用于磁畴扩展记录介质的辐射功率和/或场控制制造技术

技术编号:3062651 阅读:142 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种用于在读取磁光记录介质的操作期间控制辐射功率和/或场强的方法、设备和记录载体,所述磁光记录介质包括存储层和读出层。刚一按所述辐射功率进行加热时和通过施加外部磁场时,就通过将标记区域从所述存储层拷贝到所述读出层,从而在所述读出层中产生导致读信号中的脉冲的扩展磁畴。分析读信号中的脉冲图形。将分析结果与存储在所述存储层中的数据的游程长度特征进行比较。根据比较结果来控制辐射功率和/或磁场强度。这样一来,由于用户数据可以用于此目的,因而为辐射功率磁场校准只需保留更少的盘容量或者不必再为此而保留盘容量。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于在磁光记录介质读取期间控制辐射功率和/或场强的方法和设备,所述磁光记录介质包括记录或存储层以及扩展或读出层,比如是MAMMOS(磁性放大磁光系统)盘。本专利技术还涉及一种由根据本专利技术的方法使用的和在根据本专利技术的设备中使用的磁光记录介质。在磁光存储系统中,记录标记的最小宽度是通过衍射极限(diffraction limit)来确定的,也就是通过聚焦透镜的数值孔径(NA)和辐射波长来确定的。因此,此宽度的缩减通常是以较短波长辐射和/或较高NA的聚焦光学器件为基准的。在磁光记录期间,通过利用激光脉冲磁场调制(LP-MFM),可以将最小位长缩减至光衍射极限以下。在LP-MFM中,位瞬变(bit ransition)是通过场梯度与温度梯度的转换加以确定的,所述场梯度和温度梯度是通过例如像激光之类的辐射源的转换来感生的。为了读出以这种方法记录的小新月形标记,必须使用磁性超大分辨率(MSR)或磁畴扩展(DomEx)方法。这些技术基于带几个静磁RE-TM层或交换耦合RE-TM层的记录介质。根据磁畴扩展,光点中央的磁畴被扩展开,而根据MSR,磁光盘上的读出层被设置成在读取期间遮盖邻接位。由于胜过MSR的磁畴扩展技术的这一优点,因而当位大小可同衍射极限光点比拟时,可以用相似的信噪比(SNR),来检测长度低于衍射极限的位。MAMMOS是一种基于磁静态耦合存储及读出层的磁畴扩展方法,其中,磁场调制被用于读出层当中扩展磁畴的扩展及压缩(collapse)。在上述提到的磁畴扩展技术中,就像MAMMOS那样,当由辐射束进行激光加热时和通过施加外部磁场,就把来自于存储层的写标记拷贝到读出层。由于此读出层的低矫顽力,已拷贝的标记将会扩展从而填充光点区域,并且能够被检测出带有与所述标记大小无关的饱和信号电平。外部磁场的反向毁坏了扩展磁畴。在另一方面,存储层中的间隔不会被拷贝并且不会发生扩展。MAMMOS读出过程的分辨率,也就是可以在没有来自于相邻位干扰的情况下得以再现的最小位尺寸,受到拷贝过程(拷贝窗口)的空间范围的限制,所述拷贝过程是通过把温度感应的矫顽性轮廓与位图形的杂散场轮廓重叠来确定的,其中所述位图形取决于外部磁场的强度。用在读出过程中的辐射功率应该足够高以实现拷贝。在另一方面,由于随着提升温度而使矫顽性Hc降低且杂散场增加的事实,较高辐射功率也增加了重叠。当这种重叠变得过大时,正确的间隔读出不再是可能的,因为由相邻标记产生了假信号。最大允许辐射功率与最小值允许辐射功率之间的差决定了功率裕度。这种功率裕度随着减少位长而强烈地下降。实验已表明利用目前的读出方法,能够正确地检测出0.10微米的位长,也就是在极小功率裕度时的位长(在16位数模转换器的1位范围内)。因此,辐射功率以及外部磁场的强度的良好平衡是选择最佳运行条件时的重要因素。然而,即使已经在读出操作的初始阶段期间设定了最佳条件,初始平衡也可能会在读取期间因环境变化而受到干扰。