用于存储器装置的系统和方法制造方法及图纸

本申请涉及用于存储器装置的系统和方法。存储器系统中的处理装置接收将多平面数据段写入到存储器装置的请求，所述存储器装置包括多个平面。所述处理装置将所述多平面数据段划分为多个单平面数据段，且同时执行多个写入操作以将所述多个单平面数据段中的每一个写入到所述存储器装置的所述多个平面的对应平面。到所述存储器装置的所述多个平面的对应平面。到所述存储器装置的所述多个平面的对应平面。

【技术实现步骤摘要】
用于存储器装置的系统和方法


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体地说，涉及将多平面写入操作转换为在存储器子系统中的多平面存储器装置上并行执行的多个单平面写入操作。

技术介绍

[0002]一种存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可以利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]一方面，本申请提供一种系统，其包括：存储器装置，其包括多个平面；以及处理装置，其以操作方式与所述存储器装置耦合，以执行包括以下各项的操作：接收将多平面数据段写入到所述存储器装置的请求；将所述多平面数据段划分为至少第一单平面数据段和第二单平面数据段；执行第一写入操作以将所述第一单平面数据段写入到所述多个平面的第一平面；以及执行第二写入操作以将所述第二单平面数据段写入到所述多个平面的第二平面，其中所述第一写入操作和所述第二写入操作在时间上至少部分地重叠。
[0004]另一方面，本申请提供一种方法，其包括：接收将多平面数据段写入到存储器装置的请求，所述存储器装置包括多个平面；将所述多平面数据段划分为多个单平面数据段；以及同时执行多个写入操作以将所述多个单平面数据段中的每一个写入到所述存储器装置的所述多个平面的对应平面。
[0005]另一方面，本申请提供一种非暂时性计算机可读存储媒体，其包括指令，所述指令在由处理装置执行时使得所述处理装置执行包括以下各项的操作：接收将多平面数据段写入到存储器装置的请求，所述存储器装置包括多个平面；将所述多平面数据段划分为多个单平面数据段；以及同时执行多个写入操作以将所述多个单平面数据段中的每一个写入到所述存储器装置的所述多个平面的对应平面。
附图说明
[0006]根据下文给出的具体实施方式且根据本公开的各种实施例的附图将更加充分地理解本公开。
[0007]图1示出根据本公开的一些实施例包含存储器子系统的实例计算系统。
[0008]图2为根据本公开的一些实施例示出被配置成并行地执行单平面写入操作的多平面存储器装置的框图。
[0009]图3A为根据本公开的一些实施例示出被配置成接收与经转换多平面写入操作对应的多个单平面写入操作的多平面存储器装置的框图。
[0010]图3B为根据本公开的一些实施例示出被划分成单平面数据段的多平面数据段的框图。
[0011]图4为将多平面写入操作转换为在存储器子系统中的多平面存储器装置上并行执行的多个单平面写入操作的实例方法的流程图。
[0012]图5为其中可操作本公开的实施例的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0013]本公开的各方面涉及将多平面写入操作转换为在存储器子系统中的多平面存储器装置上并行执行的多个单平面写入操作。存储器子系统可为存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的混合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含一或多个组件(例如，存储数据的存储器装置)的存储器子系统。主机系统可提供待存储在存储器子系统处的数据且可请求待从存储器子系统检索的数据。
[0014]存储器子系统可包含高密度非易失性存储器装置，其中当没有电力被供应到存储器装置时需要数据的保持。非易失性存储器装置的一个实例是与非(NAND)存储器装置。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置是一或多个裸片的封装。每一裸片可由一或多个平面组成。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，NAND装置)，每一平面由物理块集组成。每一块由页集合组成。每一页由存储器单元集(“单元”)组成。单元是存储信息的电子电路。取决于单元类型，单元可以存储二进制信息的一或多个位，且具有与正存储的位数相关的各种逻辑状态。逻辑状态可由二进制值(例如“0”和“1”)或此类值的组合表示。
[0015]存储器装置可由布置于二维网格中的位组成。将存储器单元蚀刻到列(下文也称为位线)和行(下文也称为字线)的阵列中的硅晶片上。字线可指代存储器装置的存储器单元的一或多个行，所述一或多个行与一或多个位线一起使用以产生存储器单元中的每一个的地址。位线和字线的交叉点构成存储器单元的地址。下文中，块是指用于存储数据的存储器装置的单元，且可包含存储器单元的群组、字线群组、字线或个别存储器单元。可将一或多个块分组在一起以形成存储器装置的平面，以便允许在每一平面上进行并发操作。存储器装置可包含执行两个或更多个存储器平面的并发存储器页存取的电路系统。例如，存储器装置可包含用于存储器装置的每一平面的相应存取线驱动器电路和电力电路以促进对包含不同页类型的两个或更多个存储器平面的页进行并发存取。
