磁记录介质用衬底制造技术

本发明专利技术提供一种经表面处理的磁记录介质用衬底，其在无磁性衬底上方具有均匀的成膜性并且可含有厚膜，以及提供包括记录层的磁记录介质。更具体的，本发明专利技术提供包括无磁性衬底以及位于无磁性衬底上的底镀层的经表面处理的磁记录介质用衬底是有效的，其中无磁性衬底进行了亲水性处理。还发现，包括进表面处理的磁记录介质用衬底、软磁层和记录层的磁记录介质优选作为垂直记录介质。此外，提供一种包括无磁性衬底和位于无磁性衬底上的底镀层的经表面处理的磁记录介质用衬底是有效的，其中无磁性衬底的表面包含有直径至少为５０ｎｍ且小于１０００ｎｍ，且其深度小于其直径的凹坑形状。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磁记录介质，其包括一个用于磁记录介质的衬底和一个记录层。
技术介绍
在磁性记录领域中，利用硬盘设备进行信息记录是计算机(例如，个人计算机)首要外部记录设备必不可少的。随着硬盘驱动的记录密度的增加，能够进行更高密度的记录的垂直磁记录类型的发展得以推进，代替了传统的硬盘驱动纵向磁记录类型。垂直磁记录中，相邻字节的磁场方向与磁化方向是一致的，在相邻字节之间形成一个封闭的磁电路，并且由自身磁化引起的自减磁场(下面称作“抗磁磁场”)比在横向磁记录中小，磁化环境稳定。垂直磁记录中不用特别要求磁膜很薄来使得记录密度增加。从这些方面来看，垂直磁记录能够减少抗磁磁场并使KuV值稳定，其中Ku表示各向异性能量，特别在磁记录情况下表示磁晶各向异性能量，V表示单位记录比特量。因此，具有了抵抗热起伏磁化的稳定性，并可认为这是一种记录方法，使得记录极限有显著提升变为可能。对于记录介质，垂直记录介质与横向记录介质非常密切相关，有可能使用基本相同的传统的技术，在磁记录的读与写方面也都这样的。垂直磁记录介质包括软磁性内衬层(典型地是坡莫合金等)，记录膜(其候选材料为基于CoCr的合金，PtCo层和Pd及Co超薄膜的交替层压层的多层膜，以及SmCo无定形膜)，保护层，和润滑层，都形成于衬底上。垂直磁记录介质的内衬层必须是软磁性的，并且膜厚度为约100nm到约500nm。由于软磁性内衬层上的记录膜是磁通量的通道，因此软磁性内衬层也是来自记录磁头写流量的通道。由此，它与永久磁铁上铁轭的磁电路扮演着相同的角色，由此也就需要其是厚的膜。与横向记录介质中的基于Cr的无磁性底膜的形成相比，形成垂直记录介质的软磁性内衬层膜不是一件简单的事情。通常，构成横向记录介质的膜都是通过干燥处理的(主要使用磁控溅射法)(日本专利临时公开号5-143972/1993)。通过干燥处理形成垂直记录介质的膜也已经研究出来了。然而从批量生产和产率这方面来看，由于处理的稳定性，参数设定的复杂性，以及更多其他因素，处理速度等，使得通过干燥处理形成膜还存在着很大问题。此外，为达到更高密度的目的，必须使得磁盘表面上方的头浮标的高度(飞行高度)尽可能低。因此，制造垂直记录介质过程中，需要用金属膜覆盖衬底，其金属膜的厚度能够通过磨擦调平。然而，通过干燥处理获得的厚膜的粘合力很低，通过研磨调平很成问题。因而，进行了各种测试，通过镀敷方法用金属膜覆盖无磁性衬底，厚膜能够通过比真空沉积方法更容易的方法而形成。为了通过湿法镀敷进行良好粘合的镀敷，在镀膜和基材之间的连接部分存在大量的能够充当减少镀液中金属离子的催化剂材料是非常重要的。此外，已形成的镀膜和电镀衬底之间的粘结强度随着由电镀衬底表面不平坦引起的机械粘固效应的改变而改变，或随着电镀衬底与镀膜之间的化学相互作用。例如，为了对一个化学反应活性弱的材料如塑料，陶瓷或玻璃表面进行电镀，基于机械粘固的可靠粘结方法被广泛应用，其中，在通过抛光等操作对衬底表面进行粗糙化之后，通过将衬底浸渍在Pd-Sn胶体溶液中，使胶粒固定在其表面的锯齿状部分，并利用这些附着的胶体作为催化起点进行电镀。另一方面，在对如Fe等金属表面进行电镀时，电镀开始之后立即在镀膜与电镀金属之间进行金属键，并且据信通过在原子层水平生产合金来确保强的粘结力。再一方面，作为电镀衬底的硅晶片的表面是防水的，非常干燥，并且其被钝化而使表面覆盖一层化学反应活性弱的SiO2天然氧化物膜。出于这个原因，很难与镀膜形成化学键。另外，存在这样的问题，进行表面处理后硅晶片的表面是防水的，非常干燥，并且在镀膜时形成不均匀的膜。硅表面的天然氧化膜能够通过浸在HF等中而被除去，这是众所周知的。然而，表面上被除去天然氧化膜的硅很容易又被氧化，以至于当硅浸在镀液中时，在镀膜形成之前，又与溶液中的OH基反应再次形成氧化膜。从而，不能获得一个良好的镀膜。因此，当电镀硅衬底的时候，将衬底表面粗糙化加工之后将其浸湿在Pd-Sn胶体中来进行电镀，类似于前面描述的电镀塑料等材料的方法。作为选择，电镀金属层能够通过如溅射喷镀的气相沉积作用来形成。然而，将表面粗糙化加工之后进行电镀加工，如果电镀层的粘度增加，衬底表面的粗糙度也必须相应地增加。因此，这就不适合电镀那些在电子材料等中用到的半导体片等。另外，如果通过机械加工使衬底表面粗糙化，就会产生加工痕迹，由该痕迹的尺寸和形状引起的衬底强度在很大程度上减弱的问题就会发生。