这些环境变化包括场模糊、盘倾斜、温度改变、盘的保护镀层的不均匀厚度,以及磁头上滑动器运动的影响。因此,在读出期间控制辐射功率及磁场强度是必要的。JP-A-2000-215537公开了一种用于控制辐射功率和/或外部磁场场强的方法和设备。在JP-A-2000-215537所公开的方法中,从盘上的特定区域中读取规定盘上指定部分的信息以及规定指定脉冲数的脉冲信息。接下来,从规定部分读出的信息中的脉冲数被计数,并与规定的脉冲数作比较。根据比较的结果,来调整辐射功率或场强。然而,这种解决方案需要特定规定区域中的特定记录类型的记录,所述特定记录类型的记录带有特定的预记录信息。此外,仅仅能为规定区域执行所述控制,这些规定区域带有已知的脉冲数(即,标记)。本专利技术的目的是,提供一种用于提供改善的功率和/或场控制的方法、设备和记录载体,所述功率和/或场控制实现了在整个读出过程期间的调节。这个目的是通过如权利要求1或2中所要求的方法、如权利要求13或14中所要求的设备、以及权利要求17或19中所要求的记录载体实现的。因此,通过利用用于评估例如造成过度拷贝窗口尺寸的外部磁场与辐射功率之间的失衡的游程长度特征,提供了能够根据记录在记录介质上的正常用户数据来执行辐射功率和/或场强控制的优点,也就是说,只要对正常用户数据进行编码的游程长度限制条件是已知的即可。因此,提供了连续控制功能,而无需修改或是专门地预记录记录介质。此外,根据本专利技术的控制具有通常所说的“运行控制(running-control)”的附加优点,也就是说,在读取用户数据的同时执行辐射功率和/或场强控制,而无需执行单独的控制步骤,该单独的控制步骤将会中断用户数据的读取。根据有益的实施例,拷贝窗口尺寸是在所述比较步骤中确定的,其中根据该拷贝窗口尺寸产生所述控制步骤的控制信号。拷贝窗口尺寸是根据对游程长度违规(violation)的检测来确定,所述游程长度违规可以通过脉冲计数功能或计时器功能加以确定。已确定的拷贝窗口尺寸可进而用来校正读出信号中的错误。优选地,脉冲图形对应于记录在所述记录介质上的用户数据。作为可选方案,脉冲图形对应于带有记录在所述记录介质上的预定义标记及间隔游程长度的测试图形。根据另一个实施例,所述比较步骤是根据将拷贝窗口尺寸链接到脉冲图形中的假峰值或遗漏峰值的相应数的查找表来执行的。根据另一个实施例,所述控制步骤包括输出用于通过控制辐射功率来进行粗调节的第一控制信号以及用于通过控制场强来进行精调节的第二控制信号。根据另一个实施例,用在所述控制步骤中的控制信息是在记录介质上提供的。这个控制信息规定了拷贝窗口尺寸与辐射功率数据之间的介质有关的特征。其它有益的实施例在从属权利要求中作了限定。在下文中将根据优选实施例并参照附图来描述本专利技术,在附图中附图说明图1示出根据优选实施例的磁光盘播放器的图;图2示出带不同重叠度的读出策略的信号图;和图3示出用于根据已确定的标记或间隔游程长度来确定拷贝窗口的空间宽度范围的表。现在将根据如图1中所示的MAMMOS盘播放器来描述优选实施例。图1示意性地示出了根据优选实施例的盘播放器的构造。该盘播放器包括具有辐射部分的光学拾波器单元30,所述辐射部分例如包括诸如激光二极管之类的激光源,用于用激光辐射束31照射磁光记录介质10,比如磁光盘。在记录期间,激光已被转换成带有与代码数据同步的周期的脉冲。所述盘播放器还包括磁场施加部分,它包括磁头12,在记录和重放时候该磁头以受控方式把磁场施加到磁光盘10。在光学拾波器单元30中,激光源连接于激光驱动电路,该驱动电路从记录/读出脉冲调节单元32接收记录和读出脉冲,以便由此来控制在记录和/或读出操作期间光学拾波器单元30中的脉冲振幅和激光定时(timing)。