双面垂直磁记录介质及其处理方法和装置制造方法及图纸

沿着穿过（垂直）基底（１０）表面的方向施加作为外部磁场的初始化磁场（Ｈｉ）以便初始化介质（１），使得可以同时初始化第一磁薄膜（１１）和第二磁薄膜（１２）。在这个初始化介质的方法中，相对穿过基底（１０）的方向，第一磁薄膜（１１）的初始化磁化（Ｈ１ｉ）的磁化方向与第二磁薄膜（１２）的初始化磁化（Ｈ２ｉ）的磁化方向彼此一致。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及初始化磁记录介质的方法，向磁记录介质传送信号的方法，处理磁记录介质的信号的装置，和双面垂直磁记录介质。
技术介绍
双面垂直磁记录介质(此后也简称为″介质″)是已知的，其中双面垂直磁记录介质将信息记录成基底两面上形成的各个磁薄膜中的垂直磁化。这种介质被用于诸如硬盘的大容量存储器。图1A和1B的视图示出了传统介质的磁化状态。图1A示出了初始化介质的磁化状态，图1B示出了其中记录有信号的介质的磁化状态。在图1A和1B中，介质1由基底10、第一磁薄膜11和第二磁薄膜12组成。基底10由非磁材料组成，并且具有平坦表面。基底10的材料可以是例如玻璃，诸如聚碳酸酯的合成树脂，诸如铝的金属，硅，碳等等。在基底10的第一表面上形成第一磁薄膜11，同时在基底10的位于第一表面另一面的第二表面上形成第二磁薄膜12。从各种磁材料，例如TbFeCo、TbFe、TbCo、GdFeCo、DyFeCo、FePt、Co/Fe和Co/Pd中选择第一磁薄膜11和第二磁薄膜12的材料。应当注意，第一磁薄膜11和第二磁薄膜12具有垂直磁性各向异性，其中其磁化方向与基底10的垂直方向一致。图1A中的箭头H1i和H2i分别指示初始化的第一磁薄膜11的磁化和初始化的第二磁薄膜12的磁化，即第一和第二磁薄膜11和12的初始化磁化。箭羽(fletching)标记H1和H2分别指示当从介质1外部观察表面时，第一磁薄膜11表面的磁化方向和第二磁薄膜12表面的磁化方向。如表面磁化方向H1和H2所示，当从介质1外部观察介质1表面时，初始化磁化H1i和H2i的磁化方向从介质1的外部到内部穿过(垂直)基底10表面，并且彼此一致。换言之，对于与基底10表面垂直的方向，第一磁薄膜11的初始化磁化H1i的方向与第二磁薄膜12的初始化磁化H2i的方向相反。图1B中空心箭头(arrow relieved in white)H1m和H2m(标记磁化H1m和H2m)分别指示信号(此后也被称作标记)被记录在第一磁薄膜11中的状态，和信号(标记)被记录在第二磁薄膜12中的状态。换言之，标记磁化H1m和H2m指示这样的状态，其中通过产生方向与初始化磁化H1i和H2i相反的磁化来记录标记。对于表面磁化方向H1和H2，标记磁化H1m和H2m也指向与初始化磁化H1i和H2i相反的方向。图2示出了初始化介质的常规方法。类似的附图标记被用来表示与图1A和1B中部件类似的部件，并且这里省略了有关描述。在图2中，磁体MG产生磁力线ML，磁力线ML只磁化磁体所面对的磁薄膜。当磁体MG沿着箭头A指示的方向扫描介质1表面时，磁力线ML分别初始化第一磁薄膜11和第二磁薄膜12，从而分别在第一磁薄膜11和第二磁薄膜12中形成初始化磁化H1i和H2i。图2示出了完成第二磁薄膜12的初始化以形成初始化磁化H2i的状态，并且该状态处于初始化第一磁薄膜11以形成初始化磁化H1i的过程的中间。通过这种初始化方法，形成初始化磁化H1i和H2i以便指向相对基底10的垂直方向彼此相反的方向。这种分别初始化介质1的第一磁薄膜11和第二磁薄膜12的传统初始化方法需要大量时间进行初始化。应当注意，初始化磁化H1i和H2i指向不同方向，但是具有相同量级。如上所述，传统介质的问题是其初始化困难并且耗时。
技术实现思路
