一种炔基修饰的半导体材料的制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种炔基修饰的半导体光催化剂材料的制备方法及应用，将半导体材料与金属炔化物置于球磨罐中，并向球磨罐中加入不与半导体材料和金属炔化物反应的溶剂，使溶剂没过钢珠后，在氮气或惰性气体保护下进行球磨，经后处理得到炔基修饰的半导体材料；制得的炔基修饰的半导体材料用于有机染料或抗生素降解。本发明专利技术采用球磨的方法制备炔基修饰的半导体光催化剂材料，操作简单，避免了现有技术有毒原料的使用以及副产物的产生，制得的炔基修饰的半导体光催化剂材料对于有机染料和抗生素的降解性能优于纯的半导体材料。的降解性能优于纯的半导体材料。的降解性能优于纯的半导体材料。

【技术实现步骤摘要】
一种炔基修饰的半导体材料的制备方法和应用


[0001]本专利技术属于半导体材料
，涉及一种炔基修饰的半导体材料的制备方法和应用。

技术介绍

[0002]随着工业化的高速发展，人类社会所面临的能源危机和环境污染等问题日益严重。世界各国纷纷加大对环境污染的整治工作，并且增大对新能源和能源新技术的开发与利用。
[0003]太阳能资源潜力大，环境污染低，资源可持续利用，是绿色生态发展的重要能源。而半导体光催化技术因其可以直接利用太阳能来驱动反应，故在能源和环境领域有着重要的应用前景。科研工作者关于光催化材料理论的研究和实验进程取得了较大的进展，许多的半导体材料在光催化领域的应用已经得到了初步的应用。但是，目前能工业化的光催化材料在性能方面还有待改善。以g
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C3N4为例，其合成简单，物理化学性质稳定，生物相容性好，并且循环稳定性好等特点引起了国内外研究者的青睐，被广泛应用于光催化降解有机污染物和光解水等领域。然而，g
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C3N4也存在着自身的缺陷，如吸光能力弱、比表面积低、光生电子<br/>‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种炔基修饰的半导体材料的制备方法，其特征在于，将半导体材料与金属炔化物置于球磨罐中，并向球磨罐中加入不与半导体材料和金属炔化物反应的溶剂，使溶剂没过钢珠后，在氮气或惰性气体保护下进行球磨，经后处理得到炔基修饰的半导体材料。2.根据权利要求1所述的一种炔基修饰的半导体材料的制备方法，其特征在于，半导体材料与金属炔化物的质量比为8:1～2:1。3.根据权利要求2所述的一种炔基修饰的半导体材料的制备方法，其特征在于，半导体材料与金属炔化物的质量比为4:1。4.根据权利要求1所述的一种炔基修饰的半导体材料的制备方法，其特征在于，半导体材料为g
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C3N4、TiO2、聚3
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己基噻吩、共价三嗪框架或有机金属框架；g
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C3N4半导体材料的制备过程为：将富氮前驱体置于马弗炉中以5～10℃/min的升温速率升温至450～650℃后保温2～6h得到g
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C3N4半导体材料，富氮前驱体为尿素、三聚氰胺、双氰胺或硫脲。5.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙明轩，刘文珠，孙汪兵，丁志鹏，
申请(专利权)人：上海工程技术大学，
类型：发明
国别省市：