所述记录/读出脉冲调节电路32从时钟发生器26那里接收时钟信号,所述时钟发生器可以包括PLL(锁相环)电路。应当注意,在图1中,为了简明起见,在盘10的相对侧上示出了磁头12和光学传感器单元30。然而,根据该优选实施例,它们应该优选地被安置在盘10的同一侧上。磁头12连接于磁头驱动器单元14。在记录的时候,该磁头经由相位调整电路18、从调制器24那里接收已转换代码后的数据。调制器24把输入记录数据101本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在读取磁光记录介质(10)的操作期间控制辐射功率的方法,所述磁光记录介质包括存储层和读出层,其中刚一按所述辐射功率进行加热,就通过将标记区域从所述存储层拷贝到所述读出层,从而在所述读出层中产生导致读信号中的脉冲的扩展磁畴,所述方法包括:分析步骤,用于分析所述读信号中的脉冲图形;比较步骤,用于将所述分析步骤的结果与存储在所述存储层中的数据的游程长度特征进行比较;以及控制步骤,用于根据比较结果来控制所述辐射功率。

【技术特征摘要】
EP 2001-9-12 01203438.51.一种在读取磁光记录介质(10)的操作期间控制辐射功率的方法,所述磁光记录介质包括存储层和读出层,其中刚一按所述辐射功率进行加热,就通过将标记区域从所述存储层拷贝到所述读出层,从而在所述读出层中产生导致读信号中的脉冲的扩展磁畴,所述方法包括分析步骤,用于分析所述读信号中的脉冲图形;比较步骤,用于将所述分析步骤的结果与存储在所述存储层中的数据的游程长度特征进行比较;以及控制步骤,用于根据比较结果来控制所述辐射功率。2.一种控制外部磁场的方法,该外部磁场是在读取磁光记录介质(10)的操作期间施加的,所述磁光记录介质包括存储层和读出层,其中当施加所述外部磁场时,刚一按辐射功率进行加热时,就通过将标记区域从所述存储层拷贝到所述读出层,从而在所述读出层中产生导致读信号中的脉冲的扩展磁畴,所述方法包括分析步骤,用于分析所述读信号中的脉冲图形;比较步骤,用于将所述分析步骤的结果与存储在所述存储层中的数据的游程长度特征进行比较;以及控制步骤,用于根据比较结果来控制所述外部磁场的强度。3.如权利要求1或2所述的方法,其中拷贝窗口尺寸是在所述比较步骤中确定的,根据所述拷贝窗口尺寸来产生一个用于所述控制步骤的控制信号。4.如权利要求3所述的方法,其中所述拷贝窗口尺寸根据检测游程长度违规来确定。5.如权利要求4所述的方法,其中所述游程长度违规利用脉冲计数功能或计时器功能来确定。6.如权利要求3至5中任何一个所述的方法,其中已确定的所述拷贝窗口尺寸用来校正读信号中的错误。7.如前述权利要求中的任何一个所述的方法,其中所述脉冲图形对应于记录在所述记录介质(10)上的用户数据.8.如前述权利要求中的任何一个所述的方法,其中所述脉冲图形对应于测试图形,该测试图形带有所述记录介质(10)上的预定标记和间隔游程长度。9.如前述权利要求中的任何一个所述的方法,其中所述比较步骤是根据查找表来执行的,所述查找表将拷贝窗口尺寸链接于所述脉冲图形中的假峰值或遗漏峰值的相应数目。10.如前述权利要求中的任何一个所述的方法,其中所述控制步骤包括输出用于控制辐射功率控制的第一控制信号和用于控制磁场强度的第二控制信号。11.如前述权利要求中的任何一个所述的方法,还包括从所述记录介质(10)读取控制信息的步骤,所述控制信息供所述控制步骤使用。12.如权利要求11所...

【专利技术属性】
技术研发人员:CA维斯楚伦
申请(专利权)人:皇家飞利浦电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]

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