传感器堆与屏蔽之间具有高阻抗软磁性层的磁阻传感器制造技术

磁阻传感器有一个置于传感器堆和至少一个磁屏蔽之间的高阻抗软磁性层。高阻抗软磁性层的存在允许获得一个较小的读间隙，它导致更高的记录密度。磁阻传感器对故障和静电损伤的敏感性得以改善。还提供了带有这种新颖磁阻传感器的磁盘驱动器。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通常用于磁盘驱动器中的磁阻传感器，尤其涉及间隙中具有高阻抗软磁性层的磁阻传感器。
技术介绍
在现代计算机系统中使用数字信息的磁记录形式的磁盘驱动器存储大部分的数据。一个磁盘驱动器有至少一个具有离散同心数据磁道的旋转磁盘。每个磁盘驱动器还有至少一个记录头，记录头通常有一个分离的写元件和读元件，用于读写磁道上的数据。记录头构造于滑块上，滑块附着在悬架上。记录头、滑块和悬架的组合称为头万向节组件。另外，有一个传动装置把记录头置于所关注的特定磁道上。传动装置首先旋转来寻找所关注的磁道。将记录头置于该磁道上之后，传动装置把记录头保持在接近该磁道的位置。磁盘驱动器中的磁盘有一个基底和形成于基底上的磁层，用于磁记录。带有记录头的滑块有一个面向磁盘的表面，其上构造有一个气浮轴承。气浮轴承允许滑块在空气减震器上浮动以定位于靠近磁盘表面的位置。换句话说，面对磁盘的滑块表面可以适合与磁盘部分或持续接触。在大部分现代的磁盘驱动器中，磁阻传感器用作读元件。磁阻传感器，最通常为磁阻旋转阀传感器，是一些中间层，包括一个铁磁性固定层、一个无磁性电导层和一个铁磁性未固定层。这些中间层也称为传感器堆。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一个磁阻传感器，包括：一个对外部磁场作出响应的磁阻传感器堆；第一和第二磁屏蔽，其中所述磁阻传感器堆置于所述第一和第二磁屏蔽之间；置于所述磁阻传感器堆和所述第一磁屏蔽之间的第一绝缘层；置于所述磁阻传感器堆和所述 第二磁屏蔽之间的第二绝缘层；　置于至少一个所述绝缘层和一个所述磁屏蔽之间的高阻抗软磁性层。

【技术特征摘要】
US 2003-3-18 10/393,3361.一个磁阻传感器，包括一个对外部磁场作出响应的磁阻传感器堆；第一和第二磁屏蔽，其中所述磁阻传感器堆置于所述第一和第二磁屏蔽之间；置于所述磁阻传感器堆和所述第一磁屏蔽之间的第一绝缘层；置于所述磁阻传感器堆和所述第二磁屏蔽之间的第二绝缘层；置于至少一个所述绝缘层和一个所述磁屏蔽之间的高阻抗软磁性层。2.一个磁阻传感器，包括一个对外部磁场作出响应的磁阻传感器堆；第一和第二磁屏蔽，其中所述磁阻传感器堆置于所述第一和第二磁屏蔽之间；置于所述磁阻传感器堆和所述第一磁屏蔽之间的第一绝缘层；置于所述磁阻传感器堆和所述第二磁屏蔽之间的第二绝缘层；以及置于所述第一绝缘层和所述第一磁屏蔽之间的第一高阻抗软磁性层以及置于所述第二绝缘层和所述第二磁屏蔽之间的第二高阻抗软磁性层。3.根据权利要求1的磁阻传感器，其中所述高阻抗软磁性层的组成为A-B-C，其中A选自铁Fe、钴Co组，B选自铪Hf、钇Y、钽Ta和锆Zr组，C选自氧O、氮N组。4.根据权利要求1的磁阻传感器，其中所述高阻抗软磁性层的组成为钴铁铪氧CoFeHfO。5.根据权利要求1的磁阻传感器，其中所述高阻抗软磁性层的组成为铁铪氮FeHfN。6.根据权利要求3的磁阻传感器，其中所述高阻抗软磁性层的磁力矩大于约80电磁单位/立方厘米。7.根据权利要求3的磁阻传感器，其中所述高阻抗软磁性层的电阻系数大于2000微欧姆厘米。8.根据权利要求3的磁阻传感器，其中所述高阻抗软磁性层的导磁性大于约20...

【专利技术属性】
技术研发人员：维普尔P贾亚塞卡拉，
申请(专利权)人：日立环球储存科技荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]