【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】非固化型导热性有机硅组合物
[0001]本专利技术涉及一种非固化型导热性有机硅组合物。
技术介绍
[0002]大规模集成电路(LSI)和集成电路(IC)芯片等电子器件在使用中发热及由此造成的性能降低已广为人知,作为用于解决该问题的手段,使用了各种散热技术。作为通常的散热技术,可列举出在发热部附近配置冷却部件并使两者紧密接触,在此基础上经冷却构件有效地除热,由此进行散热的技术。
[0003]此时,若在发热构件与冷却构件之间存有间隙,则会存在导热性差的空气,由此导致导热率降低,发热构件的温度无法充分降低。为了防止这样的空气的存在、提高导热率,使用了一种导热率良好且对构件表面具有追随性的散热材料、例如散热膏(grease)或散热片(专利文献1~11)。
[0004]例如,专利文献9中公开了一种含有具有特定结构的有机聚硅氧烷、具有特定取代基的烷氧基硅烷及导热性填充剂的导热性有机硅膏组合物,并记载了该组合物的导热性良好,且流动性良好,操作性优异。此外,专利文献10及专利文献11中公开了一种具有粘着性及导热性的片,并公开 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种非固化型导热性有机硅组合物,其特征在于,以如下含量含有下述(A)~(C)成分作为必要成分,且所述(A)成分与所述(B)成分的混合物的分子量分布Mw/Mn为10以上,(A)在25℃下的运动粘度为1,000,000mm2/s以上的有机聚硅氧烷,相对于(A)成分与(B)成分的合计为5~20质量%;(B)由下述通式(1)表示的水解性有机聚硅氧烷化合物,相对于(A)成分与(B)成分的合计为80~95质量%,[化学式1]式中,R1表示任选具有取代基的碳原子数为1~10的1价烃基,各个R1可以相同也可以不同,m为5~100的整数;(C)选自由金属、金属氧化物、金属氢氧...
【专利技术属性】
技术研发人员:北泽启太,户谷亘,
申请(专利权)人:信越化学工业株式会社,
类型:发明
国别省市:
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