为解决上述问题，提出了本专利技术，本专利技术的目的是提供一种方法，其中初始化磁记录介质，使得相对穿过基底表面的方向，基底一面上形成的初始化磁化的方向与基底另一面上形成的初始化磁化的方向彼此一致。本专利技术的另一个目的是提供一种方法，用于初始化磁记录介质，使得可以同时初始化多个双面垂直磁记录介质。本专利技术的另一个目的是提供一种方法，用于向磁记录介质传送信号，使得信号模式(例如预格式化信号)可以方便和精确地被传送到从介质。本专利技术的另一个目的是提供处理磁记录介质信号的装置，该装置可以方便地针对双面垂直磁记录介质写/读信号，其中相对穿过基底表面的方向，基底一面上形成的磁薄膜的初始化磁化的方向与基底另一面上形成的磁薄膜的初始化磁化的方向彼此一致。本专利技术的另一个目的是提供双面垂直磁记录介质，其中相对其垂直方向，其一面上形成的磁薄膜的初始化磁化的方向与其另一面上形成的磁薄膜的初始化磁化的方向彼此一致。本专利技术的初始化磁记录介质的方法是初始化双面垂直磁记录介质的方法，所述双面垂直磁记录介质包括基底；基底第一表面上形成的第一磁薄膜；和基底中位于第一表面的另一面的第二表面上形成的第二磁薄膜。在这种初始化磁记录介质的方法中，在穿过基底表面的方向上施加初始化磁场，以便同时初始化第一磁薄膜和第二磁薄膜。相对穿过基底表面的方向，第一磁薄膜的初始化磁化的方向和第二磁薄膜的初始化磁化的方向彼此一致。通过这种初始化磁记录介质的方法可以同时初始化第一磁薄膜和第二磁薄膜，其中在穿过基底表面的方向上施加初始化磁场，使得相对穿过基底的方向，第一磁薄膜的初始化磁化的方向与第二磁薄膜的初始化磁化的方向彼此一致。因此，可以方便和精确地初始化双面垂直磁记录介质，可以减少初始化所需的时间，并且可以提高介质初始化效率。在本专利技术的初始化磁记录介质的方法中，可以叠加多个双面垂直磁记录介质，并且可以在叠加方向上施加初始化磁场，以便同时初始化双面垂直磁记录介质。通过这种初始化磁记录介质的方法，可以方便地初始化双面垂直磁记录介质，可以减少初始化所需的时间，并且可以显著提高介质初始化效率。本专利技术的向磁记录介质传送信号的方法是向双面垂直磁记录介质传送信号模式的方法，其中双面垂直磁记录介质包括基底；基底第一表面上形成的第一磁薄膜；和基底中位于第一表面的另一面的第二表面上形成的第二磁薄膜。这种向磁记录介质传送信号的方法包括将具有对应于要传送的信号模式的磁材料区的第一主介质布置成与第一磁薄膜接触或接近，并且将具有对应于要传送的信号模式的磁材料区的第二主介质布置成与第二磁薄膜接触或接近的步骤；和在穿过第一主介质、双面垂直磁记录介质与第二主介质的方向上施加用于信号传送的磁场，以便将第一主介质的信号模式传送到第一磁薄膜，并且将第二主介质的信号模式传送到第二磁薄膜的步骤。在本专利技术的向磁记录介质传送信号的方法中，可以事先对双面垂直磁记录介质进行初始化，使得相对穿过基底表面的方向，第一磁薄膜的初始化磁化的方向和第二磁薄膜的初始化磁化的方向彼此一致。在本专利技术的向磁记录介质传送信号的方法中，磁材料区可以由软磁材料或垂直铁磁体材料组成。在本专利技术的向磁记录介质传送信号的方法中，第一主介质的信号模式和第二主介质的信号模式中的每一个均可以是另一个的镜象。在本专利技术的向磁记录介质传送信号的方法中，要传送的信号模式可以是双面垂直磁记录介质的预格式化信号的模式。在本专利技术的向磁记录介质传送信号的这些方法中，同时执行第一主介质的信号模式(标记模式)到第一磁薄膜的初始化，和第二主介质的信号模式(标记模式)到第二磁薄膜的初始化，其中在用于信号传送的磁场被施加到穿过双面垂直磁记录介质(从介质)表面的方向上之前，第一主介质被布置成面对从介质的第一磁薄膜，第二主介质被布置成面对从介质的第二磁薄膜。因此，可以方便和精确地从主介质向从介质传送信号。本专利技术的处理磁记录介质的信号的装置包括至少一个信号写入装置和信号读取装置，其中信号写入本文档来自技高网...

【技术保护点】
初始化双面垂直磁记录介质的方法，所述双面垂直磁记录介质包含：基底；基底第一表面上形成的第一磁薄膜；和基底中位于第一表面的另一面的第二表面上形成的第二磁薄膜， 其特征在于，在穿过基底表面的方向上施加初始化磁场，以同时初始化第一磁薄膜和第二磁薄膜， 使得相对穿过基底表面的方向，第一磁薄膜的初始化磁化的方向和第二磁薄膜的初始化磁化的方向彼此一致。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：濱口慎吾，尾崎一幸，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]