一种AFE级联驱动的防静电优化和补偿电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种AFE级联驱动的防静电优化和补偿电路，包括AFE整流回馈单元H、AFE整流回馈单元L、场效应管Q9、场效应管Q16、场效应管Q17和三极管Q19，所述AFE整流回馈单元H的端口C0连接AFE整流回馈单元L的短接C10和接地端，AFE整流回馈单元H的端口A_DSG_H连接二极管ZD8、场效应管Q9的源极和电阻R10，本实用新型专利技术AFE级联驱动的防静电优化和补偿电路不仅能够补偿驱动且具备正常防护的驱动电路。够补偿驱动且具备正常防护的驱动电路。够补偿驱动且具备正常防护的驱动电路。

【技术实现步骤摘要】
一种AFE级联驱动的防静电优化和补偿电路


[0001]本技术涉及供电优化
，具体是一种AFE级联驱动的防静电优化和补偿电路。

技术介绍

[0002]在各种电子产品中，现有不少产品的电源是由电池或电池组进行供电，有些电子产品的电池是同口充放电设计。在电池充电使用时，若出现充电器正负极与电池正负极相反的反向充电时，整个电路中回路电流会很大，有可能导致高温甚至燃烧，导致潜在的安全问题。
[0003]现有的方案如图1所示，10串AFE串联10串AFE的级联驱动电路，此驱动在实际生产中遇到如下问题，1：Q1,Q5,Q7三个小信号管，由于GS是悬空的，没有回路，在焊接和手触摸时60％以上概率会被击穿，造成GS或者DS短路，造成无法关闭MOS或者无法打开MOS故障；2：正常驱动后，如图1中的电压数值标注，AFE的12V驱动，经过Q7，D1,D3后将会有压降损失，造成到 Q12的驱动电压只有8.6v，如图2的MOS管规格书截图所示，驱动降低将造成开通阻抗变高，无法发挥MOS的最佳性能。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种AFE级联驱动的防静电优化和补偿电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0006]一种AFE级联驱动的防静电优化和补偿电路，包括AFE整流回馈单元H、 AFE整流回馈单元L、场效应管Q9、场效应管Q16、场效应管Q17和三极管Q19，所述AFE整流回馈单元H的端口C0连接AFE整流回馈单元L的端口C10和接地端，AFE整流回馈单元H的端口A_DSG_H连接二极管ZD8、场效应管Q9的源极和电阻R10，场效应管Q9的栅极连接电阻R10的另一端、二极管ZD8的阳极和接地端，场效应管Q9的漏极连接二极管ZD9的阴极、电阻R22和场效应管Q15的栅极，场效应管Q15的源极连接二极管ZD9的阳极、电阻R22的另一端、电阻R17和场效应管Q16的漏极，AFE整流回馈单元L的端口A_DSG_L 连接二极管ZD10、场效应管Q17的栅极和电阻R18，场效应管Q17的漏极连接电阻R18的另一端、二极管ZD10的阳极和接地端，场效应管Q17的源极连接二极管D7的阴极，二极管D7的阳极连接二极管D6的阴极，二极管D6的阳极连接电阻R17、电阻R24、二极管ZD11的阴极和场效应管Q16的栅极，场效应管Q16的源极连接二极管ZD11的阳极、电阻R24的另一端和二极管D5 的阳极，二极管D5的阴极连接电阻R19和电阻R20，电阻R20的另一端连接二极管D8的阳极，二极管D8的阴极连接电阻R21、三极管Q19的发射极和场效应管Q20的栅极，电阻R19的另一端连接三极管Q19的基极，三极管Q19 的集电极连接电阻R21的另一端和场效应管Q20的源极。
[0007]作为本技术的进一步技术方案：所述场效应管Q9为P型场效应管。
[0008]作为本技术的进一步技术方案：所述场效应管Q15为N型场效应管。
[0009]作为本技术的进一步技术方案：所述场效应管Q16为N型场效应管。
[0010]作为本技术的进一步技术方案：所述场效应管Q17为P型场效应管。
[0011]作为本技术的进一步技术方案：所述三极管Q19为PNP三极管。
[0012]作为本技术的进一步技术方案：所述二极管ZD8为稳压二极管。
[0013]作为本技术的进一步技术方案：所述二极管ZD9为稳压二极管。
[0014]作为本技术的进一步技术方案：所述二极管ZD10为稳压二极管。
[0015]作为本技术的进一步技术方案：所述二极管ZD11为稳压二极管。
[0016]与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术AFE级联驱动的防静电优化和补偿电路不仅能够补偿驱动且具备正常防护的驱动电路。