技术实现思路
本专利技术的第一方面的目的是提供一种经表面处理的磁记录介质用衬底，其在无磁性衬底上方具有成膜均匀性并且可含有厚膜，并且磁记录介质包括记录层。根据对经表面处理的磁记录介质用衬底(其在无磁性衬底上方具有成膜均匀性并且可含有厚膜)，以及软磁层和包含记录层的磁记录介质的反复认真研究，本专利技术的专利技术人发现，为了达到上述目的，提供一个包括无磁性衬底以及位于无磁性记录衬底上的底镀层的经表面处理的磁记录介质用衬底是有效的，其中无磁性衬底的表面经过亲水性处理。本专利技术的专利技术人发现，优选地，亲水性处理是醇处理或过氧化氢溶液处理。专利技术人还发现，包括磁记录介质用衬底，以及软磁层和记录层的磁记录介质优选作为垂直记录介质。根据本专利技术的第一方面，表面进行了亲水处理的无磁性衬底，在衬底上或其上方具有有利的成膜均匀性。从而，能够提供一个能够包含厚膜的经表面处理的磁记录介质用衬底。本专利技术的第二方面的目的在于提供一种经表面处理的磁记录介质用衬底，其具有充分强的粘合力，在无磁性衬底上方成膜时能够承受如抛光等的调平加工且其能够包含厚膜，以及提供包括记录层的磁记录介质。根据对含有粘结在无磁性衬底上的厚膜的经表面处理的磁记录介质用衬底，以及软磁层和包括记录层的磁记录介质的反复认真研究，本专利技术的专利技术人发现，为了达到上述目的，提供一种包括无磁性衬底和位于无磁性衬底上的底镀层的经表面处理的磁记录介质用衬底是有效的，其中优先地，无磁性衬底的整个表面包含有直径至少为50nm且小于1000nm的凹坑形状，且其深度小于其直径。还发现凹坑形状的深度至少为0.1nm且至多为100nm是优选的。此外，也可以进一步在底镀层上或上方提供一个软磁层。无磁性衬底与底镀层之间的粘合力的增加的原因是因为具有预定凹坑形状的无磁性衬底的表面。因此，有可能提供一种具有充分强的粘合力，能够承受如抛光等的调平加工且能够包含厚膜的经表面处理的磁记录介质用衬底。附图说明图1是根据本专利技术的一个例子的垂直磁记录型硬盘介质的代表性示意图。图2是用电子显微镜拍得的例3的Si单晶衬底表面的照片。图3是用电子显微镜拍得的例4的Si单晶衬底表面的照片。具体实施例方式在无磁性衬底上方形成膜之前形成一个高粘性材料的底镀层，这样可以不必在衬底表面进行不必要的粗糙化处理或各种活化处理等，就可以得到具有良好粘合力的软磁性膜。另外，因为本专利技术能够进行湿法无电置换镀敷法，与气相沉积法等相比，湿法非常简单，且产率优异。而且，底镀层作为底膜具有非常良好的特性，因为成膜后的底镀膜的表面活性很高，以至于无需进行特殊的活化步骤就可以继续进行镀敷处理了。对于本专利技术中用作无磁性衬底的衬底没有特殊的限制。该无磁性衬底可以预先在其表面用镍磷镀敷处理。该无磁性衬底可以是一种可在其上进行镀敷的衬底。本专利技术的无磁性衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种经表面处理的磁记录介质用衬底，其包括表面经过亲水性处理的无磁性衬底以及位于无磁性衬底上的底镀层。

【技术特征摘要】
JP 2003-7-10 194783/2003;JP 2003-7-10 194786/20031.一种经表面处理的磁记录介质用衬底，其包括表面经过亲水性处理的无磁性衬底以及位于无磁性衬底上的底镀层。2.根据权利要求1的经表面处理的磁记录介质用衬底，其中所述亲水性处理是醇处理或过氧化氢溶液处理。3.根据权利要求1或2的经表面处理的磁记录介质用衬底，其进一步包括位于底镀层上或上方的软磁层...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井政利，津森俊宏，滨口优，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]