应用，并且作为控制其他结构运转的总成进行使用，同时作为设备的框架与反应箱共同构成外壳主体结构，检视窗采用透明高强度绝缘玻璃材料制成，在保持高透光线以便于操作者观察机箱与反应箱运转是否正常的同时还能有效隔绝电荷，避免电离子溢出附着在其他物体上，封闭门开启后可直接在反应箱内操作或者对结构进行检修。
[0005]作为本技术方案的进一步优化，所述的反应箱包括有箱体、离子风扇、半导体板、隔离块、下漩涡轮、增湿扇座、轴芯，所述的箱体内联接离子风扇，所述的离子风扇正下方位置间隔设有半导体板，所述的半导体板两侧均连接有隔离块且其底部贯穿连接下漩涡轮，所述的下漩涡轮底端间隔连通增湿扇座，所述的增湿扇座末端与轴芯相连，箱体作为反应箱的内壳载体结构，通过结构的闭合在反应箱内形成一个封闭的静电消除空间，将离子风扇运转产生的大量正负离子直接作用于半导体板的半导体产品上，依托半导体板输送半导体产品的特性使得正负离子均匀附着在半导体产品上，消除产品上残留的静电，隔离块主要用于隔绝半导体产品与结构的摩擦碰撞，其采用软胶材料制成，一方面用于防撞缓冲使用，另一方面也是用于隔绝底部的水汽上升。
[0006]作为本技术方案的进一步优化，所述的离子风扇包括有扇罩、锥形轴、高压电管、下沉扇叶、导流槽环，所述的扇罩中端位置连接锥形轴，所述的锥形轴两侧均设有高压电管且其末端连接下沉扇叶，所述的下沉扇叶一侧对应设有导流槽环，所述的导流槽环嵌合连接扇罩，扇罩连接的锥形轴采用类纺锤体的锥形结构设计，其主要目的在于将其联动旋转的下沉扇叶所产生的下沉气流实现等比例收拢的效果，使得在高压电管放电作用下产生的正负离子气流高度聚拢，同时结合导流槽环的倾斜式槽道设计集中引导气流的覆盖方位，使其高密度正向半导体产品持续输出，保证对产品的静电消除效果。
[0007]作为本技术方案的进一步优化，所述的下漩涡轮包括有下凹架、摆架、对流转板、
引流通管、对流输管，所述的下凹架内侧连接摆架，所述的摆架设于对流转板两侧且与其相连，所述的对流转板底部间隔设有引流通管，所述的引流通管连通其下方的对流输管，下凹架利用其上端面的倾斜弧面形成有利于气流向下快速导入的通道，结合蜂窝面板制成的对流转板在高速旋转时扰动的气流卷携离子空气由引流通管向对流输管高度集中输出，最终由对流输管将离子空气引流至增湿扇座的运转范围内实现空气离子中和反应。
[0008]作为本技术方案的进一步优化，所述的增湿扇座包括有导水管、网格输架、喷浮转环，所述的导水管连通网格输架，所述的网格输架顶端位置设有喷浮转环且二者相互连通，导水管用于导入外部水体或水流并通过网格输架的内中空管道结构将水流集中于喷浮转环位置，在高速旋转的离心力作用下水流转化为水雾并保持一定高度的悬浮状态，在此过程中水雾水汽与携带有大量正负离子的空气相互结合，从而加快离子的耗散。
[0009]有益效果
[0010]本专利技术一种半导体加工用静电消除设备，设计合理，功能性强，具有以下有益效果：
[0011]本专利技术首先利用离子风扇工作中可以释放大量的正负离子的特性，从而使积累的电荷得以中和，电离器件在高压发生装置产生的低电流高电压作用下形成一个稳定的高压电场，电离空气形成正负离子体，由气体带出到达物体表面，当物体表面为负电荷时会吸收气流中的正电荷，当物体表面为正电荷时会吸收气流中的负电荷，从而达到消除静电的目的，利用装置中的结构增加湿度使其达标从而保证环境耗散离子的能力；
[0012]本专利技术通过下漩涡轮旋转产生下沉气流带动覆盖在半导体板上的正负离子向下快速流动，结合增湿扇座制造的丰富水汽中和空气中的正负离子，降低正负离子的含量并减弱其转移静电的性能。
附图说明
[0013]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0014]图1为本专利技术一种半导体加工用静电消除设备的侧视结构示意图；
[0015]图2为本专利技术反应箱的结构侧剖图；
[0016]图3为本专利技术离子风扇的结构侧剖图；
[0017]图4为本专利技术下漩涡轮的结构侧剖图；
[0018]图5为本专利技术增湿扇座的结构侧剖图；
[0019]图中：机箱
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1、检视窗
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2、散热窗
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3、反应箱
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4、封闭门
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5、箱体
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40、离子风扇
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41、半导体板
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42、隔离块
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43、下漩涡轮
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44、增湿扇座
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45、轴芯
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46、扇罩
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410、锥形轴
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411、高压电管
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412、下沉扇叶
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413、导流槽环
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414、下凹架
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440、摆架
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441、对流转板
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442、引流通管
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443、对流输管
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444、导水管
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450、网格输架
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451、喷浮转环
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452。
具体实施方式
[0020]为使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式以及附图说明，进一步阐述本专利技术的优选实施方案。
[0021]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连
接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0022]实施例1
[0023]请参阅图1
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体加工用静电消除设备，其结构包括机箱(1)、检视窗(2)、散热窗(3)、反应箱(4)、封闭门(5)，其特征在于：所述的机箱(1)正面位置设有检视窗(2)且二者相互连通，所述的检视窗(2)侧面设有散热窗(3)且机箱(1)底部连接反应箱(4)，所述的反应箱(4)一侧设有封闭门(5)与其相连。2.根据权利要求1所述的一种半导体加工用静电消除设备，其特征在于：所述的反应箱(4)包括有箱体(40)、离子风扇(41)、半导体板(42)、隔离块(43)、下漩涡轮(44)、增湿扇座(45)、轴芯(46)，所述的箱体(40)内联接离子风扇(41)，所述的离子风扇(41)正下方位置间隔设有半导体板(42)，所述的半导体板(42)两侧均连接有隔离块(43)且其底部贯穿连接下漩涡轮(44)，所述的下漩涡轮(44)底端间隔连通增湿扇座(45)，所述的增湿扇座(45)末端与轴芯(46)相连。3.根据权利要求2所述的一种半导体加工用静电消除设备，其特征在于：所述的离子风扇(41)包括有扇罩(410)、锥形轴(411)、高压电管(412)、下沉扇叶(41...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖友华，
申请(专利权)人：肖友华，
类型：发明
国别省市：