【技术实现步骤摘要】
利用三端存储器件的模拟内容可寻址存储器
技术介绍
[0001]内容可寻址存储器(“CAM”)是一种计算存储器，其中所存储的数据不是通过其位置而是通过其内容来访问的。将字或“标签”输入到CAM，CAM在其内容中搜索标签，当找到时，CAM返回找到的内容所驻留的位置的地址。CAM功能强大、高效且快速。然而，CAM的尺寸也相对较大、消耗大量功率，并且相对昂贵。这些缺点将它们的适用性限制在选择其功率、效率和速度远胜于其尺寸、成本和功耗的应用中。
附图说明
[0002]当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本公开。要强调的是，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为了清楚起见，可以任意地增加或减小各种特征的尺寸。
[0003]图1描绘了根据要求保护的主题的一个或多个示例的模拟内容可寻址存储器(“模拟CAM”)。
[0004]图2示出了在一个特定示例中模拟CAM、例如图1中的模拟CAM的模拟单元阵列的所选部分。
[0005]图3描绘了可用于实现图2的模拟CAM单元的模拟CAM单元电路。
[00...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种模拟内容可寻址存储单元，包括：匹配线，其具有电荷；高侧，所述高侧对值的范围上的高电压边界编码，所述高侧包括至少三端的第一存储器件，其中所述三端中的至少一个包括第一栅极，并且其中施加在所述第一存储器件的所述第一栅极处的输入电压如果高于所述高电压边界，则使所述第一存储器件导通，从而使所述匹配线放电；以及低侧，所述低侧对值的范围上的低电压边界编码，所述低侧包括至少三端的第二存储器件，其中所述三端中的至少一个包括第二栅极，并且其中施加在所述第二存储器件的所述第二栅极处的输入电压如果低于所述低电压边界，则使所述第二存储器件导通，从而使所述匹配线放电。2.根据权利要求1所述的模拟内容可寻址存储单元，其中，所述三端的第一存储器件和所述三端的第二存储器件是浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。3.根据权利要求2所述的模拟内容可寻址存储单元，其中，所述高电压边界能够通过施加在所述第一存储器件的第一浮置栅极处的第一电荷来调节，并且所述低电压边界能够通过施加在所述第二存储器件的第二浮置栅极处的第二电荷来调节。4.根据权利要求1所述的模拟内容可寻址存储单元，其中，所述三端的第一存储器件和所述三端的第二存储器件是铁电场效应晶体管(FeFET)。5.根据权利要求4所述的模拟内容可寻址存储单元，其中，所述高电压边界能够通过施加在所述第一存储器件的第一铁电层处的第一极化电荷来调节，并且所述低电压边界能够通过施加在所述第二存储器件的第二铁电层处的第二极化电荷来调节。6.根据权利要求1所述的模拟内容可寻址存储单元，其中，所述匹配线被预充电。7.根据权利要求6所述的模拟内容可寻址存储单元，其中，当施加的所述输入电压低于所述高电压边界并且高于所述低电压边界时，所述匹配线保持充电。8.根据权利要求7所述的模拟内容可寻址存储单元，其中，在施加所述输入电压后所述匹配线保持充电的情况下，所述匹配线指示匹配。9.一种模拟内容可寻址存储器，包括：多个输入电压，输入模式能够通过所述多个输入电压被加载以使用；以及模拟存储单元阵列，用于接收所述多个输入电压，所述模拟存储单元阵列的每个单元包括：高侧，所述高侧对高电压边界编码，所述高侧包括至少三端的第一存储器件，其中，所述三端中的至少一个包括第一栅极，并且其中，所述多个输入电压中的一输入电压被施加在所述第一存储器件的所述第一栅极，其中，如果所述输入电压高于所述高电压边界，则所述第一存储器件被导通，从而使所述模拟存储单元的匹配线放电；以及低侧，所述低侧对值的范围上的低电压边界编码，所述低侧包括至少三端的第二存储器件，其中，所述三端中的至少一个包括第二栅极，并且其中，所述多个输入电压中的所述输入电压被施加在所述第二存储器件的所述第二栅极，其中，如果所述输入电压低于所述低电压边界，则所述第二存储器件被导通，从而使所述匹配线放电。10.根据权利要求9所述的模...
【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：慧与发展有限责任合伙企业，
类型：发明
国别省市：
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