[0016]在某些存储器装置中，当写入大于典型块大小的数据单元(即，包含多个数据块)时，可跨存储器装置的多个平面在条带中写入那些多个块。此写入操作(即，超过单个块的大小的写入操作)可被称为多平面写入操作。因此，任何时候将较大数据段写入到存储器装置作为多平面写入操作的部分，存储器装置的所有平面或至少多个平面在写入操作的持续时间内都将为不可存取的。因此，如果在写入操作进行时接收对存储在相同裸片上的数据的读取请求，即使涉及到存储器装置的不同平面的块中的数据，则存储器子系统也将必须暂停写入操作以便执行所述读取。由于写入往往在大小上较大(例如，64千字节至0.5兆字节或更多)，因此在写入操作进行时可能会收到许多读取操作，这需要多次暂停写入操作。这可对存储器子系统中的性能产生不利影响，从而导致等待时间增加并且服务质量降低。
[0017]本公开的各方面通过将多平面写入操作转换为在存储器子系统中的多平面存储器装置上并行执行的多个单平面写入操作来解决以上和其它缺陷。在一个实施例中，存储器子系统接收将多平面数据段写入到存储器装置的请求。存储器子系统可将多平面数据段
划分为多个单平面数据段，且同时执行多个写入操作以将单平面数据段中的每一个写入到多平面存储器装置的对应平面。因此，当正执行编程操作时，可单独存取每一平面。例如，如果在编程操作进行时接收对存储在一个平面上的数据执行读取操作的请求，则存储器子系统可仅暂停涉及到对应平面的写入操作且执行所述读取操作，而涉及到存储器装置的其它平面的其它写入操作继续进行。
[0018]将多平面写入操作转换为在多平面存储器装置上并行执行的多个单平面写入操作会引起存储器子系统中的显著性能改进。随着针对存储器装置的同一平面的存储器存取操作之间发生冲突的可能性基本减小，可提供到主机系统的客户端的服务质量水平会增加。此外，本文中所描述的技术考虑到存储器子系统中存储器裸片的大小及数量的增大的可缩放性，同时维持且可能改进相关联的性能特性，例如请求等待时间及输送量。
[0019]图1示出根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统110的实例计算系统100。存储器子系统110可包含媒体，例如一或多个易失性存储器装置(例如，存储器装置140)、一或多个非易本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种系统，其包括：存储器装置，其包括多个平面；以及处理装置，其以操作方式与所述存储器装置耦合，以执行包括以下各项的操作：接收将多平面数据段写入到所述存储器装置的请求；将所述多平面数据段划分为至少第一单平面数据段和第二单平面数据段；执行第一写入操作以将所述第一单平面数据段写入到所述多个平面的第一平面；以及执行第二写入操作以将所述第二单平面数据段写入到所述多个平面的第二平面，其中所述第一写入操作和所述第二写入操作在时间上至少部分地重叠。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置用以执行包括以下各项的进一步操作：在进行所述第一写入操作和所述第二写入操作时接收对存储在所述第一平面上的数据进行读取的请求；暂停所述第一写入操作；以及执行读取操作以读取存储在所述第一平面上的所述数据，同时继续执行所述第二写入操作。3.根据权利要求2所述的系统，其进一步包括：在完成所述读取操作后即刻恢复所述第一写入操作。4.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一单平面数据段和所述第二单平面段中的每一个对应于所述存储器装置的块大小。5.根据权利要求1所述的系统，其中执行所述第一写入操作和所述第二写入操作包括将一或多个数据块写入到所述第一平面和所述第二平面中的每一个。6.根据权利要求1所述的系统，其中执行所述第一写入操作和所述第二写入操作包括针对所述第一写入操作和所述第二写入操作同时配置对应于所述第一平面的第一驱动器电路以及对应于所述第二平面的第二驱动器电路。7.一种方法，其包括：接收将多平面数据段写入到存储器装置的请求，所述存储器装置包括多个平面；将所述多平面数据段划分为多个单平面数据段；以及同时执行多个写入操作以将所述多个单平面数据段中的每一个写入到所述存储器装置的所述多个平面的对应平面。8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括：在进行所述多个写入操作时接收对存储在所述多个平面的第一平面上的数据进行读取的请求；暂停所述多个写入操作中的第一写入操作，所述第一写入操作对应于所述第一平面；以及执行读取操作以读取存储在所述第一平面上的所述数据，同时继续执行与所述多个平面的另一平面对应的所述多个写入操作中的至少一个其它写入操作。9.根据权利要求8所述的方法，其中执行所述读取操作包括读取存储在所述第一平面上的所述数据而不暂停所述多个写入操作中的所述至少一个其它写入操作。10.根据权利要求8所述的方法，其进一...

【专利技术属性】
技术研发人员：L，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：