附图说明
[0017]图1为现有技术的电路图。
[0018]图2为MOS管规格书示意图。
[0019]图3为本技术的电路图。
具体实施方式
[0020]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0021]请参阅图3，一种AFE级联驱动的防静电优化和补偿电路，包括AFE整流回馈单元H、AFE整流回馈单元L、场效应管Q9、场效应管Q16、场效应管Q17 和三极管Q19，所述AFE整流回馈单元H的端口C0连接AFE整流回馈单元L 的端口C10和接地端，AFE整流回馈单元H的端口A_DSG_H连接二极管ZD8、场效应管Q9的源极和电阻R10，场效应管Q9的栅极连接电阻R10的另一端、二极管ZD8的阳极和接地端，场效应管Q9的漏极连接二极管ZD9的阴极、电阻R22和场效应管Q15的栅极，场效应管Q15的源极连接二极管ZD9的阳极、电阻R22的另一端、电阻R17和场效应管Q16的漏极，AFE整流回馈单元L的端口A_DSG_L连接二极管ZD10、场效应管Q17的栅极和电阻R18，场效应管 Q17的漏极连接电阻R18的另一端、二极管ZD10的阳极和接地端，场效应管 Q17的源极连接二极管D7的阴极，二极管D7的阳极连接二极管D6的阴极，二极管D6的阳极连接电阻R17、电阻R24、二极管ZD11的阴极和场效应管Q16 的栅极，场效应管Q16的源极连接二极管ZD11的阳极、电阻R24的另一端和二极管D5的阳极，二极管D5的阴极连接电阻R19和电阻R20，电阻R20的另一端连接二极管D8的阳极，二极管D8的阴极连接电阻R21、三极管Q19的发射极和场效应管Q20的栅极，电阻R19的另一端连接三极管Q19的基极，三极管Q19的集电极连接电阻R21的另一端和场效应管Q20的源极。
[0022]场效应管Q9为P型场效应管。场效应管Q15为N型场效应管。场效应管 Q16为N型场效应管。场效应管Q17为P型场效应管。三极管Q19为PNP三极管。二极管ZD8为稳压二极管。二极管ZD9为稳压二极管。二极管ZD10为稳压二极管。二极管ZD11为稳压二极管。
[0023]相比于图1，本设计进行了防静电优化，所有MOS，GS都增加回路，并调整场效应管Q9位置，电路中的D6，D7，场效应管Q17构成电压损失的补偿电路。其中，场效应管Q9部分调
整到驱动端，不串联在主回路中，如图3箭头所示，且每个MOS管GS极都增加了电阻和稳压管，并且增加了D6,D7，场效应管Q17，当A_DSG_L驱动12V时候，场效应管Q16的G极将增加D6,D7,和场效应管Q17的GS压降，刚好抵消场效应管Q16,D5,D8构成的压降，各部分电压如图标注。
[0024]当需要打开场效应管Q20主功率管时，A_DSG_H输出相对于GND本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种AFE级联驱动的防静电优化和补偿电路，包括AFE整流回馈单元H、AFE整流回馈单元L、场效应管Q9、场效应管Q16、场效应管Q17和三极管Q19，其特征在于，所述AFE整流回馈单元H的端口C0连接AFE整流回馈单元L的端口C10和接地端，AFE整流回馈单元H的端口A_DSG_H连接二极管ZD8、场效应管Q9的源极和电阻R10，场效应管Q9的栅极连接电阻R10的另一端、二极管ZD8的阳极和接地端，场效应管Q9的漏极连接二极管ZD9的阴极、电阻R22和场效应管Q15的栅极，场效应管Q15的源极连接二极管ZD9的阳极、电阻R22的另一端、电阻R17和场效应管Q16的漏极，AFE整流回馈单元L的端口A_DSG_L连接二极管ZD10、场效应管Q17的栅极和电阻R18，场效应管Q17的漏极连接电阻R18的另一端、二极管ZD10的阳极和接地端，场效应管Q17的源极连接二极管D7的阴极，二极管D7的阳极连接二极管D6的阴极，二极管D6的阳极连接电阻R17、电阻R24、二极管ZD11的阴极和场效应管Q16的栅极，场效应管Q16的源极连接二极管ZD11的阳极、电阻R24的另一端和二极管D5的阳极，二极管D5的阴极连接电阻R19和电阻R20，电阻R20的另一端连接二极管D8的阳极，二极管D8的阴极连接电阻R21、三极管Q19的发射极和...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴智声，
申请(专利权)人：福建飞毛腿动力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：