感测装置及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:30647528 阅读:81 留言:0更新日期:2021-11-04 00:58
本发明专利技术公开一种感测装置及其制造方法。感测装置的制造方法包括以下步骤。提供基板。形成图案化半导体层于基板上。形成栅极绝缘层于基板上并覆盖图案化半导体层。形成栅极于栅极绝缘层上。形成层间介电层于基板上并覆盖栅极及栅极绝缘层,且层间介电层具有暴露出部分图案化半导体层的介电开口。形成第二导电材料层于层间介电层上。形成光感材料层于第二导电材料层上。通过光掩模以于基板上形成图案化光致抗蚀剂层。通过图案化光致抗蚀剂层移除部分的光感材料层以形成光感层,且移除部分的第二导电材料层以形成第一感测电极。形成第二感测电极于光感层上。极于光感层上。极于光感层上。

【技术实现步骤摘要】
感测装置及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体装置及其制造方法,且特别是涉及一种感测装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着科技的进展,个人用电子设备的功能日益增加。举例来说,现在市面上的手机往往除了通话功能以外,还包含了照相功能、录影功能、记事功能、上网功能
……
等等生活中时常会使用的功能。在这些具备多功能的电子设备中,往往设置有感测装置,感测装置能侦测电子产品所处的环境的光线,除了能帮助使用者获得更佳的拍照、录影品质外,部分的感测装置还能侦测使用者手指表面的起伏,使电子产品具备指纹识别的功能。
[0003]一般来说,感测装置中的光感层与其下方的感测电极为不同光掩模工艺。然而,不同光掩模工艺之间常会有偏移产生。因此,为了降低偏移的影响,常会使光感层较其下方的感测电极内缩。如此一来,可能会降低光感层的感光面积,而使其感测装置的感光能力降低。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种感测装置的制造方法,可以减少光掩模工艺,降低制造成本。
[0005]本专利技术提供一种感测装置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种感测装置的制作方法,包括:提供基板;形成图案化半导体层于所述基板上;形成栅极绝缘层于所述基板上并覆盖所述图案化半导体层;形成栅极于所述栅极绝缘层上;形成层间介电层于所述基板上并覆盖所述栅极及所述栅极绝缘层,且所述层间介电层具有暴露出部分所述图案化半导体层的介电开口;形成第二导电材料层于所述层间介电层上;形成光感材料层于所述第二导电材料层上;通过光掩模以于所述基板上形成图案化光致抗蚀剂层;通过所述图案化光致抗蚀剂层移除部分的所述光感材料层以形成光感层,且移除部分的所述第二导电材料层以形成第一感测电极;以及形成第二感测电极于所述光感层上。2.如权利要求1所述的制作方法,还包括:通过所述图案化光致抗蚀剂层移除部分的所述第二导电材料层以形成第一信号线;形成第一图案化绝缘层于所述基板上,且所述第一图案化绝缘层具有暴露出部分的所述光感层的第一开口及暴露出部分的所述第一信号线的第二开口;形成第三导电材料层于所述第一图案化绝缘层上,且填入所述第一开口及所述第二开口;以及移除部分的所述第三导电材料层,以形成所述第二感测电极及第一连接线,其中所述第一连接线电连接于所述第二感测电极及所述第一信号线。3.如权利要求2所述的制作方法,其中所述图案化光致抗蚀剂层包括第一光致抗蚀剂区及第二光致抗蚀剂区,所述第一光致抗蚀剂区的厚度大于所述第二光致抗蚀剂区的厚度,且所述方法还包括:通过所述第一光致抗蚀剂区及所述第二光致抗蚀剂区,移除部分的所述光感材料层以形成图案化光感材料层,且移除部分的所述第二导电材料层以形成所述第一感测电极及所述第一信号线,其中所述第一感测...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄郁涵丘兆仟
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1