用于保护晶体管免于过载的方法和电子电路技术

本公开的各实施例涉及用于保护晶体管免于过载的方法和电子电路。说明了一种方法。该方法包括：求取第一测量信号(CS1)，该第一测量信号取决于流过与负载(Z)串联连接的第一晶体管(Q1)的第一负载电流(I1)；求取第二测量信号(CS2)，该第二测量信号取决于流过与负载(Z)串联连接的第二晶体管(Q2)的第二负载电流(I2)；以及比较第一测量信号(CS1)和第二测量信号(CS2)，以检测故障的存在。以检测故障的存在。以检测故障的存在。

【技术实现步骤摘要】
用于保护晶体管免于过载的方法和电子电路


[0001]本说明书涉及一种用于保护晶体管免于过载的方法、以及一种具有晶体管的电子电路。

技术介绍

[0002]晶体管被广泛用于驱控各种类型的电子负载或电气负载，诸如电动机、电灯、电磁阀，仅举几例。为此，通常将晶体管与负载串联连接，并供电电压被施加在具有负载和晶体管的串联电路两端，使得在接通时电流可以流过负载。
[0003]在运行中必须保护晶体管免于由过高的负载电流引起的过载，否则会存在晶体管被损坏或毁坏的风险。例如，当在负载中或与负载并联地发生短路时，则可能会出现过高的负载电流。可以相对较容易地检测低电阻短路，即短路路径中的电阻处于或低于开关的导通电阻范围的短路。这种低电阻短路会导致晶体管两端的电压显著增大，从而可以例如通过监控晶体管两端的电压来检测这种短路。
[0004]难以检测高电阻短路，即，如下的短路，在该短路中流经短路路径的电流仅会将流过晶体管的负载电流提高到使得负载电流仍处于允许范围内。因此，需要一种改进的方法来检测与晶体管串联连接的负载中的短路。

技术实现思路

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，包括：求取第一测量信号(CS1)，所述第一测量信号取决于流过与负载(Z)串联连接的第一晶体管(Q1)的第一负载电流(I1)；求取第二测量信号(CS2)，所述第二测量信号取决于流过与所述负载(Z)串联连接的第二晶体管(Q2)的第二负载电流(I2)；比较所述第一测量信号(CS1)和所述第二测量信号(CS2)，以检测故障的存在。2.根据权利要求1所述的方法，其中当所述第一测量信号(CS1)和所述第二测量信号(CS2)中的一个测量信号与所述第一测量信号(CS1)和所述第二测量信号(CS2)中的另一个测量信号相差超过预设值时，检测到故障的存在。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中求取所述第一测量信号(CS1)包括获取所述第一晶体管(Q1)的负载路径电压(V1)。4.根据权利要求3所述的方法，其中产生所述第一电流测量信号(CS1)包括获取所述负载路径电压(V1)和借助于放大器(31)来放大所述负载路径电压。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中求取所述第二测量信号(CS2)包括测量所述第二晶体管(Q2)的负载路径电压(V2)。6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中求取所述第二测量信号(CS2)包括产生取决于所述第二负载电流(I2)的测量电流(IS)。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二晶体管(Q2)具有负载电流输出端(S11)和测量电流输出端(S12)，并且其中所述测量电流(IS2)由耦连到所述负载电流输出端(S11)和所述测量电流输出端(S12)的电流获取电路(35)提供。8.根据权利要求6或7所述的方法，其中产生所述第二测量信号(CS2)包括通过测量电阻(34)传导所述测量电流(IS2)，其中所述第二测量信号(CS2)是所述测量电阻(34)两端的电压。9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第一晶体管(Q1)是H桥的低侧晶体管，并且其中所述第二晶体管(Q2)是所述H桥的高侧晶体管。10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：在检测到故障时，关断所述第一晶体管(Q1)和所述第二晶体管(Q2)中的至少一个晶体管。11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：依据取决于所述第二负载电流(I2)的保险特性曲线来驱控所述第二晶体管(Q2)。12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：将所述第一测量信号(CS1)与固定预设的阈值进行比较；并且
当所述第一测量信号(CS1)达到或超过所述固定预设的阈值时关断所述第一晶体管(Q1)。13.一种电子电路，具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：