阵列基板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制备方法，在阵列基板的主动层之上形成有金属膜层，金属膜层在后续源/漏极图案化处理时保护所述主动层免受刻蚀液或干刻制程的损害，后续金属膜层对应在主动层沟道处的部分被氧化处理形成氧化层，保持主动层的功能特性；在阵列基板的整个制程中，主动层没有受到后续制程的损害，器件稳定性得以保持。稳定性得以保持。稳定性得以保持。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。

技术介绍

[0002]氧化物薄膜晶体管(indium gallium zinc oxide，简称IGZO)技术被认为是有希望取代非晶硅薄膜晶体管技术，成为下一代显示驱动背板的主流技术。与非晶硅薄膜晶体管技术相比，氧化物薄膜晶体管技术的特点是迁移率较高(μ>10cm2/Vs)、大面积均匀性好和生产成本较低。
[0003]但是氧化物薄膜晶体管的稳定性仍然存在一定的问题，特别是采用背沟道刻蚀(Back channel Etch，简称BCE)结构的氧化物薄膜晶体管。现有技术的BCE结构的氧化物薄膜晶体管在制备过程中，氧化物沟道处裸露会直接受到源/漏极金属刻蚀液或者干刻蚀制程的影响，导致器件稳定性不佳，传统刻蚀阻挡型结构氧化物薄膜晶体管为防止氧化物沟道被损坏，采用SiOx绝缘膜层阻挡损坏，但这需要增加一次SiOx成膜制程和一道光罩，增加了生产工序和成本。
[0004]因此，改善氧化物薄膜晶体管的稳定性，特别是改善BCE结构的氧化物薄本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基底；主栅极，位于所述基底之上；主动层，位于主栅极之上；刻蚀阻挡层，位于所述主动层之上；以及源极和漏极，位于所述刻蚀阻挡层之上；其中，所述源极和所述漏极部分覆盖所述刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层未被所述源极和所述漏极覆盖的区域配置成氧化金属层，且所述氧化金属层与所述主动层、所述主栅极对位设置。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源极和所述漏极之上均设置有金属连接层，所述漏极通过所述金属连接层连接至像素。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述金属连接层的材料包括Mo、MoTi以及MoNi中的任意一种。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述基底之上还设置有钝化层，所述钝化层至少覆盖所述氧化金属层以及位于所述源极和所述漏极之上的所述金属连接层；所述钝化层形成有通孔，所述通孔与位于所述漏极之上的所述金属连接层对位设置。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层包括层叠设置的第一子钝化层和第二子钝化层，所述第一子钝化层与所述氧化金属层部分接触，且所述第一子钝化层的材料包括硅氧化物。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管还包括辅栅极，所述辅栅极位于所述氧化金属层之上，且与所述氧化金属层对位设置；其中，所述辅栅极设置于所述第一子钝化层与所述第二子钝化层之间。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料包括Ti，且所述刻蚀阻挡层的膜层厚度为5nm～10nm。8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括步骤：S10、提供基底，并在所述基底上形成主栅极、栅绝缘层以及主动层；S20、在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李恭檀，李珊，徐铉植，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：